公开(公告)号：CN107615469A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029024.7

申请日：2016-03-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 加藤正弘

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明提供一种半导体晶圆的评价方法，包含以DWO以及DNO两种检测模式，检测调查用样品的半导体晶圆表面的LPD；进行LPD的尺寸分类；自以两种检测模式所检测出的LPD的检测坐标，计算两种检测模式中检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；将各经分类的尺寸预先设定将LPD判定为异物或致命缺陷的判定基准；以两种检测模式测定评价对象半导体晶圆的LPD；进行评价对象的LPD的尺寸分类；关于评价对象，计算检测坐标间的距离及相对于晶圆中心的相对角度；以及基于计算结果及判定基准，将评价对象的半导体晶圆表面所检测出的LPD分类为致命缺陷及异物。

公开(公告)号：CN105264641B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201480028918.5

申请日：2014-03-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚徹 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/187 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。

公开(公告)号：CN107530867A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680024410.7

申请日：2016-03-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宇佐美佳宏

IPC: B24D7/06 ,  B24D3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨用磨石，于圆环状底座的外周配置有多个陶瓷黏合剂研磨片，并于旋转圆环状底座的同时以研磨片研磨工件，其中陶瓷黏合剂研磨片，为长方体，具有位于圆环状底座的相反侧的研磨工件的长方形的研磨面以及与研磨面相邻的四个侧面，其中侧面彼此之间的四个棱部作C倒角，研磨面的长边沿圆环状底座的外周而配置，四个棱部为研磨面的短边的长度的五分之一以上的范围作C倒角。如此一来，能提供一种研磨用磨石，在研磨时不至于破损，并能以简单的成型来抑制由于对工件中心部的过度的切入所引起的工件的严重损伤。

公开(公告)号：CN107427989A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680014659.X

申请日：2016-03-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大关正彬 ,  佐藤三千登

IPC: B24B37/30 ,  B24B41/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的研磨头的制造方法，包含下列步骤：于中板的下端面形成自非压缩性流体的注入口延伸至中板的外周部的沟槽与自空气的排出口延伸至中板的外周部的沟槽；在刚性环的下端面贴附弹性膜并且将刚性环的上端面与中板的下端面结合后将空间部内减压；在减压步骤后，自注入口注入非压缩性流体至空间部的同时，自排出口排出空间部内的空气，通过封闭注入口与排出口将非压缩性流体封装于空间部。因此在制造于空间部封装非压缩性流体的研磨头的情况下，作业性佳，易于控制非压缩性流体量，并且能降低残留在空间部的空气量。

公开(公告)号：CN105980105B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580006664.1

申请日：2015-01-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 安田太一 ,  榎本辰男

IPC: B24B37/34 ,  B24B7/17 ,  B24B37/08 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/042 ,  B24B37/08 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明为一种工件的加工装置，其是将工件插入载具的保持孔并进行保持，使上磨板下降至固定位置，通过所述上磨板和下磨板将保持有所述工件的所述载具夹入，并同时加工所述工件两面的工件的加工装置，其特征在于，具有存储介质，其预先记录在所述工件被正常保持于所述载具的保持孔中的状态下使所述上磨板下降至所述固定位置时的研磨负载；还具有控制装置，其计算出在所述工件被保持于所述载具的保持孔中的状态下使所述上磨板下降至所述固定位置时的研磨负载与记录于所述存储介质中的研磨负载的差，在该计算出的差超过阈值的情况下，判断为所述工件保持异常。由此，能够在工件加工前短时间内高精度地检测出工件保持异常，防止工件或加工装置的破损。

公开(公告)号：CN105980103B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580008363.2

申请日：2015-01-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宇佐美佳宏

IPC: B24B7/17 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B7/17 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明是一种工件的双头磨削方法，其通过环状支持器将薄板状的工件沿着径向从外周边侧支承并使其自转，并且通过一对磨石来同时磨削通过所述环状支持器所支承的所述工件的双面，该工件的双头磨削方法的特征在于，相对于所述工件的每1μm的磨削加工量，将所述磨石的磨耗量设定为0.10μm以上且0.33μm以下，来同时磨削所述工件的双面。由此，提供一种工件的双头磨削方法，其在双头磨削步骤中，能够不使平坦度恶化地，降低在切片步骤等前面步骤所形成的纳米形貌。

公开(公告)号：CN105358743B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201480036286.7

申请日：2014-05-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高沢雅纪

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种单晶制造装置，其特征在于，具备坩埚、主腔室、提拉腔室、整流筒、籽晶夹头及保温板，所述主腔室收纳加热器；所述提拉腔室中单晶被提拉而收容；所述整流筒为圆筒状，从主腔室的顶部向下方延伸设置，具有导通单晶的开口部；所述籽晶夹头用于保持籽晶；所述保温板在加热并熔融原料时，设置于整流筒的开口部下端，在提拉单晶时，与籽晶一起被提拉，籽晶夹头具备用于安装保温板的安装件，该安装件具有使保温板可独立于籽晶夹头的旋转而旋转地进行安装的机构。由此可提供一种单晶制造装置，其能够容易地导入，能够在加热器的电力为低功率的条件下使原料熔融，能够抑制引晶时位错的产生，在提拉单晶时能够抑制单晶的位错化。

公开(公告)号：CN107148666A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201680004879.4

申请日：2016-01-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐佐木拓也 ,  田中佑宜

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/24

Abstract: 本发明提供一种抛光布的整理方法，该抛光布用于抛光硅晶圆，该整理方法包含：将由聚胺酯树脂所制的抛光布贴附于抛光机而进行修整后，进行假抛光，接着，通过假抛光进行去除蓄积于抛光布中的抛光残渣的处理，接着，测定抛光布中的抛光残渣量，且基于所测定的抛光残渣量而判定经该假抛光后的抛光布的整理状态。由此，能改善抛光布寿命初期的微粒等级。

公开(公告)号：CN107078057A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056672.7

申请日：2015-09-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  樱田昌弘 ,  高桥修治

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。

公开(公告)号：CN103906601B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201280051638.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北川幸司

IPC: B24B37/00 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1472 ,  B28D5/007 ,  B28D5/045 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/304 ,  Y02P70/179

Abstract: 本发明是一种浆液的制造方法，其特征在于，将利用辊磨机或球磨机粉碎的磨粒的一部分或全部，利用喷射磨机进行再次粉碎，由此使上述磨粒的平均圆度为0.900以上，并将该平均圆度为0.900以上的磨粒和冷却剂混合而制造上述浆液。而且，本发明是一种浆液，其特征在于，混合在浆液中的磨粒的平均圆度为0.900以上。由此，在通过线锯的工件的切断中，即便在为了减少切口损失而使用磨粒直径比磨粒粒度号#2000的磨粒直径更小的磨粒的情况下，也能够抑制由于磨粒浓度的降低所导致的切断能力的降低，进而能够抑制由于切断质量的变差和生产率的降低所导致的成本增加。