公开(公告)号：JP2015520902A

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：JP2015514160

申请日：2013-05-22

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： エイ． デアース グレン ,  エイ． デアース グレン ,  アール． アンダーソン ウォーレン ,  アール． アンダーソン ウォーレン ,  ピー． カシェム アンワー ,  ピー． カシェム アンワー ,  ダブリュ． リーヴス リチャード ,  ダブリュ． リーヴス リチャード ,  プレーテ エドアルド ,  プレーテ エドアルド ,  アール． タルボット ジェラルド ,  アール． タルボット ジェラルド

IPC: G06F12/00

CPC classification number: G11C7/22 ,  G06F13/1689 ,  G06F13/4243 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076

Abstract: メモリサブシステム内でデータストローブ信号を有効にするための遅延をトレーニングするための様々な方法および装置の実施形態が開示される。一実施形態では、システムは、データストローブ信号を受信するように構成されたメモリコントローラを含む。メモリコントローラは、トレーニング回路を含む。トレーニング回路は、データ入力のデータストローブ信号と、クロック入力のイネーブル信号とを受信するように結合された第1の記憶回路と、第1のフリップフロップから受信した出力信号に基づき、イネーブル信号のアサーションがデータストローブ信号内のプリアンブル指示と一致するまで、イネーブル信号の位相を調整するように構成されたトレーニングユニットと、を含む。【選択図】図2

Abstract translation: 的用于训练延迟，以使在所述存储器子系统中的数据选通脉冲信号的各种方法和装置的实施例被公开。 在一个实施例中，系统包括配置成接收数据选通信号的存储器控​​制器。 存储器控制器包括训练电路。 训练电路中，基础和数据输入的数据选通信号时，第一存储电路，其耦合成接收使能时钟输入的信号，从所述第一触发器接收的输出信号，使能信号断言 蛾数据选通信号内部场前导指令门匹配制成，使能信号场相位WO调整到哟2个配置的其它训练单元门，它包含禾。 .The

公开(公告)号：JP5689965B2

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：JP2013520750

申请日：2011-07-14

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ディー．ナフチガー サミュエル ,  ディー．ナフチガー サミュエル ,  ジェイ．ヌスバウム セバスティアン ,  ジェイ．ヌスバウム セバスティアン

IPC: G06F1/28 ,  G06F1/32 ,  G06F9/50 ,  G06F15/78

CPC classification number: G06F1/324 ,  G06F1/3206 ,  G06F1/3243 ,  G06F1/329 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/172 ,  Y02D10/24

公开(公告)号：JP5688462B2

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：JP2013526155

申请日：2011-08-25

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ブラノーバー アレキサンダー ,  ブラノーバー アレキサンダー ,  スタインマン モーリス ,  スタインマン モーリス ,  エル． ビルヒャー ウィリアム ,  エル． ビルヒャー ウィリアム

IPC: G06F1/32 ,  G06F1/04 ,  G06F9/50

CPC classification number: G06F1/3215 ,  G06F1/3203 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/172

公开(公告)号：JP5680642B2

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：JP2012521868

申请日：2010-07-24

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ジー． ケーゲル アンドルー ,  ジー． ケーゲル アンドルー ,  ディー． ハンメル マーク ,  ディー． ハンメル マーク ,  ディー． グレイザー ステファン ,  ディー． グレイザー ステファン

IPC: G06F12/10

CPC classification number: G06F12/1081 ,  G06F3/0601 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/067 ,  G06F3/0683 ,  G06F12/0292 ,  G06F12/063 ,  G06F12/0868 ,  G06F12/0882 ,  G06F12/0897 ,  G06F12/1009

公开(公告)号：JP5679970B2

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：JP2011516338

申请日：2009-06-30

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ウェイ アンディ ,  ウェイ アンディ ,  ミュルフィンガー ロバート ,  ミュルフィンガー ロバート ,  スケイパー シロー ,  スケイパー シロー ,  カムラー トルシュテン ,  カムラー トルシュテン

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：JP5676759B2

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：JP2013516697

申请日：2011-06-21

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ディー．ナフチガー サミュエル ,  ディー．ナフチガー サミュエル ,  ピー．ペトリー ジョン ,  ピー．ペトリー ジョン ,  エイ．ヒューズ ウィリアム ,  エイ．ヒューズ ウィリアム

IPC: G06F1/32 ,  G06F1/04

CPC classification number: G06F1/3203 ,  G06F1/324 ,  G06F1/3296 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/172

公开(公告)号：JP5669734B2

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2011516287

申请日：2009-06-23

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： エス．ドダップカー アシュトシュ ,  エス．ドダップカー アシュトシュ ,  ジー．バトラー マイケル ,  ジー．バトラー マイケル

IPC: G06F12/08

CPC classification number: G06F9/3842 ,  G06F9/3834 ,  G06F12/0831

公开(公告)号：JP5666451B2

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2011524262

申请日：2009-08-28

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ホエンチェル ジャン ,  ホエンチェル ジャン ,  ウェイ アンディ ,  ウェイ アンディ ,  ベイヤー スヴェン ,  ベイヤー スヴェン

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

公开(公告)号：JP2015503161A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2014544823

申请日：2012-11-28

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： エル． シュミット マイケル ,  エル． シュミット マイケル ,  ジデュスリ ラダ ,  ジデュスリ ラダ

IPC: G06F9/45

CPC classification number: G06F8/41

Abstract: OpenCL(登録商標)フレームワーク内にライブラリを提供するためのシステム、方法及び媒体である。ライブラリソースコードは、中間表現にコンパイルされ、エンドユーザのコンピューティングシステムに配信される。コンピューティングシステムは、典型的に、CPUと、1つ以上のGPUとを含む。CPUは、ライブラリの中間表現を、GPU上で実行することをターゲットとした実行可能なバイナリにコンパイルする。CPUは、ホストアプリケーションを実行し、ホストアプリケーションは、バイナリからカーネルを呼び出す。CPUは、バイナリからカーネルを検索し、カーネルを実行のためにGPUに伝達する。【選択図】図5

Abstract translation: 的OpenCL（TM）系统的框架的方法和介质内提供一个库。 库的源代码被编译成中间表示，它被输送到计算系统的最终用户。 计算系统通常包括一个CPU，和一个或多个GPU。 的CPU，该库的中间表示，所述编译的可执行二进制文件的定位上执行GPU。 一个CPU，执行主机应用，主机应用程序，请从二进制内核。 CPU检索从二进制内核，和发送用于执行内核的GPU。 点域5

公开(公告)号：JP2015502039A

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：JP2014542328

申请日：2012-11-01

Applicant: アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated ,  アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated

Inventor： ティー． シュルツ リチャード ,  ティー． シュルツ リチャード

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897

Abstract: 半導体装置の製造方法は、絶縁マンドレルを、半導体基板上に置換金属ゲートを介して、ソース及びドレインを有する第1のゲート(104)と、第1のゲート(104)から分離された少なくとも1つの第2のゲート(104’)と共に形成するステップを有する。マンドレルスペーサ(124)は、絶縁マンドレルの周囲に形成される。マンドレル及びマンドレルスペーサは、第1の絶縁材料を含む。第2の絶縁材料の第2の絶縁層(126)は、トランジスタ上に形成される。絶縁マンドレル間の第2の絶縁材料を除去することによって、1つ以上の第1のトレンチを、第1のゲートのソース及びドレインに対して形成する。第2のゲートの上方の第1の絶縁材料及び第2の絶縁材料の部分を除去することによって、第2のトレンチを、第2のゲートに対して形成する。第1のトレンチ及び第2のトレンチに導電性材料を充填して、第1のゲートのソース及びドレインに対する第1のコンタクト(132)と、第2のゲートに対する第2のコンタクト(142)とを形成する。【選択図】図17

Abstract translation: 在半导体衬底上制造半导体器件，绝缘心轴，通过更换金属栅极的方法中，具有源极和漏极（104），其中至少一个第一栅极，从所述第一栅极分离（104） 包括与所述第二栅极（104“）一起形成的步骤。 心轴间隔件（124）围绕所述绝缘心轴形成。 该心轴和心轴间隔件包括第一绝缘材料。 的第二绝缘材料（126）的第二绝缘层在晶体管形成。 通过去除绝缘心轴之间的第二绝缘材料，一个或多个第一沟槽，以形成第一栅极的源极和漏极。 通过去除所述第一绝缘材料和在所述第二栅极的第二绝缘材料的一部分，第二槽形成到所述第二栅极。 通过填充在所述第一沟槽的导电材料和第二沟槽，所述第一接触到源极和所述第一栅极（132）的漏极，和第二接触到第二栅极（142） 地层。 .The 17