公开(公告)号：CN101013740A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610145257.1

申请日：2006-11-24

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 韩敞昱 ,  李在允

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，其通过降低在有机半导体层和源极/漏极之间的接触面积中产生的接触电阻而提高器件特性。该有机薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；形成在该栅极上的栅绝缘层；与栅极两侧边缘重叠并形成在栅绝缘层上的源极/漏极；形成在包括源极/漏极的栅绝缘层上的有机半导体层；形成在栅绝缘层和源极/漏极之间具有亲水特性的第一粘合层；以及形成在有机半导体层和栅绝缘层之间具有疏水特性的第二粘合层。

公开(公告)号：CN1976084A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610087273.X

申请日：2006-06-14

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 韩敞昱

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/107 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055

Abstract: 一种具有薄膜晶体管的基板，包括：在基板上的缓冲层、在缓冲层上的源极和漏极，一部分缓冲层暴露在源极和漏极之间、在源极和漏极上的小分子有机半导体层，该小分子有机半导体层与缓冲层的暴露部分接触、在小分子有机半导体层上的栅绝缘层，该栅绝缘层具有与小分子有机半导体层大致相同的尺寸、在栅绝缘层上的栅极、在包括栅极的基板表面上的钝化层、和在钝化层上的像素电极，该像素电极与漏极电连接。

公开(公告)号：CN1992370A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610162975.X

申请日：2006-11-30

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 韩敞昱

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，其可通过降低在有机半导体层与源极和漏极之间的接触表面中出现的接触电阻来改善器件特性。该有机薄膜晶体管包括：形成在基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的源极和漏极，其中所述源极和漏极中的每一个都形成为岛状；形成在所述源极和漏极上的有机半导体层；形成在所述有机半导体层上的栅绝缘层；栅极，其与所述源极和漏极的两个边缘相交叠并且形成在所述栅绝缘层上；以及隧道阻挡层，其形成在所述有机半导体层与所述源极和漏极的接触区域中。