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公开(公告)号：JP2019529881A
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2019510300
申请日：2017-09-18
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ , The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University
Inventor： シャムーン,ジェイコブ・エヌ , ディゴネット,マイケル・ジェイ・エフ
Abstract: 第1の線幅を有する第1のレーザスペクトルを有する光を生成するように構成されるレーザと、ノイズ波形を発生するように構成される波形生成器と、レーザと光学的に通信しかつ波形生成器と電気的に通信する電気光学位相変調器とを有する光学系が提供される。電気光学位相変調器は、第1のレーザスペクトルを有する光を受光し、ノイズ波形を受信し、かつ第1の線幅よりも広い第2の線幅を有する第2のレーザスペクトルを有する光を発生するように光を変調することによってノイズ波形に応答するように構成される。
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公开(公告)号：JP2018537507A
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：JP2018531575
申请日：2016-12-09
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ , The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University
Inventor： グエン,クォア ディン , エングルマン,エドガー ジー.
IPC: A61P25/00 , A61P29/00 , A61P25/28 , A61K31/4184
Abstract: 本発明は、中枢神経系における加齢に関連する認知障害を予防及び/又は治療するための方法に関する。この方法は、有効量のPpargc1a活性化因子2−(4−tert−ブチルフェニル)−1H−ベンズイミダゾール、(2−[4−(1,1−ジメチルエチル)フェニル]−1H−ベンズイミダゾールを、その予防及び/又は治療を必要とする対象に投与することを含む。好ましい投与経路は、経口投与である。
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公开(公告)号：JP2013520208A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2012555157
申请日：2011-02-24
Inventor： ヘイル，マシュー，ビー． , プタケック，ジェイソン , ノラン，ゲリー，ピー．
CPC classification number: G01N33/564 , C12Q1/6883 , C12Q2600/118 , G01N33/5047 , G01N2800/102 , G01N2800/104 , G01N2800/52 , G01N2800/56
Abstract: 一つの側面において、本発明は被験者における自己免疫疾患の分類、診断、予後判定、テラノーシス（theranosis）、及び/または治療効果（outcome）の予測法を提供する。
【選択図】なし-
公开(公告)号：JP2010118643A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2009162822
申请日：2009-07-09
Applicant: Nec Corp , Univ Leland Stanford Jr , ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティThe Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University , 日本電気株式会社
Inventor： TADA MUNEHIRO , SARASWAT KRISHNA
IPC: H01L21/205 , C23C16/06 , C23C16/28 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28255 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/66643 , H01L29/7839 , H01L29/785
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming semiconductor films on dielectrics at temperatures below 400 DEG C. SOLUTION: This invention successfully achieves low temperature growth of germanium films using diboran. First, diboran gas is supplied into a reaction chamber at a temperature below 400 DEG C. The diboran decomposes itself at the given temperature and decomposed boron is attached to the surface of a dielectric, for e.g., SiO2, forming a nucleation site and/or a seed layer. Second, source gases for semiconductor film formation, for e.g., SiH4, GeH4, etc., are supplied into the reaction chamber, thereby forming a semiconductor film. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供在低于400℃的温度下在电介质上形成半导体膜的方法。解决方案：本发明成功地实现了使用二硼烷的锗膜的低温生长。 首先，在低于400℃的温度下将二硼烷气体供应到反应室中。二硼烷在给定温度下自身分解，分解的硼附着到电介质的表面，例如SiO 2，形成成核位置和/或 种子层。 其次，将例如SiH 4，GeH 4等的半导体膜形成用源气体供给到反应室，形成半导体膜。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2010511442A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2009539530
申请日：2007-11-30
Inventor： エス．ウウ ケンネトフ , ジェイ．マルチャノ ザチャリ , ケイ．ワルル ジャメス , イー．エイクフマンン ステプヘン
CPC classification number: A61B17/3401 , A61B17/22032 , A61B17/3415 , A61B17/3439 , A61B2017/22034 , A61B2017/320048 , A61B2017/3488 , A61B2017/349
Abstract: 哺乳類の硬膜外腔にアクセスするための装置は、閉鎖切開構成から開放構成に移行するように適合された遠位端を備える切開シースを有する。 組織係合デバイスがシースの中空部分内に存在する。 組織係合デバイスは鈍遠位端及び係合機構を有する。 硬膜外腔にアクセスする方法は、切開シースを使用して黄色靭帯、又はその付近の位置に開口を形成するステップを含む。 この方法の他のステップは、組織係合デバイスを切開シースの中空部分内に配置するステップである。 この方法の他のステップは、切開シースを閉鎖切開構成から開放構成に移行させるステップである。 この方法の他のステップは、組織係合デバイスを操作して、組織係合デバイスを少なくとも部分的に黄色靭帯を通って制御可能に前進させるステップである。
【選択図】図4G-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2010083472A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2009131725
申请日：2009-06-01
Applicant: Nissan Motor Co Ltd , Univ Leland Stanford Jr , ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティThe Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University , 日産自動車株式会社
Inventor： JO SHINICHIRO , DEGUCHI YOSHITAKA , HSU YUNG-HSIANG JUDY , LAWS SHAD MITCHELL , GERDES JOSEPH CHRISTIAN
IPC: B60W40/10 , B60T8/172 , B60T8/1761 , B62D6/00 , B62D101/00 , B62D111/00 , B62D113/00 , B62D119/00 , B62D137/00
CPC classification number: G01M17/02 , B60W40/101
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately estimate the state of a tire for contributing to the stabilization of the dynamic behavior of an automotive vehicle. SOLUTION: The tire-state estimator includes a tire lateral slip angle estimating section for calculating the estimated tire lateral slip angle value, based on an estimated tire lateral force upper limit value and a measured vehicle state value; a lateral force upper limit estimating section for calculating an estimated tire lateral force upper limit value, based on a measured tire self-aligning torque value; and the estimated tire lateral slip angle value calculated by the tire lateral slip angle estimating section. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：准确地估计用于有助于机动车辆的动态特性稳定的轮胎的状态。 解决方案：轮胎状态估计器包括：轮胎侧滑角估计部，用于根据估计的轮胎横向力上限值和测量车辆状态值计算估计轮胎侧滑角值; 横向力上限估计部，其基于所测量的轮胎自对准扭矩值来计算估计轮胎侧向力上限值; 以及由轮胎侧滑角估计部计算出的估计轮胎侧滑角值。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2010506661A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：JP2009533363
申请日：2007-10-18
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティThe Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University , シンピライカ スパイン, インコーポレイテッド
Inventor： トッド アラミン， , コリン カーヒル， , ルイス フィールディング， , アイアン ベネット，
IPC: A61B17/58
CPC classification number: A61B17/7067 , A61B17/683 , A61B17/7053 , A61B17/7055 , A61B17/7062 , A61B17/842 , A61B17/846 , A61B2017/00862 , A61B2017/0417 , A61B2017/7073
Abstract: 本発明は、医師がセグメントの屈曲を制御することを望む、椎間板性疼痛、および、脊椎すべり症等の他の脊椎の状態の治療のために、脊椎の屈曲を制限するための脊椎インプラントおよび方法を提供する。 脊椎の屈曲を制限するための脊椎インプラントは、上棘突起と下棘突起または仙骨との間に装着される。 インプラントは、上部棘突起上に配置される上部帯を含み、その一方で、インプラントの下部分は、隣接する椎骨または仙骨に取り付けられる。 取り付け具は、例えば、ネジまたは他の固着具を使用して固定され得、または、例えば、棘突起または仙骨の穴を通してループ帯を配置することによって、非固定にされ得る。
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公开(公告)号：JP2009542214A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2009518303
申请日：2007-06-29
Inventor： アーロン アール． ゲルケ , ジェイムズ ロバート シュワルツ
CPC classification number: C12P21/02
Abstract: ポリペプチドの一つまたは複数の特定の残基で非天然アミノ酸を含有するポリペプチドの合成において細菌性無細胞抽出物を利用するための方法を提供する。
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公开(公告)号：JP2009535830A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：JP2009508350
申请日：2007-05-03
Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティThe Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University , ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se
Inventor： バオ ツェナン , エルク ペーター , ケーネマン マルティン , リン マン−マン
IPC: H01L51/30 , C07D471/06 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0053 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D493/06 , H01L27/283 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 以下の工程：ａ）基板上に配置されたゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する基板を提供する工程と、ｂ）前記基板のゲート構造と、ソース電極と、ドレイン電極とが配置された領域に、ｎ型の有機半導体化合物を適用する工程とを含む有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記のｎ型の有機半導体化合物が、式Ｉで示され、Ｒ
1 、Ｒ
2 、Ｒ
3 及びＲ
4 が、無関係に、水素、塩素もしくは臭素であるが、但し、これらの基の少なくとも１つは、水素ではなく、Ｙ
1 が、ＯもしくはＮＲ
a であり、その際、Ｒ
a が、水素もしくはオルガニル基であり、Ｙ
2 が、ＯもしくはＮＲ
b であり、その際、Ｒ
b が、水素もしくはオルガニル基であり、Ｚ
1 、Ｚ
2 、Ｚ
3 及びＺ
4 が、Ｏであり、Ｙ
1 がＮＲ
a の場合に、基Ｚ
1 及びＺ
2 の一方は、ＮＲ
c 基であってよく、その際、Ｒ
a とＲ
c は、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基であり、Ｙ
2 がＮＲ
b の場合に、基Ｚ
3 及びＺ
4 の一方は、ＮＲ
d 基であってよく、その際、Ｒ
b とＲ
d は、一緒になって、末端の結合の間に２〜５個の原子を有する橋かけ基である化合物から選択されることを特徴とする方法。-
公开(公告)号：JP2009507780A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：JP2008527156
申请日：2006-08-15
Inventor： カロス、ミシェール・ピー , チャルバーグ、トーマス・ダブリュー・ジュニア , パランカー、ダニエル・ヴィー , バンコフ、アレクサンダー , ヒューイ、フィリップ・ジュニア , ブルメンクランツ、マーク , マーマー、マイケル・エフ
IPC: A61K48/00 , A61K31/7088 , A61K31/7105 , A61K31/711 , A61K31/713 , A61K35/12 , A61K38/00 , A61P27/02 , A61P27/06 , C12N15/09 , C12N15/87
CPC classification number: C12N15/87 , C07K14/811
Abstract: 【課題】遺伝子治療のためにＤＮＡを細胞及び組織に導入する新しい方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法では、電子雪崩法によるトランスフェクションによって核酸が細胞又は組織に導入される。 電子雪崩法を用いると、高電場によって、電極とその周囲の媒質との間に蒸気泡及びプラズマ放電が発生する。 蒸気泡の形成によって、機械的ストレスが発生する。 イオン化した蒸気を介したプラズマ放電によって、電極及びその周囲の媒質が電気的に接続するようになり、機械的ストレス及び電場が同時に加えられることになる。 その結果、細胞又は組織は透過性を有するようになる。 この透過性によって、核酸は、細胞又は組織に入る。
【選択図】図１
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