公开(公告)号：JP2005123583A

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：JP2004239311

申请日：2004-08-19

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： DE RIDDER CHRISTIANUS GERARDUS

IPC: B65G49/07 ,  G01R1/00 ,  G01R31/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: G01R31/2893

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate holder system and a loading method for enabling effective loading and unloading of a substrate for the processing thereof in a process chamber.
SOLUTION: The circumference of a wafer support preferably extends continuously and completely over the range of 360°, and the size thereof is determined so that it fits between the projections for supporting a specific wafer within a wafer cassette. An end effector removes the wafer support from a wafer boat and moves the wafer support into the wafer cassette, and the end effector moves upward to place the wafer on the wafer support in the wafer cassette. Then, the wafer and the wafer support are transferred to the wafer boat. The wafer and the wafer support are lowered onto the wafer slot surface within a wafer slot in the wafer boat to transfer the wafer and the wafer support to the wafer boat from the end effector.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种衬底保持器系统和用于使得能够有效地装载和卸载用于其在处理室中进行处理的衬底的装载方法。 解决方案：晶片支撑件的圆周优选在360°的范围内连续且完全地延伸，并且其尺寸被确定为使得它适配在用于支撑晶片盒内的特定晶片的突起之间。 端部执行器从晶片舟皿移除晶片支撑件并将晶片支撑件移动到晶片盒中，并且末端执行器向上移动以将晶片放置在晶片盒中的晶片支撑件上。 然后，将晶片和晶片支撑件转移到晶片舟皿。 将晶片和晶片支撑件下降到晶片舟皿中的晶片槽内的晶片槽表面上，以将晶片和晶片支撑件从端部执行器传送到晶片舟皿。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005051205A

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：JP2004171168

申请日：2004-06-09

Applicant: Asm Internatl Nv ,  アーセーエム インターナショナル エン.フェー.ASM International N.V.

Inventor： SNIJDERS GERT-JAN

IPC: H01L21/205 ,  B01J4/00 ,  F16K11/02

CPC classification number: B01J4/02 ,  F16K11/022 ,  Y10T137/4259 ,  Y10T137/8667 ,  Y10T137/87249

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas supply system which can block reactants without influences of a dead space and tolerates lowering of sealing between a valve member and a valve seat without lowering the separation of pulses, while can be operated so as to output suitably separated pulses of the reactants. SOLUTION: The gas supply system comprises a first valve 10 which is a 4-port diaphragm valve, and a second valve (not shown) which is arranged so that it allows a first port 30 to communicate with a discharge portion through fluid with the first valve 10 being open and that the fluid communication is stopped with the first valve 10 being closed. In a state where the reactants are flowed, the first valve 10 is open while the second valve is closed, and in a purged state, the first valve 10 is closed while the second valve is open. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种气体供应系统，其可以阻止反应物而不影响死区，并且允许在阀构件和阀座之间的密封降低而不降低脉冲的分离，同时可以如 以输出适当地分离的反应物的脉冲。

解决方案：气体供应系统包括第一阀10，其是4端口隔膜阀，以及第二阀（未示出），其布置成使得其允许第一端口30通过流体与排出部分连通 第一阀10打开并且第一阀10关闭时流体连通被停止。 在反应物流动的状态下，第一阀10打开，而第二阀关闭，并且在清除状态下，第一阀10关闭，而第二阀打开。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004164648A

公开(公告)日：2004-06-10

申请号：JP2003382932

申请日：2003-11-12

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： ZHENDUO LIU ,  HUUSSEN FRANK

IPC: H01L21/324 ,  G05B11/42 ,  G05B13/02 ,  G05B13/04 ,  G05D23/19

CPC classification number: G05B13/0275 ,  G05B11/42 ,  G05B13/04

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a control system comprising thermal processing equipment of semiconductor substrates, such as a hybrid cascade MBPC (Model-Based Predictive Control) for a vertical thermal reactor and conventional control system. SOLUTION: In order to achieve effective dynamic linear models, a target temperature control range is divided into a plurality of temperature sub-ranges. For every temperature sub-range, and for every heating zone, a corresponding dynamic model is identified. During temperature ramp up/down, the control system is provided with a fuzzy control logic and inference engine for automatically switching the dynamic models according to the actual temperature. When thermocouple (TC) temperature measurement fails, a software soft sensor based on dynamic model computing is used to replace an actual TC sampling in a fixed position for a control system input. Consequently, when a TC failure occurs during a process, the process can be completed without loss of the semiconductor substrate being processed. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP2004031915A

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：JP2003070222

申请日：2003-03-14

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： DE RIDDER CHRISTIANUS GERARDUS ,  OOSTERLAKEN THEODORUS GERARDUS ,  HUUSEN FRANK

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved sleeve for a process tube.
SOLUTION: This supporting sleeve is provided with one or more annular channels 120, 126, 124, and 122, and each channel is connected to either a gas feeding part or an evacuation part. An annular channel 120 is opened to an upper face 108 of the sleeve, and a process tube is supported on the upper face 108, and gas or a vacuum seal is provided between the process tube and the support sleeve. Another annular channel 124 is connected to the gas feeding part 114, and provided with gas injecting holes 134 uniformly arranged along an inner face 106 of the supporting sleeve so that process gas can be cylinder-symmetrically injected to the process tube. Another annular channel 126 is connected to a gas discharging part, and provided with gas discharging holes 132 uniformly arranged along the circumference of the supporting sleeve so that the process gas can be cylinder-symmetrically discharged from the process tube.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP2019212911A

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：JP2019104246

申请日：2019-06-04

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： デ リッデル,クリス ヘー.エム. ,  オーステルラケン,テオドルス ヘー.エム. ,  ハルセン,アードリアーン

IPC: H01L21/673

Abstract: 【課題】ダミー・ウエハのための改善された保管解決策を提供すること。 【解決手段】ダミー・ウエハを保管するためのダミー・ウエハ保管カセット。ダミー・ウエハ保管カセットは、ダミー・ウエハを収容するための30個を越えるスロットを有し得る。ダミー・ウエハ・カセットは、25個のウエハ・スロットを備えた標準化ウエハ・カセットと実質同じ外側寸法を有することができ、ダミー・ウエハ保管カセットのウエハ・スロットのピッチは、標準化ウエハ・カセットにおけるウエハ・スロット間のピッチよりも小さくし得る。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019176155A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2019063858

申请日：2019-03-28

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： デ リッデル,クリス ヘー.エム. ,  ユディラ,ルシアン セー. ,  リンデボーム,バートロメウス ハンス ルイス

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677

Abstract: 【課題】底板と複数の割出し位置間で回転可能な回転テーブルとを備えるウェーハ・ボート冷却デバイスを提供すること。 【解決手段】回転テーブルは、ウェーハ・ボートを支持するための少なくとも2つのウェーハ・ボート位置を含む。垂直に延在する壁構造が、回転テーブルに取り付けられて、各ウェーハ・ボート位置において、ガス供給領域およびガス排出領域を有するウェーハ・ボート・チャンバを形成する。ウェーハ・ボート冷却デバイスは、底板の下に延在するプレナム・チャンバをさらに備える。プレナム・チャンバは、少なくとも1つのガス/液体熱交換器を収容する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6116559B2

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：JP2014520157

申请日：2012-07-13

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： フェルモント,パスカル フスターフ ,  ファン フェルゼン,ヴィルヘルムス ヘラルドゥス ,  クズネツォフ, フェラディミル イヴァノヴィッチ ,  フラネマン,アーンスト ヘンドリク アウヒュスト ,  ラミレズ,トロクスレル, ホンザロ フェリィペ

IPC: H01L21/677 ,  B65G51/03 ,  C23C16/458 ,  H01L21/31 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67276 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/67784 ,  H01L22/26

公开(公告)号：JP5982098B2

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：JP2011126706

申请日：2011-05-20

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： ピーレークス, ディーテル

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP5554742B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2011083429

申请日：2011-04-05

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： アーサー シャーマン

IPC: B01J19/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C30B25/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  C30B25/14

公开(公告)号：JP5207690B2

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：JP2007235613

申请日：2007-09-11

Applicant: インテルユニフェルシタイル マイクロ−エレクトロニカ セントリューム (イーエムエーセー) フェーゼットヴェー ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： アレッサンドラ サッタ ,  カレン マエクス ,  カイ−エリク エレルス ,  ビッレ アンテロ サーニラ ,  ペッカ ユハ ソイニネン ,  スビ ペー． ハウッカ

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/08 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods are disclosed for selective deposition on desired materials. In particular, barrier materials are selectively formed on insulating surfaces, as compared to conductive surfaces. In the context of contact formation and trench fill, particularly damascene and dual damascene metallization, the method advantageously lines insulating surfaces with a barrier material. The selective formation allows the deposition to be "bottomless," thus leaving the conductive material at a via bottom exposed for direct metal-to-metal contact when further conductive material is deposited into the opening after barrier formation on the insulating surfaces. Desirably, the selective deposition is accomplished by atomic layer deposition (ALD), resulting in highly conformal coverage of the insulating sidewalls in the opening.