公开(公告)号：CN110024149B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201780015599.8

申请日：2017-11-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐振尧 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。

公开(公告)号：CN114914211A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210108758.1

申请日：2022-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐振尧 ,  盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H01L23/373 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及一种磁器件。该磁器件具备：层叠体，其包括第1铁磁性层、第2铁磁性层和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持的非磁性层；第1绝缘层，其覆盖所述层叠体的侧面；和散热体，其以所述层叠体为基准位于所述第1绝缘层的外侧，所述层叠体的侧面与所述散热体的距离根据所述层叠体的层叠方向的位置而不同。

公开(公告)号：CN117135992A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202211514177.4

申请日：2022-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  唐振尧

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和非磁性层。所述非磁性层位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间。所述非磁性层具备第一中心区域和位于比所述第一中心区域靠外侧的第一外周区域。所述第一外周区域的最大厚度比所述第一中心区域的平均厚度厚。

公开(公告)号：CN110024149A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780015599.8

申请日：2017-11-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 唐振尧 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。