公开(公告)号：FR3036534A1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1554494

申请日：2015-05-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel de puissance comportant des premier (AGT) et second (TH) thyristors connectés en antiparallèle entre des première (A1) et deuxième (A2) bornes de conduction du commutateur, le premier thyristor (AGT) étant un thyristor à gâchette d'anode, le second thyristor (TH) étant un thyristor à gâchette de cathode, et les gâchettes (GAGT, GTH) des premier (AGT) et second (TH) thyristors étant reliées à une même borne de commande (G) du commutateur, dans lequel au moins une diode (C1, C2) ou au moins une résistance (C1, C2) sépare la gâchette (GAGT) du premier thyristor (AGT) de la gâchette (GTH) du second thyristor (TH).

公开(公告)号：FR3036001A1

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：FR1554010

申请日：2015-05-05

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： HAGUE YANNICK

IPC: H01L29/06

Abstract: L'invention concerne un commutateur (200) comportant trois composants (1001, 1002, 1003) comportant chacun : un empilement de trois régions semiconductrices (102, 104, 106) de types alternés ; et une région de commande (108) de type opposé à celui de la première région (102), dans lequel : les premières régions (102) des premier et deuxième composants sont de même type et les premières régions (102) des premier et troisième composants sont de types opposés ; la première région (102) du premier composant est connectée aux régions de commande (108) des deuxième et troisième composants ; les premières régions (102) des deuxième et troisième composants sont connectées à une borne (A1) ; les troisièmes (106) régions des premier, deuxième et troisième composants sont connectées à une borne (A2) ; et la région de commande (108) du premier composant est connectée à une borne (G).