-
公开(公告)号：CN104690385B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510054564.8
申请日：2015-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/19 , B23K35/30 , B23K103/18
Abstract: 一种复合中间层及其钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料的方法，它涉及一种复合中间层及利用其钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料的方法。本发明要解决采用活性钎料直接钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料时，接头界面反应剧烈生成大量脆性相及焊后接头残余应力大，造成接头性能差的难题。复合中间层由上层钎料、软性中间层和下层钎料组成。方法：一、配制钎料：按照一定比例配制钎料；二、清洗：用丙酮进行清洗；三、装配：将待焊母材和复合中间层按一定顺序装配；四、焊接：置于真空钎焊炉中进行焊接。本发明操作简单，中间层的加入抑制了钎料与母材的过度反应，缓解了接头的残余应力，大大提高了接头性能。本发明用于钎焊金属与陶瓷及陶瓷基复合材料。
-
公开(公告)号：CN105252138A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510622484.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于铝/镍扩散连接的纯铝表面处理方法，它涉及一种用于纯铝表面处理方法。本发明中纯铝母材表面处理方法为机械振动处理法，粘着镍粉末的不锈钢小球不断与软化退火处理的纯铝母材发生碰撞，有利于纯铝表面氧化膜的破碎，镍粉末与纯铝母材之间由于碰撞导致的能量升高会不断发生冷焊，镍也会部分镶嵌入纯铝母材，最终会形成厚度不均匀的涂层达到表面处理的作用。本发明中机械振动表面处理后的纯铝母材和镍进行扩散连接，铝表面的氧化膜更容易破裂且发生了镍与镍的连接，因此原子扩散更充分，间隙更少，焊合率明显提高，连接质量得到了显著的改善。
-
公开(公告)号：CN103773985B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410066469.5
申请日：2014-02-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高效原位制备石墨烯增强铜基复合材料的方法，本发明涉及制备石墨烯增强铜基复合材料的方法。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料制备方法中石墨烯均匀分散性差、结构完整性差、工艺复杂的问题。方法：将铜粉置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气，并在高温下保温，再通入氩气和碳源气体进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至室温以下，得到石墨烯/铜复合粉末，再将石墨烯/铜复合粉末初压、烧结及复压，即得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明用于一种高效原位制备石墨烯增强铜基复合材料的方法。
-
公开(公告)号：CN103341674B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310259968.1
申请日：2013-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种陶瓷基复合材料与金属材料的石墨烯辅助钎焊方法，涉及陶瓷基复合材料与金属材料的钎焊方法。此发明要解决现有陶瓷基复合材料与金属材料钎焊得到的焊接接头力学性能差的问题。钎焊方法：一、陶瓷基复合材料放入等离子体增强化学气相沉积设备进行等离子体表面处理；二、通入CH4气体调节流量，开启射频电源，调节射频功率沉积10～30min后，以Ar和H2为保护气体，冷却到室温，得到表面生长有石墨烯的陶瓷基复合材料；三、Ti基钎料置于待连接面之间，放入真空钎焊炉中进行钎焊，最后冷却至室温完成钎焊。采用本发明钎焊方法得到的陶瓷基复合材料与金属材料的连接体在室温下的抗剪强度可达到35Mpa。
-
公开(公告)号：CN103240544B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310194838.4
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 钎焊C/C及C/SiC复合材料的高温钎料及其制备方法，它涉及高温钎焊材料及其制备方法。它要解决现有焊接C/C或C/SiC的高温钎料存在接头高温强度的保留率不高，接头性能差的问题。钎料由Ni、Zr或ZrH2制成。方法1：一、称量Ni、Zr或ZrH2；二、熔炼得到合金锭；三、制箔。方法2：一、称量Ni、Zr或ZrH2；二、球磨得到混合粉末；三、加压制成箔片，清洗并干燥。本发明的高温钎料对C/C及C/SiC复合材料润湿性好；高温钎料在焊接过程中，主要生成两种组织，能够保证接头力学性能；钎料成分中不含有贵金属，成本较低；所含有的成分Zr，熔点为1852℃，能保证接头在600℃具有较高强度保留率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103978305A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410252486.8
申请日：2014-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K20/023 , B23K20/14 , B23K20/2275 , B23K20/24 , B23K31/12
Abstract: 一种金属表面冷金属过渡毛化后与异种金属连接的方法，它属于异种金属的连接技术领域。它要解决现有异种金属连接时存在接头强度低，工艺复杂的问题。方法：一、制备毛化表面：采用冷金属过渡方法；二、表面清理：打磨及清洗；三、装配：平行接头或搭接接头；四、焊接：真空扩散焊。本发明通过在金属A表面制备毛刺，实现了异种金属待焊面接触形式的改变。通过毛刺刺入塑形好的低熔点被焊金属B内部，去除金属B表面氧化膜并增大待焊接触面积，促进异种金属之间的互相扩散和化学反应，形成更为可靠的冶金结合。通过扩散焊接与机械连接复合作用，形成异种金属间的高强度接头。本发明工艺方法简单，成本低，适用于多体系的异种金属连接。
-
公开(公告)号：CN103773985A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410066469.5
申请日：2014-02-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高效原位制备石墨烯增强铜基复合材料的方法，本发明涉及制备石墨烯增强铜基复合材料的方法。本发明要解决现有石墨烯增强铜基复合材料制备方法中石墨烯均匀分散性差、结构完整性差、工艺复杂的问题。方法：将铜粉置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气，并在高温下保温，再通入氩气和碳源气体进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至室温以下，得到石墨烯/铜复合粉末，再将石墨烯/铜复合粉末初压、烧结及复压，即得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明用于一种高效原位制备石墨烯增强铜基复合材料的方法。
-
公开(公告)号：CN103240540A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310192224.2
申请日：2013-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料连接的钎料及其制备方法，本发明涉及钎料及其制备方法。本发明要解决目前SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料难以被钎料润湿，且接头强度不高的问题。一种用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料连接的钎料由Cu、Sn和Ti组成；方法：一、称取；二、球磨；三、压片。本发明制备的钎料能实现SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料自身及与金属的直接钎焊，焊前不需要对材料表面进行任何改性处理，钎料中活性元素Ti能够实现对陶瓷基体的润湿从而实现钎料与SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料的冶金结合。本发明制备的钎料用于SiO2陶瓷及SiO2陶瓷基复合材料的连接。
-
公开(公告)号：CN102534300B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210027516.6
申请日：2012-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 原位生长碳纳米管增强TiNi高温钎料的制备方法，它属于钎料制备领域。本发明实现了碳纳米管在复合钎料中的均匀分散及结构完整，且避免了钛与碳的相互反应，从而解决了传统TiNi钎料在钎焊连接陶瓷、复合材料与金属时存在的热应力大及接头高温力学性能差等问题。方法：一、TiH2粉和Ni粉混合，再加入六水硝酸镍，加入乙醇，机械搅拌，加热乙醇挥发；二、然后铺于石英舟中，气相沉积后冷却到室温，即获得碳纳米管增强TiNi高温钎料。碳纳米管/TiNi复合钎料中碳纳米管均匀分散在复合钎料基体上，长度可达1～5μm，管径在10～15nm之间，所得复合钎料中碳纳米管含量大约为1.5％～5％。本发明适合用于航天领域。
-
公开(公告)号：CN102383071B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110351956.2
申请日：2011-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C49/11 , C22C49/14 , C22C47/14 , C22C101/10
Abstract: 一种原位反应制备碳纳米管增强钛基复合材料的方法，涉及一种原位反应制备碳纳米管增强钛基复合材料的方法。是要解决现有碳纳米管增强的钛基复合材料的制备方法存在碳纳米管的均匀分散性差、结构完整性差，碳基团与钛基体易反应而导致钛基体材料污染的问题。方法：将六水硝酸镍和TiH2粉末加入到乙醇溶液中搅拌，蒸发，得Ni-TiH2复合粉末；铺于石英舟中，放入沉积设备，通入H2，然后升温，通入CH4气体，沉积结束后，停止通入CH4气体，得碳纳米管/TiH2复合粉末；压制成块体，烧结，复压，即得碳纳米管增强钛基复合材料。本发明所得复合材料中碳纳米管的分散均匀无团聚，且纯度高，结构完整也避免了钛与残缺的碳纳米管反应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
192
records
(took 0.042 seconds)
