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公开(公告)号：FR3092699A1
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：FR1901379
申请日：2019-02-12
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： GUITARD NICOLAS
IPC: H01L27/02 , H01L21/332 , H01L27/102
Abstract: Dispositif semiconducteur de thyristor (THY) comportant une région d’anode (P1), une première région de base (N1) et une deuxième région de base (P2) ayant des types de conductivité opposés, et une région de cathode (N2), toutes superposées le long d’un axe vertical (Zi). Figure de l’abrégé : figure 2
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