公开(公告)号：DE112020002984T5

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE112020002984

申请日：2020-07-31

Applicant: IBM

Inventor： HASHEMI POUYA ,  DORIS BRUCE ,  O'SULLIVAN EUGENE ,  LOFARO MICHAEL FRANCIS

IPC: H01L43/08 ,  H01L29/41 ,  H01L43/12

Abstract: Es wird eine Speicherstruktur bereitgestellt, die einen hohen Widerstand aufgrund des galvanischen Effekts vermeidet. Der hohe Widerstand wird reduziert und/oder eliminiert, indem eine T-förmige untere Elektrodenstruktur mit einheitlicher Konstruktion (d.h. aus einem einzigen Stück) bereitgestellt wird. Die T-förmige Struktur der unteren Elektrode beinhaltet ein schmales Basisteil und ein breiteres Plattenteil. Der Plattenteil der T-förmigen unteren Elektrodenstruktur hat eine ebene Oberseite, mit der eine MTJ-Säule eine Schnittstelle ausbildet.