公开(公告)号：JP2012530904A

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：JP2012516352

申请日：2010-06-18

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： チェン・ホン ,  リン・ジェイソン・ゼット

IPC: G01N21/956 ,  G01N23/225 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N2021/95676 ,  G03F1/84 ,  H01L22/12

Abstract: １つの実施形態は、画像処理装置（３０２）を用いて自動的に多重アレイ領域（１０２）を同時に検査する方法に関する。 その方法は、多重アレイ領域における各アレイ領域が、サイズにおいて整数個の画素であるグレープ化されたセルを有するように、最適な画素サイズを選択するステップ（２１１または２１２）と、選択された最適な画素サイズになるように画像処理装置の画素サイズを調整するステップとを含む。 画素サイズの有効な範囲内の最適な画素サイズは、セルサイズが整数で表現される場合に、多重アレイ領域のセルサイズの最大公約数を見出すことにより究明されてもよい（２０２）。 事前設定された基準は、もしあれば、事前設定された基準に基づいて、最適な画素サイズのどれが容認できるのかを究明するために（２０８）適用されてもよい。 最適な画素サイズのどれも容認できないならば、アレイ領域の１つは、デジタル補間のためにマークされてもよい（２１６を参照）。 他の実施形態、態様、および特徴もまた開示される。
【選択図】図２

公开(公告)号：JP2012084886A

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：JP2011223782

申请日：2011-10-11

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： SHINICHI KOJIMA ,  CHRISTOPHER F BEVIS ,  ALLEN M CARROLL

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J37/305

CPC classification number: G03F7/70291

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an innovative layout of pixels of a pattern generating device of a reflection electron beam lithography device.SOLUTION: The embodiment relates to a device for drawing a pattern on an objective substrate. The device includes a plurality of arrays of pixels, with each array being offset from each other. In addition, the device includes a generation source 1202 and a lens for generating incident beam focused on a plurality of arrays, as well as a circuit for controlling the pixels in each array so that a pixel portion selectively reflects the incident beam, to form a patterned beam. The device further includes a projector 1214 for projecting the pattered beam onto the objective substrate. Other characteristics, modes, and embodiments are disclosed as well.

Abstract translation: 要解决的问题：提供反射电子束光刻装置的图案生成装置的像素的创新布局。 解决方案：本实施例涉及用于在目标基板上绘制图案的装置。 该装置包括多个像素阵列，每个阵列彼此偏移。 另外，该装置还包括一个发生源1202和用于产生聚焦在多个阵列上的入射光束的透镜，以及用于控制每个阵列中的像素的电路，使得像素部分选择性地反射入射光束，形成 图案光束。 该装置还包括用于将图示的光束投射到物镜基板上的投影仪1214。 还公开了其它特征，模式和实施例。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012504246A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：JP2011529361

申请日：2009-09-29

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： チュアン・ユン−ホ・アレックス ,  リュー・シュエフェン ,  レビンスキ・ウラディーミル

IPC: G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  G02B27/48

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N2021/479

Abstract: Illumination subsystems of a metrology system, metrology systems, and methods for illuminating a specimen for metrology measurements are provided.

公开(公告)号：JP2011176316A

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：JP2011036851

申请日：2011-02-23

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： GRELLA LUCA ,  FREED REGINA ,  MCCORD MARK A

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/305

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31789

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of controllably reflecting electrons from an array of electron reflectors to make electron beam projection lithography possible at low cost because of maskless processing, and a device of a dynamic pattern generation machine for reflective electron beam lithography. SOLUTION: An input electron beam is formed from an electron source, and the input beam is introduced into the array of electron reflectors. A first plurality of reflective plates are configured to reflect electrons in a first reflective mode in which reflected electrons coming out of the reflective plates form a focusing beam. A second plurality of reflective plates are configured to reflect electrons in a second reflective mode in which reflective electrons coming out of the reflective plates are defocused. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种从电子反射器阵列可控地反射电子的方法，以便由于无掩模处理而以低成本实现电子束投影光刻，以及用于反射电子束的动态图案生成机的装置 光刻。 解决方案：由电子源形成输入电子束，并将输入光束引入电子反射器阵列。 第一多个反射板被配置成以第一反射模式反射电子，其中从反射板出来的反射电子形成聚焦光束。 第二多个反射板被配置为以第二反射模式反射电子，其中从反射板流出的反射电子散焦。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011524635A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：JP2011513590

申请日：2009-06-05

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： エーデルスタイン・セルジオ ,  サイディン・ザイン ,  ナンジャングド・サビサ ,  フーケ・クリストフ ,  ヘス・カール

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

CPC classification number: G06T7/0006 ,  G01N21/956 ,  G03F7/705 ,  G06F17/5081 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための種々のシステムおよび方法が提供される。
【選択図】図１

Abstract translation: 提供用于检测晶片上的设计和处理缺陷的各种系统和方法，检查晶片上的缺陷，选择设计中的一个或多个特征以用作过程监控特征或其某些组合。

公开(公告)号：JP2011522418A

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：JP2011511748

申请日：2009-05-26

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： コワルスキ・マイケル ,  チェン・ステファニー ,  チェン・チエン−フエイ（アダム） ,  チェン・ホン ,  トゥマラ・スリャナラヤナ ,  バラクリシュナン・スブラマニアン ,  リート・マイケル・ジェイ． バン ,  ベッカー・バリー ,  マハー・クリス ,  リン・ジェイソン・ゼット．

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/8854

Abstract: Methods and systems for generating information to be used for selecting values for parameter(s) of a detection algorithm are provided. One method includes without user intervention performing a scan of an area of a wafer using an inspection system and default values for parameter(s) of a detection algorithm to detect defects on the wafer. The method also includes selecting a portion of the defects from results of the scan based on a predetermined maximum number of total defects to be used for selecting values for the parameter(s) of the detection algorithm. The method further includes storing information, which includes values for the parameter(s) of the detection algorithm determined for the defects in the portion. The information can be used to select the values for the parameter(s) of the detection algorithm to be used for the inspection recipe without performing an additional scan of the wafer subsequent to the scan.

公开(公告)号：JP2011520126A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：JP2011508679

申请日：2009-05-07

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： チャオ・グオヘン ,  ナサー・ゴシ・メヘラーン ,  バエズ−イラバニ・メヘディ

IPC: G01N23/227

CPC classification number: H01J37/244 ,  G01N2223/079 ,  G01N2223/086 ,  G01N2223/33 ,  H01J37/256 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/2511 ,  H01J2237/2807

Abstract: A spectrometer having an electron beam generator for generating an electron beam that is directed at a sample. An electron beam positioner directs the electron beam onto a position of the sample, and thereby produces a secondary emitted stream from the sample, where the secondary emitted stream includes at least one of electrons and x-rays. An secondary emitted stream positioner positions the secondary emitted stream onto a detector array, which receives the secondary emitted stream and detects both the amounts and the received positions of the secondary emitted stream. A modulator modulates the electron beam that is directed onto the sample, and thereby sweeps the electron beam between a first position and a second position on the sample. An extractor is in signal communication with both the modulator and the detector array, and extracts a differential signal that represents a difference between the signals that are received from the first position and the signals that are received from the second position.

公开(公告)号：JP2010538276A

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：JP2010523186

申请日：2008-08-29

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： ダネン・ロバート ,  ヒル・ピーター ,  ワン・チャールズ

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/21 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/956 ,  G03F7/7065

Abstract: In one embodiment, a surface inspection system comprises a radiation directing assembly to target radiation onto a surface of an object, the radiation directing assembly comprising a radiation source that emits a broadband radiation beam, a polarization control assembly comprising at least one of a linear polarizer and an apochromatic retarder, an aperture control mechanism, and a beam splitter, a radiation collection assembly to collect radiation reflected from the surface of the object, the radiation collection assembly comprising, a polarization control assembly comprising at least one of a linear polarizer and an apochromatic retarder, an aperture control mechanism, and at least one radiation sensing device.

公开(公告)号：JP2010522972A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：JP2009540472

申请日：2007-12-06

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： アボット・ゴードン ,  サイディン・ザイン・ケー． ,  チャン・エリス ,  フーケ・クリストフ

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F1/84 ,  G03F7/7065

Abstract: 【解決手段】
欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置を決定する様々な方法、設計、欠陥レビュー・ツール、およびシステムが提供される。 １つのコンピュータ実装方法は、２つ以上の検査システムによって検出された欠陥の座標を得ることを含む。 欠陥は、ウェーハ上で検出された欠陥を含まない。 本方法は、さらに欠陥がウェーハ上のシステマティック欠陥を引き起こすかどうかを決定するために、その位置で行われた欠陥検査の結果を使用することができるように欠陥の座標をウェーハ上の座標に翻訳することにより、欠陥レビューの間にレビューされるべきウェーハ上の位置の座標を決定することを含んでいる。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP2010522316A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：JP2009552906

申请日：2008-03-07

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： クック・マイケル ,  グプタ・アジェイ ,  チェン・チエン−フエイ（アダム） ,  ナムジョシ・カウストゥブ ,  バン・リート・マイク ,  ワリングフォード・リチャード

IPC: G01B11/00 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G06T7/001 ,  G06T2207/30148

Abstract: 【解決手段】本発明は、ウエハー上に形成されたダイに於けるアレイ領域の認識方法、ならびに係る方法の設定方法に関する。 ウエハー上に形成されたダイに於けるアレイ領域の認識に関する一つ方法は、一つのアレイ領域内で取得されたテンプレート・イメージ内のアレイ・パターンをウエハーに関して取得されたサーチ領域イメージに比較することを含む。 また本方法は、決定ステップの結果に基づき、テンプレート・イメージ内のアレイ・パターンに実質的にマッチするパターンが形成されたサーチ領域イメージ内の領域を決定することを含む。 更に、本方法は、決定ステップの結果に基づき、ウエハー上に形成されたダイに於けるアレイ領域を認識することを含む。
【選択図】図１