公开(公告)号：CN101964343B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010236329.X

申请日：2010-07-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 大森宽将

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种能够提高耐压并简化制造工序的半导体装置。半导体装置(1)具有形成有半导体元件(6)的元件区域(2)和形成于元件区域(2)外周的外周区域(3)。半导体装置(1)具有：n-型漂移区域(12)，其形成于元件区域(2)和外周区域(3)；多个p-型柱状区域(13)，其形成于元件区域(2)的n-型漂移区域(12)；多个p-型柱状耐压提高区域(23n)，其形成于外周区域(3)的n-型漂移区域(12)；以及多个电场缓和区域(24n)，其形成于p-型柱状区域(23n)的上部，电场缓和区域(24n)与相邻的电场缓和区域(24n)之间的间隔(Sn)在外周区域(3)的内侧和外侧不同。

公开(公告)号：CN102387637A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110257249.7

申请日：2011-09-01

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 石仓启太 ,  麻生真司

IPC: H05B37/02 ,  H02M3/28

Abstract: 提供LED驱动电路，即使在使LED调光用开关以较高的频率导通截止时也能够向LED输出固定电平的脉冲电流。该电路具有：电压变换部(1)，将输入电压变换为其它电压；将多个LED串联连接而成的第1LED组；开关元件(Q1)，根据LED调光用信号进行开关动作，由此使从电压变换部向第1LED组施加的其它电压断续；电流检测电阻(Rs)，检测流过第1LED组的电流；并联电路，将开关元件(Q2)和整流元件(D1)并联连接，第2开关元件和整流元件各自的一端与电流检测电阻连接，第2开关元件与第1开关元件同步进行导通截止动作；电压保持部(C1)，与第2开关元件及整流元件各自的另一端连接，对电流检测电阻中产生的电压进行保持；控制部(6)，根据电压保持部保持的电压，控制施加给第1LED组的其它电压。

公开(公告)号：CN102354705A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110351212.0

申请日：2009-12-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。

公开(公告)号：CN102332842A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110187910.1

申请日：2011-07-06

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松本刚幸

IPC: H02M7/5383

Abstract: 本发明提供能够降低损失和成本且实现小型化的谐振型逆变装置。谐振型逆变装置将从正侧输入线与负侧输入线之间提供的直流电源的直流电压变换为交流电压并输出，谐振型逆变装置具有：串联电路，其连接在正侧输入线与负侧输入线之间，由第1辅助开关、第1辅助电容器和第2辅助电容器构成；串联电路，其连接在正侧输入线与负侧输入线之间，由第2辅助开关和第1二极管构成；谐振电抗器，其连接在第1辅助电容器和第2辅助电容器的连接点与第2辅助开关和第1二极管的连接点之间；以及逆变电路，其连接在正侧输入线与负侧输入线之间，并联连接多个半桥电路而构成，该半桥电路由2个并联连接了谐振电容器的主开关串联连接而构成。

公开(公告)号：CN101828272B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880111730.1

申请日：2008-09-30

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 佐野武志 ,  塚越功二 ,  星野匡纪 ,  芳贺一纯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: F21V7/22 ,  H01L27/15 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在半导体发光装置中，由相向的一对第一侧壁部，和比第一侧壁部短并且在第一侧壁部之间相向设置的一对第二侧壁部形成凹部。在凹部的底面，设置有排列于第一侧壁部方向的多个发光元件。多个发光元件包括：发出第一色光的第一发光元件和，设置于多个发光元件中最接近第二侧壁部侧的第二发光元件。在所述凹部填充有包含荧光体的树脂部，该荧光体使第二色光的一部分进行波长变换而变换为第二色光的补色。

公开(公告)号：CN102281001A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110155545.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中村胜

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M2001/0032 ,  Y02B70/16

Abstract: 本发明提供在利用ESR较小的输出电容器的情况下也能够进行稳定动作且负载调节特性良好的开关电源装置。开关电源装置具有：高边MOSFET(11)，其与输入电压连接；斜波发生器(18)，其生成与高边MOSFET的开关频率同步的斜波信号；振幅信号生成部(第2反馈控制电路(2))，其生成与由斜波发生器生成的斜波信号的振幅对应的振幅信号(Comp)；以及第1反馈控制电路(1)，其根据由斜波发生器生成的斜波信号、大小与输出电压对应的反馈信号(FB)和第1基准电压(REF)，控制高边MOSFET的导通定时，并且，根据振幅信号、输入电压(Vin)和输出电压(Vout)，控制高边MOSFET的导通宽度。

公开(公告)号：CN102264179A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110131924.1

申请日：2011-05-20

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 木村研吾 ,  吉永充达

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B33/0815 ,  H05B33/0848

Abstract: 提供一种具有与输入电压变动或宽范围输入电压对应的调光功能的LED点亮装置，具有三端双向可控硅调光器，对交流输入电压进行相位控制；具有与三端双向可控硅调光器连接的多个绕组的开关变压器的一次绕组和开关元件的串联电路；控制电路，对开关元件进行导通截止控制；整流平滑电路，用第1整流元件对变压器的二次绕组中产生的电压整流并用第1平滑元件平滑；与整流平滑电路的输出连接的LED；电流检测部，检测流过LED的电流并输出电流检测信号；电压检测部，输出电压检测信号，该信号与对第1整流元件导通时在变压器的二次绕组或在产生与变压器的二次绕组成比例的电压的n次绕组(n≥3)中产生的交流输入电压的相位比率成比例；放大器，将基于电流检测信号和电压检测信号的信号放大并输出到控制电路。

公开(公告)号：CN101272655B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200810080555.6

申请日：2008-02-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 木村研吾

IPC: H05B41/282 ,  H02M7/48

CPC classification number: H05B41/2828 ,  H05B41/3927

Abstract: 本发明提供一种放电灯照明装置和半导体集成电路。其中，放电灯照明装置包括：三角波信号振荡器；第一控制部，用于对三角波信号与参考电压和对应于流过变压器的次级线圈的第一电流的电压之间的误差电压进行比较并且产生以大约180度相位差和对应于第一电流的脉冲宽度来导通/断开开关元件Qp1和Qn1的第一PWM控制信号；以及，第二控制部，用于对三角波信号与参考电压和对应于流过变压器T2的次级线圈S2的第二电流的电压之间的误差电压进行比较并且与第一PWM控制信号同步地以大约180度相位差和对应于第二电流的脉冲宽度导通/断开开关元件Qp2和Qn2。

公开(公告)号：CN102244174A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110108640.0

申请日：2011-04-28

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 杉森畅尚

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 在半导体发光功能层的一个面形成2个电极的结构的发光元件中，在长度方向上获得均匀的发光强度。半导体发光功能层(20)形成在Si基板(11)上，具有由n型GaN层(第1半导体层)(21)、MQW层(22)和p型GaN层(第2半导体层)(23)构成的层叠结构。在p型GaN层(23)的表面(一个主面)，以从另一个端部(左端部)侧向右端部侧延伸的形态形成有透明电极(31)。在该右端部侧的区域内形成有n侧电极(34)，在左端部侧的区域内形成有p侧电极(33)。透明电极(31)的宽度从左端部向右端部变宽。由此，在接近p侧电极(33)的侧在MQW层(22)内朝上下方向流动的电流的扩展受到透明电极(31)限制。

公开(公告)号：CN102222689A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110095110.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。