公开(公告)号：EP2930583A3

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：EP15160418.8

申请日：2015-03-23

Applicant: STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics Pvt. Ltd.

Inventor： Blanc, Jean-Pierre ,  Singh, Pratap Narayan

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/16 ,  G05F3/26 ,  G05F3/267 ,  G05F3/30

Abstract: L'invention concerne un circuit de génération d'une tension de référence (V OUT ), comprenant une première source de courant (M4) en série avec un premier transistor bipolaire (Q8) ; une deuxième source de courant (M5) en série avec une première résistance (R8) ; une troisième source de courant (M6) en série avec un deuxième transistor bipolaire (Q9), la troisième source de courant étant en miroir de courant avec la première source de courant ; une deuxième résistance (R9) entre la base du deuxième transistor bipolaire (Q9) et le point de connexion entre la deuxième source de courant et la première résistance ; et une quatrième source de courant (M7) en série avec une troisième résistance (R10), le point de connexion entre la quatrième source de courant (M7) et la troisième résistance (R10) définissant une borne de tension de référence (V OUT ).

公开(公告)号：EP2930583B1

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：EP15160418.8

申请日：2015-03-23

Applicant: STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics Pvt. Ltd.

Inventor： Blanc, Jean-Pierre ,  Singh, Pratap Narayan

IPC: G05F3/26 ,  G05F3/30

公开(公告)号：EP2930583A2

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：EP15160418.8

申请日：2015-03-23

Applicant: STmicroelectronics SA ,  STMicroelectronics Pvt. Ltd.

Inventor： Blanc, Jean-Pierre ,  Singh, Pratap Narayan

IPC: G05F3/30

CPC classification number: G05F3/16 ,  G05F3/26 ,  G05F3/267 ,  G05F3/30

Abstract: L'invention concerne un circuit de génération d'une tension de référence (V OUT ), comprenant une première source de courant (M4) en série avec un premier transistor bipolaire (Q8) ; une deuxième source de courant (M5) en série avec une première résistance (R8) ; une troisième source de courant (M6) en série avec un deuxième transistor bipolaire (Q9), la troisième source de courant étant en miroir de courant avec la première source de courant ; une deuxième résistance (R9) entre la base du deuxième transistor bipolaire (Q9) et le point de connexion entre la deuxième source de courant et la première résistance ; et une quatrième source de courant (M7) en série avec une troisième résistance (R10), le point de connexion entre la quatrième source de courant (M7) et la troisième résistance (R10) définissant une borne de tension de référence (V OUT ).

Abstract translation: 本发明涉及一种参考电压产生电路（VOUT），其包括与第一双极晶体管（Q8）串联的第一电流源（M4）; 与第一电阻器（R8）串联的第二电流源（M5）; 与第二双极晶体管（Q9）串联的第三电流源（M6），所述第三电流源与所述第一电流源处于电流镜中; 在第二双极晶体管（Q9）的基极和第二电流源与第一电阻器之间的连接点之间的第二电阻器（R9） 和串联的第四电流源（M7）与第三电阻器（R10），所述第四电流源（M7）和所述第三电阻器（R10），其限定一个参考电压端（VOUT）之间的连接点。