公开(公告)号：CN1832176B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610051510.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  荒井康行 ,  濑尾哲史

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/5692 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79

Abstract: 为了提供一种与传统存储元件不同的确定地利用例如介质击穿等现象的存储元件，还为了提供一种具有提高的存储容量的存储装置，本发明提供了一种存储装置及其操作方法，其中该存储装置具有一对电极和夹在这对电极之间的多个存储材料层，在该操作方法中，通过施加电压顺次破坏存储材料层。例如，在存储装置中层叠两个存储材料层的情况下，通过施加第一电压给这对电极来破坏这两个存储材料层的其中之一，接着施加第二电压给这对电极来破坏这两个存储材料层的其中另一个，操作该存储装置。

公开(公告)号：CN101599533A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910139560.4

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  荒井康行

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/504 ,  G02F1/133604 ,  H01L27/3237 ,  H01L33/382 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。

公开(公告)号：CN101599502A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910139562.3

申请日：2005-06-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  荒井康行

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/504 ,  G02F1/133604 ,  H01L27/3237 ,  H01L33/382 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种当发光系统具有很大面积时在发光区域具有良好亮度均匀性的发光系统。根据本发明的一个特征，发光系统包括第一电极、第二电极、形成于第一电极和第二电极之间的包含发光物质的层、形成于基底上的呈栅格形式且含有荧光物质的绝缘层、和形成于绝缘层上的布线。绝缘层和布线被第一电极覆盖，由此第一电极和布线相互接触。

公开(公告)号：CN100550328C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510084624.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡边了介 ,  高桥秀和 ,  鹤目卓也 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  樋口美由纪

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  B32B37/153 ,  B32B37/226 ,  B32B2305/342 ,  B32B2519/02 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/67132 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/1095 ,  Y10T156/1734 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种层压系统，其中，用于密封薄膜集成电路的第二和第三基板之一在以加热熔融态挤压出的同时提供给具有多个薄膜集成电路的第一基板，其它辊子用于供应其它基板、接收IC芯片、分离和密封。通过旋转辊子可连续地进行以下步骤：分离在第一基板上设置的薄膜集成电路；密封分离的薄膜集成电路；和接收密封的薄膜集成电路。因此，极大地提高了生产效率。

公开(公告)号：CN101369587A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810131294.6

申请日：2008-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  铃木幸惠 ,  黑川义元

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示装置及生产率高地制造其的方法，所述显示装置具有电特性优越且可靠性高的p沟道型薄膜晶体管及n沟道型薄膜晶体管。本发明之一是一种显示装置，包括：反交错型p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管，该p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管在栅电极上顺序层叠有栅极绝缘膜、微晶半导体膜、以及非晶半导体膜，并且还包括形成在非晶半导体膜上的一对n型半导体膜或p型半导体膜、以及形成在一对n型半导体膜或p型半导体膜上的一对布线，其中微晶半导体膜包含1×1016atoms/cm3以下的氧。此外，n沟道型薄膜晶体管的迁移率为10cm2/V·s以上且45cm2/V·s以下，而p沟道型薄膜晶体管的迁移率为0.3cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN101320765A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810108273.2

申请日：2008-06-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: H01L31/20 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/14632 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换装置及光电转换装置的制造方法，其中，不降低堆积速度地在大面积衬底上以高生产率直接形成优质的结晶半导体层，并且将该结晶半导体层用作光电转换层。将反应气体导入于放置有衬底的处理室内，通过设置在波导管的槽缝将微波导入于所述处理室内来产生等离子体，而在所述衬底上形成由半非晶半导体构成的光电转换层，所述波导管与所述衬底大略平行地相对配置。由此，不降低堆积速度，而可以获得优质的半非晶半导体。通过利用这种半非晶半导体形成光电转换层，可以获得将因光退化所引起的特性降低从五分之一降低到十分之一，而实际上几乎没有问题的光电转换装置。

公开(公告)号：CN101276736A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086790.4

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  川俣郁子 ,  荒井康行

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明的目的在于高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件、及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。

公开(公告)号：CN101180641A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680010996.8

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野田由美子 ,  荒井康行 ,  渡边康子 ,  守屋芳隆 ,  山崎舜平

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/077 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。

公开(公告)号：CN100377381C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN02141136.0

申请日：2002-07-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: H01L51/48 ,  H05B33/10 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/17596 ,  B41J3/407 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/56

Abstract: 提供通过喷墨法用于有机化合物层的形成的有效、高速的工艺。在通过喷墨法形成有机化合物层的方法中，包含具有发光性能的有机化合物的合成物从墨头中发射，形成连续的有机化合物层。有机化合物层在以矩阵形状对准的像素电极上形成，并在多个像素电极上以连续的方式形成。根据这个制造方法用有机发光元件制造发光装置。

公开(公告)号：CN101142715A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200680008486.7

申请日：2006-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01Q23/00 ,  H01L27/12 ,  G06K19/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/84 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的一个目标是提供提高机械强度的无线芯片。此外，本发明的一个目标是提供可以防治电波被阻断的无线芯片。本发明为无线芯片，其中具有薄膜晶体管的层通过各向异性导电粘合剂或导电层固定在天线上，并且薄膜晶体管连接到天线。天线具有介质层、第一导电层和第二导电层。介质层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一导电层作为发射电极并且第二导电层作为接地体。