公开(公告)号：CN112789734B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201980065117.9

申请日：2019-04-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H10D48/40

Abstract: 该磁性元件具备：第一铁磁性层；和第一配线，其在第一方向上与所述第一铁磁性层面对面，所述第一配线具有：配线部，其在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；和扩宽部，其从所述第一方向观察，与所述第二方向交叉的第三方向的宽度比所述配线部宽，所述配线部的所述第三方向的中心位置与所述第一铁磁性层的所述第三方向的中心位置不同。

公开(公告)号：CN116867350A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310857530.7

申请日：2020-02-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芦田拓也 ,  佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。

公开(公告)号：CN111052398B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201880052140.X

申请日：2018-08-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须田庆太 ,  佐佐木智生

IPC: H01L29/82 ,  H10B61/00 ,  H01L27/105 ,  H10N50/10

Abstract: 本实施方式涉及的自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向发生变化；自旋轨道转矩配线，其沿与上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，并与上述铁磁性金属层接合；和两个通孔配线，其从上述自旋轨道转矩配线的与上述铁磁性金属层相反侧的表面沿交叉的方向延伸，并与半导体电路连接，上述两个通孔配线的上述第一方向的通孔间距离比上述铁磁性金属层的上述第一方向的宽度短。

公开(公告)号：CN110476211B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201880000891.7

申请日：2018-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。

公开(公告)号：CN110352456B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880000800.X

申请日：2018-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/20 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，在具备沿第一方向延伸的通电部、和层叠于所述通电部的一面且含有非磁性层和铁磁性层的元件部的自旋元件中，在将施加脉冲的脉冲宽度设为t时，沿所述通电部的所述第一方向负载由规定的关系式(1)表示的能量E以下的能量。E＝(A+BtC)‑1+D……(1)在所述关系式(1)中，A、B、C、D是根据所述非磁性层决定的常数。

公开(公告)号：CN110895952B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201910858696.4

申请日：2019-09-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: G11C11/16 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明的一个方式的储备池元件包括：第1铁磁性层；相对于上述第1铁磁性层位于第1方向，且在从上述第1方向俯视时彼此隔着间隔地配置的多个第2铁磁性层；和位于上述第1铁磁性层与上述多个第2铁磁性层之间的非磁性层。

公开(公告)号：CN109427965B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201810995234.2

申请日：2018-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石谷优刚 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  H10N52/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种防止引起集成度的降低且能够容易地实现磁化旋转的自旋流磁化旋转元件。该自旋流磁化旋转元件具备：自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；第一铁磁性层，其沿着与上述自旋轨道转矩配线的上述第一方向交叉的第二方向配置；第一磁场施加层，其沿着上述第一铁磁性层的上述第一方向分开配置，且将辅助上述第一铁磁性层的磁化旋转的辅助磁场施加于上述第一铁磁性层。

公开(公告)号：CN115000291A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210181402.0

申请日：2022-02-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐振尭 ,  盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的该磁器件具备层叠体和绝缘体，所述层叠体具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和被所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层夹持的非磁性层，所述绝缘体覆盖所述层叠体的侧面的至少一部分，所述绝缘体在相较于所述层叠体的侧面的更靠外侧具有空间。

公开(公告)号：CN109427966B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201810997206.4

申请日：2018-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明的所涉及的自旋流磁化反转元件(100)具备：第1铁磁性金属层(101)，其能够改变磁化的方向；自旋轨道转矩配线层(102)，其接合于第1铁磁性金属层(101)并且在相对于第1铁磁性金属层(101)的法线方向交叉的方向上延伸，自旋轨道转矩配线层(102)包含B、C、Si、P中的至少一种轻元素L、以及Ar、Kr、Xe中的至少一种稀有气体元素。

公开(公告)号：CN108738371B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201880000876.2

申请日：2018-02-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 及川亨 ,  佐佐木智生 ,  盐川阳平 ,  柴田龙雄

IPC: H01L29/82 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。