公开(公告)号：DE102020101585A1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102020101585

申请日：2020-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  AICHRIEDLER LEO ,  SCHWEIKERT CHRISTIAN ,  WRIESNEGGER GERALD

IPC: H01L25/16

Abstract: Halbleitermodul mit einem Halbleiterchip, einer Vergussmasse, die den Halbleiterchip umhüllt, einer Vielzahl von Anschlüssen, die elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden sind und aus der Vergussmasse herausragen, wobei ein erster der Anschlüsse einen verengten Bereich aufweist, der von der Vergussmasse bedeckt ist, wobei die Vergussmasse eine Aussparung oder eine Öffnung in der Nähe des verengten Bereichs des ersten Anschlusses aufweist, und einem kernlosen Magnetfeldsensor, der in der Aussparung oder der Öffnung der Vergussmasse angeordnet und von dem ersten Anschluss durch die Vergussmasse isoliert ist. Der kernlose Magnetsensor ist so konfiguriert, dass er ein Signal als Reaktion auf ein Magnetfeld erzeugt, das durch einen Strom erzeugt wird, der in dem verengten Bereich des ersten Anschlusses fließt. Die Größe des Signals ist proportional zur Stromstärke des Stroms, der im verengten Bereich des ersten Anschlusses fließt. Ein Verfahren zur Herstellung des Moduls wird ebenfalls beschrieben.