公开(公告)号：FR3039014A1

公开(公告)日：2017-01-20

申请号：FR1556647

申请日：2015-07-13

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/74 ,  H04M3/18

Abstract: L'invention concerne une structure de protection d'interface SLIC de ligne téléphonique (3, 5) contre des surtensions inférieures à un seuil négatif ou supérieures à un seuil positif, comprenant au moins un thyristor (32, 34) connecté entre chaque conducteur de la ligne téléphonique et un potentiel de référence (GND), dans laquelle pour tous les thyristors une métallisation correspondant à l'électrode principale côté gâchette est en contact, par l'intégralité de sa surface, avec une région semiconductrice correspondante ; et la gâchette (36, 38) est connectée directement à une source de tension (58) définissant l'un desdits seuils.