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公开(公告)号:CN1135651C
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN00100497.2
申请日:2000-02-02
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H03B5/1847 , H01P5/02 , H03B2201/0208
Abstract: 本发明提供了一种即使在高频状态下使用,也可以方便地对频率实施调整的共振线路。本发明所提供的共振线路具有若干个微波带状线路,而且这些微波带状线路的长度设定为其一端与接地点之间的电阻抗为等价电感,并且使它们的一端部彼此相互连接。
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公开(公告)号:CN1300131A
公开(公告)日:2001-06-20
申请号:CN00128495.9
申请日:2000-11-24
Applicant: 德国汤姆逊-布朗特公司
Inventor: 艾尔弗雷德·塞尔兹
CPC classification number: H03J5/244 , H03B5/08 , H03B2201/0208 , H03B2201/0258
Abstract: 一种含有可调谐谐振电路的振荡器,具有用于扩展调谐范围的开关(SD),该开关与两个共同确定谐振电路振荡频率的线圈(L1a,Llb)串联连接。在开关(SD)域中耦合到谐振电路的另一线圈(L2b)用于为开关提供开关电压(US)。在该配置中,第三线圈(L2b)的另一端由射频时用作短路的电容器(C6)耦合到参考电位(G),以从参考电位(G)将开关电压(US)去耦。耦合到开关二极管另一端的是另一部件(L2a),最好是与第三线圈(L2b)同样电感的第四线圈,以耗散开关电压。
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公开(公告)号:CN1276103A
公开(公告)日:2000-12-06
申请号:CN98810179.3
申请日:1998-10-09
Applicant: 摩托罗拉公司
CPC classification number: H03B5/1847 , H03B5/1209 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B7/06 , H03B2200/004 , H03B2200/0048 , H03B2200/0086 , H03B2201/0208
Abstract: 一种压控振荡器可以工作在诸如900MHz及1.8MHz的两个相差很大的频带上。压控振荡器包括两个负阻发生器(32,34),这两个负阻发生器共用一个公共可调谐振荡回路(26)以及公共的阻抗匹配组合器电路(28),该组合器电路提供RF输出(36)。VCO不使用可以降低Q及相位噪声的pin二极管, 并且VCO仅使用一个变容二极管(30)来调谐两个频率,这就减少了成本。分离的负阻发生器(32,34)用来在每个频带内提供最佳的频率选择性。
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公开(公告)号:CN1244968A
公开(公告)日:2000-02-16
申请号:CN97181357.4
申请日:1997-11-13
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/00 , H03B2201/0208
Abstract: 跟踪电谐振结构的变化谐振频率的设备,其特征在于包括一个可变频率振荡器,该可变频率振荡器提供具有包容了所述谐振结构的可能谐振频率范围的可变频率的激励信号;双向RF传输线,它将所述可变频振荡器和所述谐振结构连接在一起;定向耦合器,它被置于传输线内,产生与所述谐振结构的反射信号成比例的定向耦合器信号,所述定向耦合器信号由处理器调节以向可变频率振荡器的输入端提供反馈信号,使得所述激励信号的平均频率连续地跟踪所述谐振结构的变化谐振频率。通常对所述变化谐振频率的跟踪包括至少两个功能,用于初始搜索所述谐振结构的可能谐振频率范围的第一搜索功能,以及一旦所述谐振结构的谐振建立,用于当所述可变谐振频率以时间的函数变化的时候跟随所述可变谐振频率的第二跟随功能。
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公开(公告)号:CN1238074A
公开(公告)日:1999-12-08
申请号:CN97199871.X
申请日:1997-10-15
Applicant: 摩托罗拉公司
Inventor: 理查德·N·萨特里夫 , 希德·S·拉兹 , 马塞厄斯·F·劳里奇 , 弗拉蒂莫·特里马克
CPC classification number: H03B5/368 , H03B5/362 , H03B2200/0034 , H03B2201/0208 , H03J7/12 , H03L1/025 , H03L1/028 , H04B1/40
Abstract: 一种用于通信装置(200)的晶体振荡器模块(12)的温度补偿电路(10)。用通信装置(200)现有的微控制器(210)来为晶体振荡器(18)提供温度补偿数字化数据(30)。在这个方法中晶体振荡器模块(12)不需要板上存储器,这可以大大减少成本。温度补偿数字化数据(30)在数/模转换器中转换成控制晶体振荡器频率的温度补偿信号(22)。然而,数/模转换器一般由稳压器驱动,而稳压器的电压随温度而变。为了解决这个问题,使晶体振荡器模块(12)包括板上稳压器(34),它给数/模转换器提供特性化稳压输出(36),以便来自数/模转换器的温度补偿信号(22)对于稳压器(34)电压的变化进行固有的修正。这使得输出频率(20)的稳定性从约5ppm提高到大约2ppm。
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公开(公告)号:CN1232320A
公开(公告)日:1999-10-20
申请号:CN98127182.0
申请日:1998-12-16
IPC: H03L1/02
CPC classification number: H03L1/025 , H03B5/32 , H03B2201/0208
Abstract: 一种能够以基于EEPROM查阅表形式存储压控振荡器的温度校正数字值的数字温度补偿振荡器(TCO)系统,板上温度检测机构跟踪TCO的温度变化,产生相应于瞬时温度的模拟电压值。温度传感器输出的电压值被数字化并被用来构成基于EEPROM查阅表的地址。随温度的变化相应地改变输出,由此改变EEPROM地址。该EEPROM还包括把VCO调谐至用于发射或接收一个频率的数字化信道调谐电压值的查阅表。TCO包括微处理器,集中若干种TCO功能,如数-模及模-数变换,以及包含查阅表的EEPROM的数据的存储及检索。
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公开(公告)号:CN1229285A
公开(公告)日:1999-09-22
申请号:CN99101836.2
申请日:1999-01-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03B5/1876 , H03B5/1852 , H03B2200/0024 , H03B2200/004 , H03B2201/0208
Abstract: 具有介质谐振器的高频组件,包括介质片;形成在介质片的每一个主表面上的电极开口,所述电极开口要对齐从而使之成为介质谐振器;叠在介质片上的基片;设置在其上的传输线,以耦合到介质谐振器。传输线中的一根设置在大致上沿开口的边缘与开口内侧相符合的位置处。
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公开(公告)号:CN1218588A
公开(公告)日:1999-06-02
申请号:CN97194479.2
申请日:1997-02-07
Applicant: 惠普公司
Inventor: R·K·卡尔奎斯特
CPC classification number: H03L5/00 , H03B5/38 , H03B2201/0208 , H03B2201/031 , H03L7/02
Abstract: 一种用于改善振荡器电路产生的振荡器信号的振荡频率稳定性的设备和方法。在本发明的一个优选实施例中,一个石英晶体谐振器是电桥的一个臂,电桥产生一个按照谐振器的振荡频率而变的电桥信号。一个同步解调器响应于电桥信号产生一个误差信号。控制电路接收该误差信号,并且当谐振器不再在它的未受扰动的谐振频率振荡时改变它的电抗,使连接到控制电路的谐振器的振荡频率返回到它的谐振频率。还包括一个自动电平控制电路,以控制激励谐振器的信号的驱动电平。
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公开(公告)号:CN1175817A
公开(公告)日:1998-03-11
申请号:CN97116119.4
申请日:1997-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03L7/189 , H03B5/368 , H03B2201/0208 , H03B2201/0283 , H03L1/025 , H03L7/099 , H03L2207/06
Abstract: 本发明揭示一种频率可控振荡器。它具有产生可控频率信号的第1部分;响应于第1控制信号控制所述第1部分产生的信号频率的第2部分;响应独立于所述第1控制信号的第2控制信号,控制所述第1部分产生信号频率的第3部分。具有结构简单、可控频率范围宽及频率精度高的优点。
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公开(公告)号:CN108027241A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680052573.6
申请日:2016-09-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 马库斯·林基奥
IPC: G01C19/5712 , B81B3/00
CPC classification number: H03B5/30 , B81B3/0045 , G01C19/5712 , H03B2201/0208
Abstract: 一种微机电装置结构包括支承结构晶片(310)。在支承结构晶片中的腔内形成腔电极(130)。腔电极形成从腔的基部朝向功能层(300)的突出结构,并且腔电极连接至限定电位。腔电极包括在支承结构晶片中的腔内的硅柱,该硅柱部分地或完全地被腔包围。可以使用一个或多个腔电极来调节在功能层内发生的振荡的频率。
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