公开(公告)号：FR2979468B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1157659

申请日：2011-08-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BAHOUT YVON

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34

公开(公告)号：FR2965373B1

公开(公告)日：2012-10-12

申请号：FR1057752

申请日：2010-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BAHOUT YVON

IPC: G06F13/42

公开(公告)号：FR3036513B1

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：FR1554460

申请日：2015-05-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BAHOUT YVON

IPC: G06F13/42 ,  H04B3/54

公开(公告)号：FR2965373A1

公开(公告)日：2012-03-30

申请号：FR1057752

申请日：2010-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BAHOUT YVON

IPC: G06F13/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de communication entre un circuit maître et deux circuits esclaves sur un bus série dans lequel : les deux circuits esclaves transmettent en même temps des identifiants (UID1, UID2) qui leurs sont associés ; les deux circuits esclaves transmettent en même temps l inverse (NUID1, NUID2) de ces identifiants ; et chaque circuit esclave exploite les combinaisons présentes sur le bus pour déterminer un ordre de communication entre les deux circuits.

公开(公告)号：FR2979468A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157659

申请日：2011-08-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BAHOUT YVON

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34

Abstract: Procédé de programmation électrique d'une mémoire non volatile, dans lequel un cycle de programmation comprend l'adressage préalable de cellules mémoires à partir d'une adresse initiale (Aiij) de la mémoire correspondant à une première rangée i et une colonne j d'un plan mémoire, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'adressage de cellules mémoires sur une seconde rangée consécutive i+1 lorsque la fin de la première rangée i est atteinte, pour finalement mémoriser des données sur des bits d'adresses consécutives et croissantes sur deux rangées consécutives i, i+1.