公开(公告)号：KR20180039448A

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR20160130765

申请日：2016-10-10

Applicant: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY

Inventor： HONG WON SIK ,  OH CHUL MIN

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/52 ,  H01L23/532

Abstract: 저가의재료를사용하면서도저온, 저압실장공정이가능하면서도보다단시간에정확한접합이가능한소자를기판에실장하기위한소자실장재프리폼및 그의제조방법이제안된다. 본발명에따른소자를기판에실장하기위한소자실장재프리폼형성방법은금속입자를포함하는금속페이스트를제조기판에도포하여금속페이스트층을형성하는단계; 및금속입자가일부소결되도록예비소결하는단계;를포함한다.

公开(公告)号：KR20180054174A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：KR20160151794

申请日：2016-11-15

Applicant: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY ,  KOREA INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECH ,  FOUNDATION FOR RESEARCH AND BUSINESS SEOUL NATIONAL UNIV OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： OH CHUL MIN ,  HONG WON SIK ,  YOON JEONG WON ,  LEE JONG HYUN

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/00 ,  H01L23/492

Abstract: 저가의재료를사용하면서도저온, 저압실장공정이가능한반도체소자실장재및 제조방법이제안된다. 본발명에따른반도체소자를기판에실장하기위한반도체소자실장재는금속막을포함하는제1층, 제1층의적어도일면에형성되는, 금속입자, 금속산화물입자및 표면에금속산화물층을포함하는복합금속입자중 적어도하나의입자를포함하는제2층을포함한다.