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公开(公告)号：CN110021311A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811293761.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：包含多个存储单元的存储单元阵列；用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器，其中，读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作；多读出管理器，用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作；以及数据识别器，用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态，其中，多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。
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公开(公告)号：CN108735247A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710243378.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/145
Abstract: 公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
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公开(公告)号：CN108108121A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710565054.6
申请日：2017-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F3/064 , G06F3/0646 , G06F12/023 , G06F12/0253
Abstract: 提供一种存储器控制器和控制其操作的方法。一种控制存储器控制器的操作的方法包括，在非易失性存储器装置的读取操作中，存储器控制器对选择的存储器块中的选择的串的选择读取计数进行计数和/或对选择的存储器块中的未选择的串的未选择读取计数进行计数。当选择读取计数和/或未选择读取计数超过读取阈值时，存储器控制器执行选择的存储器块的回收操作。为了通过回收操作将选择的存储器块的数据移动到另一存储器块，存储器控制器可通过使用改变后的页地址将选择的存储器块的数据复制到另一存储器块。
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公开(公告)号：CN107767911A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710722567.3
申请日：2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0408 , G11C16/0483 , G11C16/107 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3459 , G11C2216/16 , G11C16/18
Abstract: 非易失性存储器装置以及数据操作方法。一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列和行解码器电路。在将第一预脉冲施加到连接到第一虚拟存储器单元的第一虚拟字线之后，在将第二预脉冲施加到连接到第二虚拟存储器单元的第二虚拟字线之后，行解码器电路导通选择的存储器块的多个单元串的存储器单元。
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公开(公告)号：CN105280221A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/71
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101369453B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200810171455.4
申请日：2008-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C29/806 , G11C29/844
Abstract: 一种闪存存储器设备，包括多个存储块，解码器，配置成响应块选择信号选择至少一个所述存储块，以及控制器，配置成响应于块地址产生所述块选择信号。当块地址对应不良块时，所述控制器产生块选择信号以使得所述解码器中断对应于块地址的存储块的选择。
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公开(公告)号：CN101197190B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710306192.9
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5646
Abstract: 一种对多层非易失性存储器编程的方法。多个多位存储单元能够存储不同层的可用于表示数据的电荷，所述由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示的数据被首先以LSB然后以MSB编程。当编程过的存储单元具有小于电压VR1的阈值电压时存储第一值，当具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压时存储第二值，当具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压时存储第三值。当期望存储单元存储第四值时，每一个单元具有大于电压VR3的阈值电压。VR1小于VR2，VR2小于VR3。标识单元被编程为具有大于VR3的阈值电压以指示MSB数据已经被编程。
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公开(公告)号：CN111081290B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201910806442.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
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公开(公告)号：CN110957282B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201910466682.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体封装包括第一存储器芯片至第三存储器芯片。第一存储器芯片布置在封装衬底上，第二存储器芯片布置在第一存储器芯片上，并且第三存储器芯片布置在第一存储器芯片与第二存储器芯片之间。第一存储器芯片至第三存储器芯片中的每一个包括存储数据的存储器单元阵列、应力检测器、应力指数发生器和控制电路。应力检测器形成并分布在衬底中，并响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流。应力指数发生器将多个感测电流转换为应力指数代码。控制电路基于应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。
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