公开(公告)号：CN101443887B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780016946.5

申请日：2007-03-09

Applicant: STC.UNM公司

Inventor： S·M·赫尔西 ,  X·王 ,  X·孙

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及GAN纳米线的脉冲式生长及在族III氮化物半导体衬底材料中的应用和器件。典型实施例提供包含高质量(也即无缺陷)的族III-N纳米线的半导体器件和一致的族III-N纳米线阵列以及其可定标的制造过程，其中每个纳米线的位置、取向、截面特征、长度和结晶度可以精确地被控制。可以使用脉冲式生长模式来制造所公开的族III-N纳米线和/或纳米阵列，其中具有约10nm至约1000微米的一致长度和包括约10-1000nm典型直径的恒定截面特征。另外，可以通过结合多个GaN纳米线和/或纳米线阵列来形成高质量的GaN衬底结构，以便于制造可视LED和激光器。另外，可以通过在每个纳米线的非极性侧壁上的核壳生长来形成核壳纳米线/MQW有源结构。

公开(公告)号：CN101443887A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780016946.5

申请日：2007-03-09

Applicant: STC.UNM公司

Inventor： S·M·赫尔西 ,  X·王 ,  X·孙

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及GAN纳米线的脉冲式生长及在族III氮化物半导体衬底材料中的应用和器件。典型实施例提供包含高质量(也即无缺陷)的族III－N纳米线的半导体器件和一致的族III－N纳米线阵列以及其可定标的制造过程，其中每个纳米线的位置、取向、截面特征、长度和结晶度可以精确地被控制。可以使用脉冲式生长模式来制造所公开的族III－N纳米线和/或纳米阵列，其中具有约10nm至约1000微米的一致长度和包括约10－1000nm典型直径的恒定截面特征。另外，可以通过结合多个GaN纳米线和/或纳米线阵列来形成高质量的GaN衬底结构，以便于制造可视LED和激光器。另外，可以通过在每个纳米线的非极性侧壁上的核壳生长来形成核壳纳米线/MQW有源结构。