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公开(公告)号：KR1020120138080A
公开(公告)日：2012-12-24
申请号：KR1020110057373
申请日：2011-06-14
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 한양대학교 에리카산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , F21K9/23 , F21V29/507 , F21V29/83 , F21Y2115/10 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to improve optical power by including a passivation layer which is arranged on the side of a light emitting structure. CONSTITUTION: A second conductivity type semiconductor layer(126) is arranged on a first conductivity type semiconductor layer(122). An active layer(124) is arranged between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The active layer comprises quantum well layers and quantum barrier layers. The quantum barrier layers comprise first barrier layers and second barrier layers. An energy band gap of the second barrier layer is greater than the energy band gap of the quantum well layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光装置，通过包括布置在发光结构侧的钝化层来提高光功率。 构成：在第一导电类型半导体层（122）上布置第二导电类型半导体层（126）。 在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间布置有源层（124）。 有源层包括量子阱层和量子势垒层。 量子势垒层包括第一阻挡层和第二阻挡层。 第二阻挡层的能带隙大于量子阱层的能带隙。
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公开(公告)号：KR101151956B1
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020060015756
申请日：2006-02-17
Applicant: 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 본발명은고휘도발광소자의제조방법에관한것으로서, 제 2 GaN층상부에다공성(多孔性) 질화마그네슘(MgN)층을통해제 2 GaN 돌출부들을형성함으로써, 휘도및 광추출효율을증대시킨종래의발광소자에서, 잔류하고있는질화마그네슘(MgN)층의전기적절연성으로인해제 2 GaN층의저항및 소자전체의동작전압이증가되어지는문제점을개선하기위해서, 제 2 GaN 돌출부들의형성이후잔류하고있는질화마그네슘(MgN)층을열화학적인방법을통해제거시키는공정을포함하는것을특징으로하며, 따라서, 전기적인저항및 동작전압특성이보다향상된고휘도발광소자를구현할수 있다.
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公开(公告)号：KR101125026B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020100115695
申请日：2010-11-19
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency of the light emitting device by reducing a leakage current in an active layer. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a first conductive type semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer. The active layer is formed between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer. The active layer includes a plurality of well layers and one or more barrier layers. The barrier layer includes a first nitride layer and a second nitride layer. An energy gap between the first and second nitride layers is 74-83 meV.
Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法，以通过减少有源层中的漏电流来提高发光器件的发光效率。 构成：发光结构包括第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层。 有源层形成在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间。 有源层包括多个阱层和一个或多个势垒层。 阻挡层包括第一氮化物层和第二氮化物层。 第一和第二氮化物层之间的能隙为74-83meV。
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公开(公告)号：KR1020120005758A
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100066395
申请日：2010-07-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 문용태
CPC classification number: H01L33/06 , F21Y2115/10 , H01L33/48 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to minimize an electron loss by transferring holes to the center of a multiple quantum well light emitting layer in a quantum well adjacent to a P-GaN. CONSTITUTION: A light emitting device includes a first conductive semiconductor layer(110), a second conductive semiconductor layer(130), and a light emitting layer between the first and second conductive semiconductor layers. A second conductive impurity is injected into a first quantum well(122a) adjacent to the second conductive semiconductor layer. The second conductive semiconductor layer is a hole injection layer. The light emitting layer includes one or more quantum wells(122) and one or more quantum walls(124). The quantum wall is formed between the quantum wells.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，以通过将孔传送到与P-GaN相邻的量子阱中的多个量子阱发光层的中心来最小化电子损失。 构成：发光器件包括第一导电半导体层（110），第二导电半导体层（130）以及第一和第二导电半导体层之间的发光层。 将第二导电杂质注入到与第二导电半导体层相邻的第一量子阱（122a）中。 第二导电半导体层是空穴注入层。 发光层包括一个或多个量子阱（122）和一个或多个量子壁（124）。 在量子阱之间形成量子壁。
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公开(公告)号：KR1020120005756A
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100066393
申请日：2010-07-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/105 , H01L33/465 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to thicken the thickness of a light emitting device than an effective wavelength by comprising an actual light emitting device and a virtual light emitting device. CONSTITUTION: A light emitting layer(114) is formed on a second conductive semiconductor layer(116). A first conductive semiconductor layer(112) is arranged on the light emitting layer. A second electrode layer(120) includes a reflection layer(124) under the second conductive semiconductor layer. The light emitting layer includes a first light emitting layer and a second light emitting layer. The second light emitting layer emits light on the reflection layer.
Abstract translation: 目的：通过包括实际发光装置和虚拟发光装置，提供发光装置以增加发光装置的厚度，而不是有效波长。 构成：在第二导电半导体层（116）上形成发光层（114）。 第一导电半导体层（112）布置在发光层上。 第二电极层（120）包括在第二导电半导体层下方的反射层（124）。 发光层包括第一发光层和第二发光层。 第二发光层在反射层上发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101071756B1
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：KR1020100068937
申请日：2010-07-16
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 문용태
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/145 , H01L2924/12041
Abstract: 실시예는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상의 계면층; 상기 계면층 상의 활성층; 및 상기 활성층 상의 p형 반도체층을 포함하고, 상기 계면층은 서로 상이한 에너지 밴드 갭을 갖는 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함하며, 상기 제1 층 및 제2 층의 에너지 밴드 갭은 상기 활성층 내의 양자벽의 에너지 밴드 갭보다 크고, 상기 제3 층의 에너지 밴드 갭은 상기 활성층 내의 양자벽의 에너지 밴드 갭보다 작은 발광 소자를 제공한다.
Abstract translation: 一个实施例包括n型半导体层; n型半导体层上的界面层; 接口层上的活动层; 以及在有源层上的p型半导体层，其中界面层包括具有彼此不同的能带隙的第一层，第二层和第三层，并且第一层和第二层的能带隙 大于有源层中量子墙的能带隙，且第三层的能带隙小于有源层中量子墙的能带隙。
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公开(公告)号：KR101064068B1
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：KR1020090016020
申请日：2009-02-25
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 문용태
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02483 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L33/007
Abstract: 실시예는 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 산화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 산화갈륨층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계; 상기 산화갈륨층을 분리하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함한다.
발광소자, 발광소자의 제조방법Abstract translation: 该实施例涉及一种制造发光器件的方法。
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公开(公告)号：KR101047652B1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090127189
申请日：2009-12-18
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 문용태
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 산화갈륨 기판 상에 갈륨알루미늄을 포함하는 산화물; 상기 갈륨알루미늄을 포함하는 산화물 상에 갈륨알루미늄을 포함하는 질화물; 및 상기 갈륨알루미늄을 포함하는 질화물 상에 발광구조물;을 포함할 수 있다.
발광소자, 산화갈륨 기판-
公开(公告)号：KR101020958B1
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020080114144
申请日：2008-11-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 문용태
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 산화갈륨기판 제조방법, 발광소자 및 발광소자 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 산화갈륨기판; 상기 산화갈륨기판 상에 산화갈륨질화막; 상기 산화갈륨질화막 상에 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층; 및 상기 활성층 상에 제2 도전형의 반도체층이 포함된다.
산화갈륨기판-
公开(公告)号：KR100993074B1
公开(公告)日：2010-11-08
申请号：KR1020090132731
申请日：2009-12-29
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A light emitting device, a manufacturing method thereof, and a light emitting device package are provided to improve the performance of a white light emitting device by using a nitride semiconductor nano structure. CONSTITUTION: A light emitting structure(110) includes a first conductive semiconductor layer(112), a second conductive semiconductor layer(116), and an active layer(114) between the first and second conductive semiconductor layers. A nano structure(140) has a nano particle on a first amorphous layer(131). A light emitting device is arranged on a package body.
Abstract translation: 目的：提供发光器件及其制造方法和发光器件封装，以通过使用氮化物半导体纳米结构来提高白色发光器件的性能。 构成：发光结构（110）包括第一导电半导体层（112），第二导电半导体层（116）和第一和第二导电半导体层之间的有源层（114）。 纳米结构（140）在第一非晶层（131）上具有纳米颗粒。 发光器件布置在封装体上。
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