公开(公告)号：DE102016125657A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102016125657

申请日：2016-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POLLER TILO ,  MICHALSKI SEBASTIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe, bei dem eine Verschaltungseinrichtung derart auf mindestens zwei Kontaktstempel aufgepresst wird, dass die Verschaltungseinrichtung durch das Aufpressen jeweils plastisch verformt wird und die Kontaktstempel durch die Verschaltungseinrichtung elektrisch leitend miteinander verbunden werden. Nachfolgend werden elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Kontaktstempeln und diesen zugeordneten ersten Lastelektroden jeweils eines Halbleiterchips der Elektronikbaugruppe hergestellt.

公开(公告)号：DE102015121577A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102015121577

申请日：2015-12-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POLLER TILO ,  HOHLFELD OLAF

IPC: G01R31/303

Abstract: Ein erster Aspekt betrifft ein Verfahren zur Erkennung eines sich abzeichnenden Ausfalls eines Halbleiterchips (1) eines Halbleitermoduls (100). Hierzu wird eine von dem Halbleiterchip (1) ausgehende, elektromagnetische Strahlung (10) mittels einer Strahlungssensoranordnung (3) erfasst. Als Reaktion darauf, dass festgestellt wird, dass ein Parameter, der auf einer Auswertung eines Spektralteils oder mehrerer Spektralteile der elektromagnetischen Strahlung (10) beruht, einen vorgegebenen Grenzwert erreicht oder überschreitet oder unterschreitet, wird ein Signal (S200) ausgegeben.

公开(公告)号：DE102016125657B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE102016125657

申请日：2016-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POLLER TILO ,  MICHALSKI SEBASTIAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbaugruppe, das aufweist:Aufpressen einer eine Leiterplatte aufweisenden Verschaltungseinrichtung auf mindestens zwei Kontaktstempel derart, dass die Verschaltungseinrichtung durch das Aufpressen jeweils plastisch verformt wird und die Kontaktstempel durch die Verschaltungseinrichtung elektrisch leitend miteinander verbunden werden; und nachfolgendHerstellen elektrisch leitender Verbindungen zwischen den Kontaktstempeln und diesen zugeordneten ersten Lastelektroden jeweils eines Halbleiterchips der Elektronikbaugruppe; wobeidie Leiterplatte erste Leiterbahnen sowie einen dielektrischen Träger oder eine dielektrische Schicht aufweist.