에어로졸의 밀도를 안정화하기 위한 장치 및 방법
    92.
    发明授权
    에어로졸의 밀도를 안정화하기 위한 장치 및 방법 失效
    用于稳定气溶胶浓度的装置和方法

    公开(公告)号:KR100695122B1

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:KR1020030086045

    申请日:2003-11-29

    Inventor: 강윤호 이주현

    CPC classification number: A61K31/54 Y10T137/85954 Y10T137/87587

    Abstract: 본 발명은
    에어로졸 유입용 도관 (1); 유입된 에어로졸의 압력 조절부 (2); 에어로졸 수송용 도관 (3)에 의해 에어로졸 압력 조절부 (2)와 연결되며, 전진된 에어로졸이 그 도관 (3)을 통해 도달하여 에어로졸의 혼합이 이루어지는, 도관에 비해 그 단면적이 현저하게 큰 버퍼 (4); 상기 버퍼 (4) 내의 에어로졸 일부를 버퍼 이전의 도관으로 피드백시키기 위한, 상기 버퍼 (4)를 버퍼 이전의 도관 (1) 또는 에어로졸 압력조절부 (2)와 연결시키는 피드백(feedback)용 도관 (5); 및 상기 버퍼로부터 균일하게 혼합된 에어로졸을 유출시키기 위한 에어로졸 유출용 도관 (6)을 포함하는, 이미 생성된 에어로졸의 밀도를 안정화하기 위한 장치 및 이러한 장치와 동일한 원리의 에어로졸의 밀도를 안정화하는 방법을 제공한다.

    상전이 메모리 소자 및 그 제조방법
    93.
    发明授权
    상전이 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR100682948B1

    公开(公告)日:2007-02-15

    申请号:KR1020050061785

    申请日:2005-07-08

    Inventor: 강윤호

    Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 트랜지스터가 형성된 반도체 기판에 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결되게 형성된 하부전극; 상기 기판 상에 상기 하부전극을 덮으며, 상기 하부전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 제1절연층; 상기 콘택홀에 형성된 도전성 콘택; 상기 제1절연층 상에 상기 도전성 콘택에 대응되는 홀이 형성된 제2절연층; 상기 홀을 채운 상전이 물질막; 및 상기 제2절연층 상에 상기 상전이 물질막의 상부면을 덮는 상부전극;을 구비한다. 상기 상전이 물질막과 상기 상부전극은 그 중심이 정렬되어 있으며, 상기 상부전극의 폭은 상기 상전이 물질막의 폭 보다 큰 것을 특징으로 한다.

    상전이 메모리 소자 및 그 제조방법
    94.
    发明公开
    상전이 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
    相变记忆装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020070006451A

    公开(公告)日:2007-01-11

    申请号:KR1020050061785

    申请日:2005-07-08

    Inventor: 강윤호

    Abstract: A phase change memory device is provided to prevent a phase change material layer from being damaged by an etch process for etching an upper electrode by preventing a phase change memory layer formed on an insulation layer from being exposed in the etch process. A lower electrode(110) is formed on a semiconductor substrate having a transistor, electrically connected to the transistor. The lower electrode is covered with a first insulation layer(120) having a contact hole(122) for exposing the lower electrode. A conductive contact(130) is formed in the contact hole. A second insulation layer(140) is formed on the first insulation layer, having a hole corresponding to the conductive contact. The hole is filled with a phase change material layer(150). The phase change material layer includes at least one selected from a group composed of Te, Se and S. An upper electrode(160) is formed on the second insulation layer, covering the upper surface of the phase change memory layer. The center of the phase change material layer is aligned with the center of the upper electrode, and the upper electrode has a greater width than that of the phase change material layer.

    Abstract translation: 提供了一种相变存储器件,用于通过防止在蚀刻工艺中暴露出在绝缘层上形成的相变存储层而通过用于蚀刻上部电极的蚀刻工艺来损坏相变材料层。 在具有与晶体管电连接的晶体管的半导体衬底上形成下电极(110)。 下电极覆盖有具有用于暴露下电极的接触孔(122)的第一绝缘层(120)。 导电接点(130)形成在接触孔中。 第二绝缘层(140)形成在第一绝缘层上,具有与导电触点对应的孔。 该孔填充有相变材料层(150)。 相变材料层包括选自由Te,Se和S组成的组中的至少一种。在第二绝缘层上形成上电极(160),覆盖相变存储层的上表面。 相变材料层的中心与上部电极的中心对准,上部电极的宽度大于相变材料层的宽度。

    상전이 램 동작 방법
    95.
    发明授权
    상전이 램 동작 방법 有权
    操作相变随机存取存储器PRAM的方法

    公开(公告)号:KR100657944B1

    公开(公告)日:2006-12-14

    申请号:KR1020050002889

    申请日:2005-01-12

    Abstract: 상전이 램(PRAM)의 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 스위칭 소자를 포함하고, 상전이층이 구비된 스토리지 노드를 포함하는 PRAM의 동작 방법에 있어서, 상기 상전이층을 아래에서 위로 통과하는, 1㎂∼1.6mA의 리세트 전류를 상기 스토리지 노드에 인가하여 상기 상전이층의 일부를 비정질 상태로 바꾸는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동작 방법을 제공한다. 이러한 본 발명의 동작 방법을 이용하면, PRAM의 집적도를 높일 수 있다.

    표시장치용 기판의 제조장치 및 이를 이용한 컬러필터기판의 제조방법
    96.
    发明公开
    표시장치용 기판의 제조장치 및 이를 이용한 컬러필터기판의 제조방법 无效
    使用其的彩色滤色片的显示和制造方法的物质的制造装置

    公开(公告)号:KR1020060102595A

    公开(公告)日:2006-09-28

    申请号:KR1020050024367

    申请日:2005-03-24

    CPC classification number: G02F1/1303 H01L21/6715

    Abstract: 본 발명은 표시장치용 기판의 제조장치 및 이를 이용한 표시장치용 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치용 기판의 제조장치는 기판을 지지하는 스테이지부와; 상기 스테이지부와 상대 이동하며 상기 상대 이동 방향의 가로 방향으로 이격 배치되어 있으며 상기 스테이지부 상에 마련되어 있는 상기 기판 상에 유체를 적하시키기 위한 제1 노즐부 및 제 2 노즐부와 상기 제 1 노즐부와 상기 제 2노즐부 사이에 마련되어 적하된 상기 유체를 가열하기 위한 가열부를 포함하는 헤드부를 포함한다. 이로 인해, 기판에 발생하는 얼룩 및 빛샘 현상이 방지되는 표시장치용 기판의 제조장치 및 이를 이용한 표시장치용 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.

    칼라 필터 기판 및 이의 제조 방법
    98.
    发明公开
    칼라 필터 기판 및 이의 제조 방법 无效
    彩色滤光片基板及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060066386A

    公开(公告)日:2006-06-16

    申请号:KR1020040104971

    申请日:2004-12-13

    Inventor: 강버들 강윤호

    CPC classification number: G02B5/201 G02F1/133516

    Abstract: 잉크젯 프린팅 방식에 의해 칼라 필터 형성시 잉크 젯팅 오류를 막기 위한 칼라 필터 기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 베이스 기판은 복수의 화소 영역을 갖는 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함한다. 얼라인부는 화소 영역의 크기에 대응하여 주변 영역에 형성되어 화소 영역의 중심부와 젯팅된 칼라 잉크의 위치를 얼라인 한다. 칼라 필터부는 복수의 화소 영역에 칼라 잉크가 충진되어 형성된다. 이에 따라, 상기 얼라인부를 이용하여 젯팅된 잉크 위치와 화소 영역의 중심부의 위치를 얼라인 시킴으로써 젯팅 오류를 막을 수 있다.
    잉크젯 프린팅 방식, 칼라 필터, 얼라인 키

    표시 장치용 기판의 제조 방법
    99.
    发明公开
    표시 장치용 기판의 제조 방법 无效
    用于显示装置的面板的制造方法

    公开(公告)号:KR1020060058965A

    公开(公告)日:2006-06-01

    申请号:KR1020040098027

    申请日:2004-11-26

    CPC classification number: G02F1/133516 B41J2/15 G02F2001/133354

    Abstract: 본 발명에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법은 기판 위에 적어도 하나 이상의 잉크젯 헤드 유니트를 위치시키는 단계, 잉크젯 헤드 유니트의 경사각을 조절하여 잉크젯 헤드 유니트의 노즐 피치와 기판 위의 화소 피치를 일치시키는 단계, 기판 또는 잉크젯 헤드 유니트를 이동시키며 기판 위의 화소 내부에 잉크를 적하하는 단계, 잉크의 적하 도중에 잉크젯 헤드 유니트의 노즐 피치와 기판 위의 화소 피치가 일치하지 않는 경우에는 잉크젯 헤드 유니트의 경사각을 조절하여 노즐 피치와 화소 피치를 일치시키는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법은 잉크젯 헤드의 경사각이 독립적으로 변경 가능하도록 함으로써 잉크젯 헤드가 적하 시작 위치와 적하 종료 위치 사이를 이동하는 도중에 노즐 피치와 화소 피치가 일치하도록 하여 기판이 틀어진 경우에도 정확하게 잉크젯 헤드의 적하 공정이 가능하다.
    액정표시장치, 정렬, 잉크젯헤드, 경사각

    컬러필터기판 및 이를 갖는 표시장치
    100.
    发明公开
    컬러필터기판 및 이를 갖는 표시장치 无效
    彩色滤光片和显示装置

    公开(公告)号:KR1020060040116A

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:KR1020040089334

    申请日:2004-11-04

    CPC classification number: G02F1/133512 G02F1/133514 G02F1/133516

    Abstract: 생산성을 향상시킬 수 있는 컬러필터기판 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 기판은 다수의 컬러영역 및 인접하는 두 개의 컬러영역 사이에 형성된 차광영역으로 이루어진다. 컬러필터층은 기판의 다수의 컬러영역에 각각 형성되는 다수의 색화소로 이루어진다. 블랙 매트릭스는 기판의 차광영역 상에 형성되고, 유기 물질 및 유기 물질에 개재된 차광성 입자로 이루어진다. 또한, 블랙 매트릭스는 색화소가 인접하는 컬러영역으로 스며들지 않도록 할 정도의 표면조도를 갖는다. 따라서, 표시장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.

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