公开(公告)号：CN119670651A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410890327.4

申请日：2024-07-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  原真佐树 ,  并木亮太 ,  佐藤绫子 ,  玉木贤也

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明提供一种等效电路，等效电路(1)包括：具有第一静电电容的第一静电电容部(5)；与第一静电电容部(5)并联连接的电路部(11)，该电路部(11)具有电感成分、静电电容成分和电阻，并且电感成分、静电电容成分和电阻串联连接；和设置在第一静电电容部(5)与电路部(11)之间的、具有第二静电电容的第二静电电容部(7)，第一静电电容部(5)的第一静电电容根据施加至该第一静电电容部(5)的直流电压的电压值而变化，第二静电电容部的第二静电电容根据施加至第一静电电容部(5)的直流电压的电压值而变化，并且具有第一静电电容部(5)的第一静电电容的N倍的正的第二静电电容，其中，N＞0。

公开(公告)号：CN119495510A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410898091.9

申请日：2024-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  增田健一郎 ,  吉山铁也 ,  有泉琢磨 ,  朝日敏夫

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。该电介质组合物包含主相颗粒和偏析颗粒，偏析颗粒的至少一部分为含有Ba、Mg、Si及O的Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒，将Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒中的金属元素及Si的合计设为100摩尔份时，Ba‑Mg‑Si‑O偏析颗粒中的Ba、Mg及Si的合计为70摩尔份以上。

公开(公告)号：CN117790182A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311201350.X

申请日：2023-09-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 秋场博树 ,  高桥哲弘 ,  井口俊宏

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。所述电介质组合物含有以原子比计由(Ba1‑xSrx)aRbZrcTadO30+0.5e表示的钨青铜型复合氧化物作为主成分。c＝(2a+3b‑10)‑e、d＝(20‑2a‑3b)+e。R为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及Sc中的至少一种元素。0.000≤x≤0.500、5.100≤a≤5.860、0.000≤b≤0.100、‑0.150≤e≤0.150。

公开(公告)号：CN115910604A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211122354.4

申请日：2022-09-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥哲弘 ,  井口俊宏 ,  秋场博树 ,  野村凉太

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明为一种电介质组成物，其包含由(BaxSr(1‑x))mTa4O12表示的主成分和第一副成分，m为1.95≤m≤2.40，第一副成分为硅和锰，将电介质组成物中的主成分的含量设为100摩尔份时，电介质组成物中的硅的含量按SiO2换算为5.0～20.0摩尔份，电介质组成物中的锰的含量按MnO换算为1.0～4.5摩尔份。

公开(公告)号：CN113745003B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202110452626.6

申请日：2021-04-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 斋藤真也 ,  玉木贤也 ,  安藤德久 ,  伊藤信弥 ,  增田朗丈 ,  矢泽广祐 ,  佐藤佳树 ,  小林一三 ,  井口俊宏

IPC: H01G4/40 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38 ,  H01G4/232 ,  H01G4/236 ,  H01G4/224 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种安全性高的电子部件。电子部件(10)具有：形成有端子电极(22、24)的多个电容器芯片(20a、20b)；具有能够收容电容器芯片(20a、20b)的收容凹部(72a、72b)的绝缘壳体(70)；被固定于绝缘壳体(70)且与电容器芯片(20a、20b)的第二端子电极(24、24)连接的第一导电性端子(30a、30b)；将电容器芯片(20a、20b)彼此电连接的熔断器(80)。

公开(公告)号：CN113045306A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011497129.X

申请日：2020-12-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  森崎信人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种密度高，并且呈现较高的强度的电介质组合物。电介质组合物包含主相和Ca‑RE‑Si‑O偏析相。主相包含以ABO3表示的主成分，A包含选自钡及钙中的至少任意一种，B包含选自钛及锆中的至少任意一种，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的(Si/Ca)摩尔比及(Si/RE)摩尔比分别大于1，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的长轴的平均长度为主相的平均粒径的1.30～2.80倍，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的短轴的平均长度为主相的平均粒径的0.21～0.48倍。

公开(公告)号：CN110310830A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910133064.1

申请日：2019-02-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供例如由于高电压或高电流产生短路现象之后，即使向该电容器流通电流也能够维持绝缘性的层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电子部件具有电介质层(10)和内部电极层(12)交替层叠而形成的元件主体(4)。电介质层(10)含有以(Ba1-a-bSraCab)m(Ti1-c-dZrcHfd)O3表示的钙钛矿型化合物作为主成分，相对于主成分100摩尔，电介质层(10)含有2.5摩尔以上的第一副成分，第一副成分含有硼氧化物及/或锂氧化物，内部电极层(12)含有铜及/或银作为主成分。

公开(公告)号：CN103288449B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201310063259.6

申请日：2013-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  吉井彰敏 ,  小岛达也 ,  高木敏志

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/50 ,  C01G33/006 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6263 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/9615 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-D2O5+y进行表示并具有钨青铜结构的化合物和M的氧化物。A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，D是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞0的关系，M是选自Al、Si、B以及Li中的至少一个。优选进一步具有Mg的氧化物。

公开(公告)号：CN103288448B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201310063175.2

申请日：2013-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  吉井彰敏 ,  小岛达也 ,  高木敏志

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9615 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中，A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1、y＞1.000的关系。该介电体陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。

公开(公告)号：CN103288452A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310064017.9

申请日：2013-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  吉井彰敏 ,  小岛达也 ,  高木敏志

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  H01G4/12 ,  H01G7/02

CPC classification number: C04B35/50 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/9615 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明所涉及的电介质陶瓷组合物具备以通式{A1-x（RE）2x/3}y-B2O5+y表示并具有钨青铜结构的化合物。上述式中A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，B是Nb以及/或者Ta，RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，x以及y满足0＜x＜1；y＜1.000的关系。该电介质陶瓷组合物优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。