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公开(公告)号：FR3046495A1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：FR1563457
申请日：2015-12-30
Inventor： ROY FRANCOIS , GUILLON MARIE , CAZAUX YVON , RODRIGUES BORIS , ROCHAS ALEXIS
IPC: H01L27/146 , G01S17/08 , H04N13/00
Abstract: L'invention concerne un pixel (40) de détection de temps de vol comprenant une zone photosensible (PD) comportant une première couche (43) dopée N1 ; une zone de collection de charges (47) s'étendant dans la première couche et étant plus fortement dopée N2 que la première couche ; au moins deux zones de stockage de charges (mem1, mem2, mem3, mem4) s'étendant à partir de la zone de collection et comprenant chacune un premier caisson (51) plus fortement dopé N3 que la zone de collection et séparé de ladite zone de collection par une première portion (59) de la première couche revêtue d'une première grille (61), chaque zone de stockage de charges étant délimitée latéralement par deux électrodes conductrices isolées (53), parallèles et en vis-à-vis ; et une deuxième couche (45) fortement dopée P+ revêtant le pixel à l'exception de chaque portion (59, 65) de la première couche revêtue d'une grille (61, 67).
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公开(公告)号：FR3046494A1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：FR1662341
申请日：2016-12-12
Inventor： ROY FRANCOIS , CAZAUX YVON , GUILLON MARIE , RODRIGUES BORIS , GIFFARD BENOIT
Abstract: L'invention concerne un pixel (40) comprenant un substrat semiconducteur comportant : une zone photosensible comportant une première couche dopée d'un premier type et une zone de collection de charges (45) plus fortement dopée du premier type que la première couche et s'étendant à travers la première couche ; au moins deux zones de stockage de charges (mem1, mem2, mem3) comprenant chacune un caisson plus fortement dopé du premier type que la zone de collection (45) et séparé de la zone de collection (45) au moins par une première portion de la première couche revêtue d'une première grille (59), chaque zone de stockage (mem1, mem2, mem3) étant délimitée latéralement par deux électrodes conductrices isolées (49), parallèles et en vis-à-vis l'une de l'autre ; et une deuxième couche (47) dopée du deuxième type (P+) revêtant la zone de collection et les zones de stockage de charges.
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公开(公告)号：FR3043495A1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：FR1560701
申请日：2015-11-09
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： GUYADER FRANCOIS , ROY FRANCOIS
IPC: H01L27/146
Abstract: Le capteur d'images intégré (CAP) adapté à un mode de commande dit à obturation globale est du type à illumination face arrière. Il comprend un substrat semi-conducteur (1) et une pluralité de pixels (Pi, Pi+1), chaque pixel comportant une zone photosensible (5), une zone de stockage (8), une zone de lecture (10) et des zones de transfert de charges (11, 23) entre ces différentes zones. Le capteur d'image comporte en outre pour chaque pixel (Pi, Pi+1), des moyens de protection (MP) s'étendant au moins en partie dans le substrat (1) depuis sa face arrière et configurés pour assurer une protection de la zone de stockage (8) contre ladite illumination face arrière.
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公开(公告)号：FR3043250A1
公开(公告)日：2017-05-05
申请号：FR1560422
申请日：2015-10-30
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： ROY FRANCOIS , ARE PHILIPPE
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant un circuit de commande et une pluralité de pixels (300), chaque pixel comportant : une zone photosensible (PD), une zone de stockage (SD) sensiblement rectangulaire adjacente à la zone photosensible, et une zone de lecture (315) ; des première et deuxièmes électrodes (309, 311) verticales isolées connectées électriquement l'une avec l'autre, en vis-à-vis l'une de l'autre, et délimitant la zone de stockage, la première électrode s'étendant entre la zone de stockage et la zone photosensible, la deuxième électrode comprenant un prolongement coudé (311B) en regard d'une première extrémité de la première électrode, la zone de stockage débouchant sur la zone photosensible du côté de la première extrémité, le circuit de commande étant adapté à appliquer un premier potentiel aux première et deuxième électrodes pour effectuer un transfert de charges, et un deuxième potentiel pour bloquer ledit transfert.
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公开(公告)号：FR3052296A1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：FR1655152
申请日：2016-06-06
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： ROY FRANCOIS
IPC: H01L27/148
Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une pluralité de pixels comprenant chacun une zone photosensible (11), une première zone mémoire (31), une deuxième zone mémoire (131), et une première électrode isolée (16) adaptée à contrôler un transfert de charges de la zone photosensible (11) vers la première zone mémoire (31) ; et des moyens de traitement adaptés, pour chaque pixel, à fournir un signal de sortie caractéristique de la différence entre les charges stockées dans la première zone mémoire (31) et la deuxième zone mémoire (131) après le transfert de charges vers la première zone mémoire (31).
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3027732B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：FR1460301
申请日：2014-10-27
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS
Inventor： CAZAUX YVON , ROY FRANCOIS , GUILLON MARIE , LAFLAQUIERE ARNAUD
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：FR3135160B1
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：FR2204145
申请日：2022-05-02
Applicant: STMICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： ROY FRANCOIS
Abstract: Procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques comprenant la croissance par épitaxie, sur chaque première couche (18) de premières couches d'un premier matériau semiconducteur recouvrant un premier support (20) et espacées les unes des autres, d'une deuxième couche (24) en un deuxième matériau, et la croissance par épitaxie sur chaque deuxième couche, d'un empilement (26) de couches semiconductrice comprenant une troisième couche (28) au contact physique de la deuxième couche, la séparation de chaque empilement par rapport à la première couche par gravure de la deuxième couche par une gravure sélective à la fois par rapport aux premier et troisième matériaux, et le report des empilements sur un deuxième support, chacun des premier et troisième matériaux étant un composé III-V ou II-VI. Figure pour l'abrégé : Fig 6
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公开(公告)号：FR3046295A1
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：FR1563379
申请日：2015-12-28
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： ROY FRANCOIS , WEHBE-ALAUSE HELENE , NOBLANC OLIVIER
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un pixel (30) à éclairement par la face arrière comprenant un substrat semiconducteur (31) d'un premier type de conductivité revêtu, du côté de la face avant du pixel, d'un ensemble tricouche (33) comportant successivement une couche (35) du deuxième type de conductivité, une couche isolante (37) et une couche semiconductrice (39), cet ensemble tricouche étant interrompu dans une partie centrale du pixel par une région de transfert (47) du premier type de conductivité délimitée latéralement par un mur conducteur isolé (49) s'étendant à partir de la face avant, des transistors (RST, SF) étant formés dans la couche semiconductrice.
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公开(公告)号：FR3049389A1
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：FR1652441
申请日：2016-03-22
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： ROY FRANCOIS
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un pixel (71) comprenant une couche semiconductrice (33) ; une zone d'accumulation de charges (35) s'étendant dans la couche semiconductrice ; un transistor (45) dont une région de source ou de drain (41) pénètre dans ladite couche sur une première profondeur ; un mur d'isolement (49) pénétrant dans ladite couche à partir de sa face supérieure et contenant un conducteur (15) isolé (17) relié à un noeud d'application d'un potentiel (CTRL1, CTRL2), le mur comportant au moins une partie (49B,) munie d'un bouchon isolant profond (73) pénétrant dans le conducteur sur une deuxième profondeur supérieure à la première profondeur ; et une portion (49) continue du mur délimitant latéralement au moins partiellement la zone d'accumulation de charges (35), et comprenant une partie (49B) de mur à bouchon profond (73) délimitant latéralement au moins partiellement la région de source ou de drain (41) dudit transistor (45).
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公开(公告)号：FR3036850A1
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：FR1554966
申请日：2015-06-01
Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： ROY FRANCOIS
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention est relative à un capteur d'image de type face arrière comprenant une matrice de photosites dans une couche active (10) ; une couche d'interconnexion (16) couvrant la couche active ; et une couche de germanium (20) entre la couche active et la couche d'interconnexion.
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