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公开(公告)号：KR1019990052990A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970072550
申请日：1997-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/11
Abstract: n채널형의 제1 및 제2 전달트랜지스터와 제1 및 제2구동트랜지스터 및 P채널형의 제1 및 제2부하트랜지스터를 포함하고 상기 각 트랜지스터는 반도체 기판내에 형성된 소오스, 채널 및 드레인 영역들과 채널영역위의 게이트를 가지는 SRAM 메모리 쎌에 있어서, 직렬 접속된 상기 제1 전달트랜지스터와 상기 제1구동트랜지스터의 드레인 영역들에 의해 정해진 제1공통영역과, 직렬 접속된 상기 제2전달트랜지스터와 상기 제2구동트랜지스터의 드레인 영역들에 의해 정해진 제2공통영역과, 상기 제1 및 제2공통영역사이에서 상기 제1공통영역에 인접하여 위치된 상기 제1부하트랜지스터의 드레인 영역과, 상기 제1부하트랜지스터와 상기 제2공통영역 사이에 위치된 상기 제2부하트랜지스터의 드레인 영역과, 상기 제1구동트랜지스터와 상기 제1부하트랜지스터� � 게이트와 상기 제2구동트랜지스터와 상기 제2부하트랜지스터의 게이트로서 각각 작용하도록 서로 평행하게 위치되고 제1층의 도전층으로 만들어진 제1 및 제2게이트 전극층들과, 상기 제1공통영역을 상기 제1부하트랜지스터의 드레인영역과 상기 제2게이트 전극층에 접속하고 상기 제2공통영역을 상기 제2부하트랜지스터의 드레인 영역과 상기 제1게이트 전극층에 접속하도록 상기 제1층과는 다른 제2층의 도전층으로 만들어진 제1 및 제2배선층을 구비함으로써 SRAM 메모리 쎌의 종휭비를 축소할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100211118B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970012122
申请日：1997-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03K7/08
Abstract: 본 발명은 한 번의 데이터 입력만으로도 주파수를 변화시키지 않고 펄스폭을 확장할 수 있는 펄스폭 변조 회로에 관한 것으로서, 데이터 버스로부터 데이터를 입력받아 펄스폭을 변조하는 회로에 있어서, 소정비트신호를 카운팅하는 카운터와; 데이터 버스로부터 데이터를 인가받아 이를 저장하는 제 1 데이터 레지스터와; 카운터와 제 1 데이터 레지스터로부터 신호들을 인가받아 비교하는 제 1 비교기와; 상기 제 1 비교기로부터 매치신호를 인가받는 조합수단과; 데이터 버스로부터 데이터를 인가받아 이를 저장하는 제 2 데이터 레지스터와; 카운터와 제 2 데이터 레지스터로부터 신호들을 인가받아 이를 비교하는 제 2 비교기와; 상기 오버풀로우 신호, 조합부로부터 출력되는 신호, 상기 스트레치 신호를 인가받고, 상기 오버풀로우 신호가 뜰 때마다 펄스를 확장하여 출력하는 제어수단을 포함하는 펄스폭 변조회로.
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公开(公告)号：KR1019990008771A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970030885
申请日：1997-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택홀을 형성하는 절연막이 두껍거나 콘택홀이 작을 경우에도 콘택홀 내부에 도전체를 용이하게 형성할 수 있는 선택적으로 증착된 반도체 장치의 버팅 콘택 구조 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 버팅 콘택은 반도체 기판 상의 액티브 영역 및 게이트 상에만 선택적으로 증착된 도전막을 구비한다. 이 도전막은 폴리 실리콘 또는 화학기상증착 텅스텐막으로 이루어진다. 본 발명의 버팅 콘택 제조방법은 폴리실리콘을 극저압이나 초고진공에서 화학기상증착하거나 텅스텐을 저압화학기상증착법으로 증착함으로써 버팅 콘택을 구성하는 도전막을 선택적으로 증착한다.
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公开(公告)号：KR1019980066324A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001755
申请日：1997-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
IPC: H01L27/06
Abstract: 본 발명은 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 저항값을 줄일 수 있는 바이씨모오스 소자의 제조방법에 관한 것으로, 이러한 바이씨모오스 소자의 제조방법은 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 저항을 낮추기 위하여, 제1도전형의 반도체층상에 고농도의 제2도전형 화합물로 이루어진 매몰층을 성장시킨후 패터닝하는 과정과, 상기 반도체층과 동일한 재료를 성장시켜 상기 매몰층을 소정두께로 도포하는 반도체 기판을 형성하는 과정과, 상기 반도체 기판상에 활성영역과 비활성영역을 정의한후 소자분리막을 형성하는 과정과, 상기 활성영역상에 모오스 트랜지스터와 바이폴라 트랜지스터를 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR2019970019784U
公开(公告)日：1997-05-26
申请号：KR2019950031849
申请日：1995-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
IPC: H01L27/08
Abstract: 잡음발생이억제되는모오스트랜지스터가개시된다. 본고안에따른모오스트랜지스터는채널을사이에두고형성된드레인과소오스, 상기드레인과소오스상에형성된접촉전극들을구비하는모오스트랜지스터에있어서, 상기접촉전극들은각 영역을 2분할하는분할선을중심으로채널과반대편쪽으로치우쳐설치됨을특징으로한다. 본고안에따른모오스트랜지스터는폴리실리콘과접촉전국과의거리를될수록멀리떨어지도록함으로써전류의급격한변화를줄여서잡음이발생되는것을감소시키는효과를갖는다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019920007798B1
公开(公告)日：1992-09-17
申请号：KR1019890016221
申请日：1989-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
Abstract: The LED array for adjusting the size of the window of light emitting units according to the difference of optical outputs between the lots on a bonding pad forming process to maintain the optical uniformity of the array comprises on n type GaAs substrate (21), an n type GaAsP layer (22) on one side of the substrate, light emitting units (24) selectively formed on the layer (22) in a line, a first electrode layer (26) on another side of the substrate, a second electrode layer (25) anularly formed on the units (24) along the margin of the units (24), an insulation film (27) formed on the units (24) exclusive of the layer (25) and bonding pads (28) having the windows (28a) of the units (24) formed on the film (27).
Abstract translation: 根据在焊盘形成工艺上的批次之间的光输出的差异来调节发光单元的窗口尺寸的LED阵列，以保持阵列的光学均匀性包括在n型GaAs衬底（21）上，n 在衬底的一侧上形成GaAsP层（22），选择性地形成在一个层（22）上的发光单元（24），在衬底另一侧的第一电极层（26），第二电极层 25），沿着单元（24）的边缘在单元（24）上成形，绝缘膜（27）形成在除了层（25）的单元（24）和具有窗口的接合焊盘（28） （27）上形成的单元（24）。
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公开(公告)号：KR1019920006392B1
公开(公告)日：1992-08-03
申请号：KR1019890019698
申请日：1989-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김기준
IPC: H01S5/30
Abstract: The method for reducing an oscillation beginning current to improve the chractristic of a device comprises the steps of: forming a first clad layer (13) with a first conduction type, an active layer (15) and a second clad layer (17) with a second conduction type on a semiconductor substrate (11) with a first conduction type sequentially; forming a stripe-formed groove (19) into the predetermined portion of the clad layer (17); forming a current limitting layer (21) with a first conduction type on the second clad layer to form a diffusion stopper thereon, to form a stripe- formed opening (25) in the stopper and adjacent to the stepper of the second clad groove (19); diffusing first conduction of impurities through the opening to form a current injection region (27); and forming electrodes after removing the diffusion stopper layer.
Abstract translation: 用于减小振荡开始电流以改善器件的重要性的方法包括以下步骤：形成具有第一导电类型的第一覆盖层（13），有源层（15）和第二覆盖层（17），其具有 在具有第一导电类型的半导体衬底（11）上的第二导电类型; 在所述包覆层（17）的预定部分中形成条形槽（19）; 在第二覆盖层上形成具有第一导电类型的电流限制层（21）以在其上形成扩散阻挡件，以在止动器中形成条形开口（25），并邻近第二包层沟槽（19）的步进器 ）; 扩散通过所述开口的杂质的第一传导以形成电流注入区域（27）; 以及在去除扩散阻挡层之后形成电极。
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