公开(公告)号：CN118891962A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028279.1

申请日：2023-03-08

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐野裕明 ,  东登志文 ,  井本晃 ,  山口贵史 ,  山元泉太郎

IPC: H05K1/09

Abstract: 布线基板具有由陶瓷构成的绝缘层、以及在绝缘层的内部沿平面方向延伸的导体层。导体层由以金属为主要成分的复数个微晶的烧结体构成，是在厚度方向致密质层、非致密质层以及致密质层按照该顺序层叠成层状的层状结构。

公开(公告)号：CN118891156A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380026772.X

申请日：2023-03-09

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小林直树 ,  触浩贵

IPC: B41J2/14

Abstract: 液体喷出头具备：流路构件，其具有第一面及位于与第一面相反一侧的第二面；以及加压部，其位于第一面上。流路构件具备：多个喷出孔，它们位于第二面；多个加压室，它们与多个喷出孔分别相连；共通流路，其与多个加压室共通地相连；以及减震室，其配置为与共通流路相邻，并隔着减震件而与共通流路隔开。减震室在与减震件对置的底壁中的至少一部分具有与其他部位相比厚度较厚的厚壁部。

公开(公告)号：CN118891137A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380025309.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 巽健人 ,  铃木悠

IPC: B25J13/08

Abstract: 信息处理装置是取得进行将存在于移动起点区域的作业对象物移动到移动目标区域的作业的机器人的控制所需的信息的信息处理装置。信息处理装置具备：显示部；和接受用户的输入的输入部。在显示部显示机器人的作业环境中检测到包含移动目标区域的候补的至少1个对象区域候补的第1检测结果、和检测到包含所述作业对象物的候补的至少1个对象物候补的第2检测结果的情况下，输入部接受从至少1个对象区域候补指定移动目标区域的移动目标指定输入。

公开(公告)号：CN118872203A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380022106.9

申请日：2023-01-31

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 野添惣一朗

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 降低利用兰姆波的弹性波装置的杂散。电极的至少一部分嵌入压电体的、利用兰姆波的弹性波装置。

公开(公告)号：CN118871229A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380026666.1

申请日：2023-03-31

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 菊池知直 ,  野野村航希

IPC: B22F1/054 ,  B22F1/06 ,  B22F1/07 ,  B22F1/102 ,  B22F1/103 ,  B22F1/16 ,  B22F7/08 ,  B22F9/00 ,  B22F9/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/04 ,  C22C32/00 ,  H01L21/52

Abstract: 一种铜粒子，其特征在于，在X射线衍射中，铜的密勒指数(111)中的晶粒直径SCu(111)相对于铜的密勒指数(220)中的晶粒直径SCu(220)的SCu(111)/SCu(220)比满足下述式(1)或下述式(2)：SCu(111)/SCu(220)＞1.4(1)；SCu(111)/SCu(220)＜1.2(2)。

公开(公告)号：CN114830448B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202080083294.2

申请日：2020-12-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 堀野慎太郎 ,  垣野正义

IPC: H01R12/71 ,  H01R13/6581

Abstract: 本公开的连接器(50)为安装在电路板(CB2)、且和具有第1屏蔽部件(40)的连接对象连接器(10)连接的连接器(50)，具备：绝缘体(60)；安装在绝缘体(60)的触点(70a)；在与触点(70a)相同的一侧安装在绝缘体(60)的第2屏蔽部件(80)；第2屏蔽部件(80)具有：在与连接对象连接器(10)和连接器(50)连接的连接方向正交的第1方向与触点(70a)邻接的基部(81b)，安装在电路板(CB2)且在基部(81b)的与触点(70a)的第1方向的相反的一侧形成的安装部(86b)，与第1屏蔽部件(40)接触且从安装部(86b)朝向连接方向的连接侧延伸的接触部(85b)。

公开(公告)号：CN118843929A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380029658.2

申请日：2023-03-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 高崎智弥

IPC: H01L21/683

Abstract: 试料保持工具具备陶瓷板、耐热构件以及基座构件。陶瓷板、耐热构件以及基座构件以陶瓷板、耐热构件、基座构件的顺序配置。耐热构件与陶瓷板相比热膨胀率较小，且未与陶瓷板接合。

公开(公告)号：CN118843612A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380026432.7

申请日：2023-03-16

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫田拓实 ,  上野隆宽 ,  丰田谕史

IPC: C04B35/119

Abstract: 耐热构件是一种烧结体，该烧结体含有包含氧化锆的第一晶体、和含量比第一晶体多的第二晶体。在烧结体的至少表面区域，第一晶体含有单斜晶和四方晶。在X射线衍射分析中，单斜晶的主峰强度大于四方晶的主峰强度。

公开(公告)号：CN115280516B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202180020185.0

申请日：2021-04-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 甲谷真吾

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417

Abstract: 半导体装置(A1)具备：半导体层(11)，具有沟槽(10)；绝缘膜(12)，覆盖沟槽的内表面(10a)；导电体(13)，埋设在被绝缘膜覆盖的沟槽内；以及肖特基结层(15)，与邻接于沟槽的半导体层表面(11a)形成肖特基结。导电体的表面(13a)位于比半导体层表面靠下的位置。半导体层表面在与沟槽的内壁面(10a1)邻接的部位具有越接近该内壁面、越向下位移的倾斜部(11a1)。

公开(公告)号：CN113614904B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202080023216.3

申请日：2020-03-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 竹岛祐城 ,  细井义博

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/12 ,  H05K3/18 ,  H05K3/24 ,  H05K3/38

Abstract: 提供一种能够抑制Ni膜的剥离的布线基板。还提供一种具备了这样的布线基板的电子装置以及电子模块。具备：包含AlN的绝缘基板，具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面；包含Cu的导体，位于第1面上；以及Ni膜，遍及导体的上表面、侧面以及第1面而设置。还具有散布在第1面上的多个Ti氧化物，Ni膜具有与Ti氧化物接触的部分。