公开(公告)号：KR1019970054347A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950053684

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박성호 ,  이태우 ,  송기문 ,  박문평

IPC: H01L29/70

Abstract: 본 발명은 이종접합 바이폴라트랜지스터의 에피구조에 있어서, 에미터 메사식각시 식각되지 않는 에미터캡층을 이용하여 베이스 전극이 에미터전극에 대해 완전한 자기정렬이 이루어지도록 한 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 반절연성 화합물 반도체기판 상부에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 제1 및 제2에미터캡층을 순차적으로 결정성장하는 제1과정과, 제2에미터캡층 상부의 소정 부분에 에미터 전극을 형성하고, 에미터 전극을 마스크로 하여 제1에미터캡층이 노출되도록 제2에미터캡층을 이방성 식각하는 제2과정과, 에미터 전극과 잔류하는 제2에미터캡층을 마스크로 하여 베이스층이 노출되도록 제1에미터캡층과 에미터층을 등방성으로 메사식각하는 제3과정과, 베이스층 상부의 소정 부분에 에미터 극과 자기정렬되도록 베이스 전극을 형성하는 제4과정과, 베이스 전극이 형성되지 않은 부분의 베이스층과 컬렉터층을 부컬렉터층이 노출되도록 메사식각하고 부컬렉터층 상부의 소정 부분에 컬렉터 전극을 형성하는 제5과정과, 부컬렉터층의 소정 부분에 반도체기판과 겹쳐지도록 소자분리영역을 형성하는 제6과정을 포함하는 것을 그 특징으로 하며, 외부의 기생저항을 줄이고 고속특성이 향상된 HBT 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970052980A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950050532

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박성호 ,  박문평 ,  이태우 ,  편광의

IPC: H01L21/328

Abstract: 본 발명은 화합물 반도체 소자의 제조방법은 기존 HBT 소자의 에피층들에서 베이스층의 일부를 이온주입 및 활성화 방법으로 높은 저항값을 갖도록 하고, HBT 소자를 형성한 후, 소자분리 식각 공정시 저항체를 패턴닝하여 원하는 저항값을 갖는 저항체 패턴을 형성하였으므로, 하나의 기판에 HBT와 고정항값을 갖는 저항체를 MMIC화시켜 소자의 고집적화에 유리하고, 하이브리드 공정이 생략되고 기존의 공정에 이온주입 공정만이 추가되므로 공정이 간단하여 제조 단가를 절감할 수 있으며, 기생저항이나 기생용량을 감소시켜 고속 및 고주파 특성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1019960026918A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036374

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 최성우 ,  박성호 ,  박문평

IPC: H01L29/06

Abstract: 본 발명의 방법은 에미터, 베이스, 컬렉터 형성과 소자격리 후 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온 절연막을 형성하는 대신 고분자 화합물질인 폴리이미드를 이용한다. 폴리이미드는 큰 점도(viscosity)를 지니고 있으므로 이를 기판의 표면에 도포함으로써 단차의 커짐을 극복하고 평탄한 표면(planarized surface)을 얻게 되며, 도포된 폴리이미드를 경화 열처리(curing) 하면 이미드화(imidization)가 일어나 새로운 물질로 변화되는데, 이 변태된 물질은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 등을 대체하는 양호한 절연특성을 갖는다.

公开(公告)号：KR1019960026420A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036376

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박성호 ,  박문평

IPC: H01L21/328

Abstract: 이 발명은 이종접합구조의 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제조하는 방법에 관한 것으로, 식각선택층으로서 GaInP층을 사용하여, HBT소자 제조공정의 신뢰성과 재현성을 개선시킨 것을 특징으로 한다.
본 발명은 에디터로서 알루미늄 갈륨비소(AlGaAs)와 베이스로서 갈륨비소(GaAs)를 이용한다.

公开(公告)号：KR1019960009061A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019940019490

申请日：1994-08-08

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 최성우 ,  박성호 ,  박문평

IPC: H01L21/328

Abstract: 고 전류이득을 요구하는 광 수신기와 광전 집적회로 등의 입력버퍼, 및 고집적 회로의 출력단에 매우 유용하게 적용될 수 있는 본 발명은 에미터 주입효율을 극대화 할 수 있는 큰 에너지 갭의 GaInP를 n형 에미터로 하고, 높은 소수 운반자 농도, 낮은 표면 재결합 전류, 작은 접촉저항 및 작은 에너지 갭의 Ge을 p형 베이스로 하며, GaAs를 n형 콜렉터로 조합하여 베이스에서 에미터로의 역 정공주입을 억제시키고, 고 전류이득(super current gain)을 얻을 수 있다.