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公开(公告)号：CN110211912B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910444689.X
申请日：2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/30
Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
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公开(公告)号：CN108701598B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780012808.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，并进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。本发明还提供一种具备该基材膜的半导体加工片。根据所述半导体加工片用基材膜以及半导体加工片，即使将邻苯二甲酸烷基酯的代替物质用作增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低，并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生。
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公开(公告)号：CN110092937B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910265151.2
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN107210205B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680008033.8
申请日：2016-02-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B7/02 , B32B27/00 , C09D7/40 , C09D201/00 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上直接叠层有能够形成树脂膜的树脂膜形成用膜的结构，且满足下述要件(I)及(II)。要件(I)：将待与硅晶片贴合一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(α)贴合在硅晶片上之后，在23℃的环境中、拉伸速度300mm/分及拉伸角度180°的剥离条件(x)下测定的、将该树脂膜形成用膜从该硅晶片剥离所需要的剥离力(α1)为0.05～10.0N/25mm；要件(II)：在所述剥离条件(x)下测定的、将所述支撑片从与所述支撑片直接叠层一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(β)剥离所需要的剥离力(β1)是剥离力(α1)以上的值。
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公开(公告)号：CN107615453B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680029390.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。
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公开(公告)号：CN111602229A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086831.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供一种支撑片，其具备基材，且在基材上具备粘着剂层，基材的粘着剂层侧的面为凹凸面，从支撑片的5处切取大小为3mm×3mm的试验片，并分别求出这5片试验片中的粘着剂层的厚度的最小值及最大值时，所述最大值的平均值(L值)相对于所述最小值的平均值(S值)的比率(L值/S值)为1.2以上且小于5.0。保护膜形成用复合片在该支撑片中的粘着剂层上具备保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN111466014A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201880079841.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，从所述保护膜形成用复合片的5处裁切试验片，并分别对这5片试验片的所述保护膜形成用膜与所述支撑片的非贴合区域的层间距离进行测定时，所述层间距离为0.5μm以下。
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公开(公告)号：CN106062927B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201480076732.7
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN106030763B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201580008941.2
申请日：2015-03-17
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/78 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/544 , C08F220/14 , C08F220/20 , C09D7/63 , C09D133/06 , C09J11/06 , C09J133/06
Abstract: 本发明的保护膜形成用膜(12)用于形成对设置于半导体芯片背面的金属膜进行保护的保护膜，该保护膜即使在经过温度变化过程的情况下，也可抑制其从所述金属膜上剥离，该保护膜形成用膜由保护膜形成用组合物形成，所述保护膜形成用组合物是配合具有巯基或保护巯基的偶联剂而成的。
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公开(公告)号：CN109075048A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027304.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J201/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片，其至少具备基材，其复原率为70％以上、100％以下；或在23℃下沿基材的MD方向测定的100％应力相对于在23℃下沿基材的CD方向测定的100％应力的比为0.8以上、1.2以下；或在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的拉伸弹性模量分别为10MPa以上、350MPa以下，且在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的100％应力分别为3MPa以上、20MPa以下，且在23℃下沿基材的MD方向及CD方向测定的断裂伸长率分别为100％以上。该半导体加工用片可大幅延伸，可将半导体芯片彼此充分地分离。
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