公开(公告)号：CN113632239B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202080001916.2

申请日：2020-01-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 滨中幸祐 ,  佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  G06N3/063 ,  H10N50/10

Abstract: 本实施方式提供的自旋元件具备：配线(20)；层叠体(10)，其层叠于上述配线上，包含第一铁磁性层(1)；第一导电部(30)和第二导电部(40)，从层叠方向(z)俯视时，该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层；以及中间层(50)，其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接，构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小，或者，构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。

公开(公告)号：CN111864055B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202010894087.7

申请日：2017-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成，所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内。

公开(公告)号：CN109994598B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201811562322.X

申请日：2018-12-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/01 ,  H10N52/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其在不增加在自旋轨道转矩配线层流通的电流且不施加外部磁场的情况下能够产生磁化旋转。该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿X方向延伸的自旋轨道转矩配线层和层叠于自旋轨道转矩配线层的第一铁磁性层，第一铁磁性层具有形状各向异性且在X方向具有长轴，在自旋轨道转矩配线层延伸的平面上，第一铁磁性层的易磁化轴相对于X方向以及与X方向正交的Y方向倾斜。

公开(公告)号：CN117083766A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280003859.0

申请日：2022-02-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  佐藤良明

IPC: H01P1/36

Abstract: 本发明的不可逆电路元件具有：壳体、容纳在所述壳体内的多个不可逆电路板、和与所述壳体的外表面连接的多个端子，所述多个不可逆电路板中，相邻的不可逆电路板相面对地排列，所述多个不可逆电路板分别具备：在厚度方向上依次层叠的金属层、第1绝缘层、损耗层和第1磁场施加层，所述多个不可逆电路板各自在第1端与第2端之间不可逆地传输信号，所述多个不可逆电路板各自的所述第1端和所述第2端分别与所述多个端子的不同的端子连接。

公开(公告)号：CN116806115A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310270520.3

申请日：2023-03-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：层叠体，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层以及非磁性层；和绝缘层，其覆盖所述层叠体的侧面的至少一部分且包含绝缘体，所述第一铁磁性层具有第一非氮化区域和比所述第一非氮化区域靠近所述绝缘层且含有氮的第一氮化区域。

公开(公告)号：CN110462814B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880006593.9

申请日：2018-12-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 积田淳史 ,  佐佐木智生

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/20 ,  H10N52/00 ,  H01L29/82

Abstract: 一种自旋元件(100)，其具备：元件部，其包含第一铁磁性层(1)；通电部(5)，从第一铁磁性层(1)的层叠方向(Z方向)观察，其沿第一方向(X方向)延伸且面向第一铁磁性层(1)；电流路径(10)(10A、10B)，其从上述通电部(5)至半导体电路(30)(30A、30B)，在中途具有电阻调整部(11)(11A、11B)，电阻调整部(11)的电阻值比上述通电部(5)的电阻值大，构成电阻调整部(11)的材料的体积电阻率的温度系数比上述通电部(5)的材料的体积电阻率的温度系数小。

公开(公告)号：CN110797059B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201910593777.6

申请日：2019-07-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山田章悟 ,  佐佐木智生 ,  寺崎幸夫 ,  柴田龙雄

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/56 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明提供一种磁壁移动型磁记录元件，其具备：在第一方向上层叠的第一磁化固定部、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层、夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层、和与所述磁记录层电连接的第一通孔部，从所述第一方向俯视，所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置，从所述第一方向俯视，所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分，在与所述第二方向正交的第三方向上，所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。

公开(公告)号：CN111052349B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780094298.9

申请日：2017-10-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 筱原哲人 ,  佐佐木智生

IPC: H10B61/00 ,  G11C11/16 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明提供一种该磁畴壁移动型磁记录元件，其具有：含有铁磁性体的第一铁磁性层；磁记录层，其在与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向上延伸，包含磁畴壁；非磁性层，其被夹在所述第一铁磁性层与所述磁记录层之间，所述磁记录层在侧面具有用于约束磁畴壁的凹部或凸部，在从所述层叠方向俯视时的与所述第一方向正交的第二方向上，所述第一铁磁性层的宽度比所述磁记录层的最小宽度窄。

公开(公告)号：CN110419117B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201880001280.4

申请日：2018-02-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N59/00 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明的一个方式提供一种自旋元件的稳定化方法，在具备沿第一方向延伸的通电部和层叠于所述通电部的一面且包含铁磁性体的元件部的自旋元件中，在环境温度为规定温度的情况下，沿所述通电部的所述第一方向，在规定的等待时间的间隔内，施加规定次以上电流密度为1.0×107A/cm2以上且1.0×109A/cm2以下，脉宽为规定的范围内的脉冲电流。

公开(公告)号：CN108604573B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201780009225.5

申请日：2017-04-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H01L21/8239 ,  G06N3/06 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明所涉及的磁壁利用型模拟存储元件(100)具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；磁化固定层(5)，经由非磁性层(6)被设置于第3区域；下部电极层(4)，在第3区域的设置有磁化固定层的第1面的相反的第2面上被设置于从俯视图看与磁化固定层相重叠的位置。