公开(公告)号：FR3036534A1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1554494

申请日：2015-05-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel de puissance comportant des premier (AGT) et second (TH) thyristors connectés en antiparallèle entre des première (A1) et deuxième (A2) bornes de conduction du commutateur, le premier thyristor (AGT) étant un thyristor à gâchette d'anode, le second thyristor (TH) étant un thyristor à gâchette de cathode, et les gâchettes (GAGT, GTH) des premier (AGT) et second (TH) thyristors étant reliées à une même borne de commande (G) du commutateur, dans lequel au moins une diode (C1, C2) ou au moins une résistance (C1, C2) sépare la gâchette (GAGT) du premier thyristor (AGT) de la gâchette (GTH) du second thyristor (TH).

公开(公告)号：FR3092698A1

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：FR1901349

申请日：2019-02-11

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L29/40

Abstract: Assemblage comportant un composant vertical de puissance monté sur une plaque métallique de connexion La présente description concerne un assemblage comportant : - un composant vertical de puissance (100) comportant un substrat semiconducteur (101), une première électrode (A2) en contact avec une face inférieure du substrat (101), et une deuxième électrode (A1) en contact avec une face supérieure du substrat (101) ; - une plaque métallique de connexion (150) disposée du côté de la face inférieure du substrat (101) ; et - une entretoise métallique (140) comportant une face inférieure soudée à la plaque métallique de connexion (150) et une face supérieure soudée à la première électrode (A2) du composant vertical de puissance, l'entretoise métallique (140) étant en le même métal que la plaque métallique de connexion (150). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3049769A1

公开(公告)日：2017-10-06

申请号：FR1652823

申请日：2016-03-31

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/74

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).

公开(公告)号：FR3049768A1

公开(公告)日：2017-10-06

申请号：FR1652822

申请日：2016-03-31

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L23/62 ,  H01L29/87

Abstract: L'invention concerne un triac (40) à structure verticale comprenant, du côté de la face supérieure d'un substrat (43) en silicium : une métallisation principale (A1) dont une première partie repose sur une première région (47) d'un premier type de conductivité formée dans une couche (45) du deuxième de type de conductivité, et dont une deuxième partie repose sur une partie de ladite couche ; une métallisation de gâchette (G) reposant sur une deuxième région (51) du premier type de conductivité formée dans ladite couche (45), au voisinage de la première région (47) ; et au moins un barreau (57) de silicium poreux formé dans ladite couche, une première extrémité (57A) dudit barreau étant en contact avec la métallisation de gâchette, et la deuxième extrémité (57B) dudit barreau étant en contact avec la métallisation principale.

公开(公告)号：FR3049770A1

公开(公告)日：2017-10-06

申请号：FR1652824

申请日：2016-03-31

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (21) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (21) étant apte à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).