公开(公告)号：CN117396433A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280035206.0

申请日：2022-05-19

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 大川秀树 ,  榎村真一

IPC: C01B33/023

Abstract: 本发明涉及一种单晶、球状、平均粒径为1nm～20nm的单晶球状硅纳米粒子的制造方法，所述制造方法包括使原料液与还原液混合反应的工序，其中，所述原料液含有卤化硅，所述还原液含有由锂、钠或钾与稠合芳族化合物生成的所述稠合芳族化合物的阴离子，所述稠合芳族化合物的阴离子通过将锂、钠或钾与稠合芳族化合物在低于0℃下混合而调制。根据本发明的制造方法制造的单晶球状硅纳米粒子，能够通过从200nm～300nm的深紫外线的光到可见光的宽波长的光的激发而产生蓝色至红色的荧光，可以将目前已知的硅纳米粒子的荧光量子效率从1％左右增加到10％以上。

公开(公告)号：CN117396434A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280037575.3

申请日：2022-05-12

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 榎村真一 ,  大川秀树

IPC: C01B33/18

Abstract: 本发明涉及一种单晶球状硅纳米粒子及其制造方法，所述单晶球状硅纳米粒子的特征在于，单晶，球状，平均粒径为1nm～20nm。根据本发明的单晶球状硅纳米粒子，通过从200nm～300nm的深紫外线的光到可见光的宽波长的光的激发，能够以高的荧光量子效率产生荧光，可以将目前已知的硅纳米粒子的荧光量子效率从1％左右增加到10％以上。

公开(公告)号：CN116940426A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202180094114.5

申请日：2021-04-08

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 榎村真一 ,  大川秀树

IPC: B22F1/16

Abstract: 本发明涉及一种硅化合物包覆的金属镁微粒，其是一种纳米尺寸的金属镁微粒的表面的至少一部分被硅化合物所包覆的硅化合物包覆的金属镁微粒，其特征在于，所述硅化合物包覆的金属镁微粒的平均粒径为5nm以上且500nm以下，所述硅化合物包覆层的厚度为1nm以上且50nm以下。本发明的硅化合物包覆的金属镁微粒在大气中易于处理，具有优异的抗氧化性，最大限度地提高纳米尺寸的金属镁微粒的预期特性、或补充其特性以控制其特性。

公开(公告)号：CN119095794A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202280095253.4

申请日：2022-09-30

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 大川秀树 ,  榎村真一

IPC: C01B32/15 ,  C09K11/65 ,  B82Y5/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及单晶、球状的单晶球状碳纳米粒子的制造方法。采用本发明的制造方法制造的单晶球状碳纳米粒子通过采用从紫外线的光到可见光的宽波长的光的激发能够以高荧光量子效率产生荧光，能够使目前为止已知的碳纳米粒子的荧光量子效率增加10％以上。采用本发明的制造方法制造的单晶球状碳纳米粒子不具有由镉、硒、碲等形成的化合物半导体具有的对生物体的毒性，因此能够在药物递送中使用。进而，采用本发明的制造方法制造的单晶球状碳纳米粒子为球状，因此能够高密度地填充太阳能电池、二次离子电池的电极材料等，能够作为锂离子电池的负极、太阳能电池的电极材料使用。