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公开(公告)号：CN107039361A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611027275.X
申请日：2016-11-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L23/293 , H01L21/56
Abstract: 本发明的课题在于提供一种激光标记后的部分的观察性优异的电子器件密封用片。本发明的解决手段在于一种电子器件密封用片，其具有表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面和表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面。
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公开(公告)号：CN107039360A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610974096.0
申请日：2016-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L23/293 , H01L21/563
Abstract: 本发明提供能够抑制进入电子器件与被粘物之间的中空部的树脂的量在每个封装体中发生偏差的中空型电子器件密封用片。本发明的中空型电子器件密封用片，50～90℃的范围内的损耗角正切tanδ为0.3以上且0.8以下，50～90℃的范围内的储存弹性模量为1.0×105以下，150℃下的损耗角正切tanδ为0.35以下，150℃下的储存弹性模量为1.0×106以下。
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公开(公告)号：CN106463418A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580030681.9
申请日：2015-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L24/97 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种能够更加合适地发挥密封用树脂片的导热性的电子器件装置的制造方法。本发明是如下的电子器件装置的制造方法，即，具备：工序A，准备在支承体上固定有电子器件的层叠体；工序B，准备含有二次凝聚体的密封用树脂片，所述二次凝聚体是使导热率随方向而不同的具有热各向异性的氮化硼的晶体以具有各向同性的方式凝聚而得；工序C，将密封用树脂片配置于层叠体的电子器件上；工序D，将电子器件嵌入密封用树脂片中；以及工序E，在工序D之后，在维持沿使层叠体与密封用树脂片靠近的方向加压的状态的同时，加热密封用树脂片而使之第一次热固化。
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公开(公告)号：CN103305146B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310078333.1
申请日：2013-03-12
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种高度差追随性优异的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和基材层，其中，该粘合剂层在70℃下的弹性模量E’与厚度之积为0.7N/mm以下，且该基材层在70℃下的弹性模量E’为1.0MPa以下。通过制成具备这样的基材层和粘合剂层的粘合片，可以提供贴附时与被粘物的密合性提高、高度差追随性优异的粘合片。
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公开(公告)号：CN105938817A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610118460.3
申请日：2016-03-02
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种中空型电子器件密封用片，其能抑制向电子器件与被粘物之间的中空部进入的树脂的量在每个封装件中不均。本发明的解决手段在于，一种中空型电子器件密封用片，通过下述步骤的顺序测定的进入量X1为0μm以上且50μm以下、且由进入量Y1减去进入量X1后的值为50μm以下。在将模拟芯片埋入中空型电子器件密封用片的样品的步骤后，测定构成样品的树脂向模拟芯片与玻璃基板之间的中空部的进入量X1的步骤、使样品热固化而得到密封体样品的步骤和测定树脂向密封体样品中的中空部的进入量Y1的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105826278A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610040558.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供一种中空型电子器件密封用片，其可得到能够将中空型电子器件适宜地埋入热固化性密封用片并抑制了热固化性密封用片的上表面的凹凸的中空型电子器件封装件。一种中空型电子器件密封用片，其具有隔片和热固化性密封用片，隔片的厚度(mm)与25℃时的拉伸弹性模量(N/mm2)之积为200N/mm以上，热固化性密封用片在50℃～100℃范围内的最低熔融粘度为100kPa·s以上。
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公开(公告)号：CN103289588A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310066139.1
申请日：2013-03-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J123/00 , C09J123/14 , C09J123/10 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保持充分的粘合力且通纸性等剥离隔离膜后的处理性优异的粘合片。本发明的粘合片具备基材层和粘合剂层，该粘合剂层在滚球粘性试验中的球号为2以下，且对硅镜面晶圆的粘合力为0.3N/20mm以上。通过使用这样的粘合片，能够得到兼顾了作为粘合片的充分的粘合力和通纸性等剥离隔离膜后的处理性的粘合片。
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公开(公告)号：CN101336906B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810128269.2
申请日：2008-07-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: A61K31/405 , A61K9/7053 , A61K47/14 , A61L31/041 , C08L23/20
Abstract: 本发明涉及贴片及贴片制剂。本发明目的在于提供贴片和贴片制剂，其不需要丙烯酸系聚合物，并能够在粘合层中保留大量的有机液体组分。本发明提供了一种贴片，包括支持物和在该支持物的至少一个表面上提供的粘合层，其中所述粘合层包括聚异丁烯；分子中具有可交联官能团的液体橡胶组分，和有机液体组分；上述粘合层为已交联的。
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公开(公告)号：CN102382582A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110264171.1
申请日：2011-09-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , C08G18/4854 , C08G18/672 , C08G18/757 , C08G2170/40 , C09J7/10 , C09J175/16 , C09J2203/326 , C09J2475/00 , C08G18/48
Abstract: 提供一种半导体晶片保护用粘合片，其即使在将半导体晶片研磨至极薄时、研磨大口径晶片时也不使半导体晶片弯曲(翘曲)，且对图案的追随性优异，不因经时而从图案上浮起，研磨时应力分散性好，可抑制晶片破裂、晶片边缘缺损，剥离时不发生层间剥离，不在晶片表面残留粘合剂残渣。该半导体晶片保护用粘合片特征在于，其为在保护半导体晶片时贴合于半导体晶片表面的半导体晶片保护用片材，其单面具有粘合性，由不存在基材与粘合剂的界面的1层构成，该保护片在伸长10％时的应力松弛率为40％以上，贴附于30μm的有高低差部分时24小时后的带浮起幅度比初始大40％以下，粘合片的厚度为5μm～1000μm，进而使两面的粘合力互不相同。
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