公开(公告)号：CN117672309A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311028190.3

申请日：2023-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  金志荣 ,  金智源 ,  成锡江 ,  梁宇成

IPC: G11C16/06 ,  H01L21/768 ,  H10B41/40

Abstract: 提供了一种具有改进的裂纹检测可靠性的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：字线，在第一方向上延伸；单元接触插塞，电连接到字线并在与第一方向相交的第二方向上延伸；网状裂纹检测电路，在字线上且不与字线接触；以及环形裂纹检测电路，在字线上且不与字线接触，其中，网状裂纹检测电路电连接到外围电路区域中的裂纹检测晶体管，环形裂纹检测电路包括在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸的第一裂纹检测金属布线、以及在第三方向延伸的第二裂纹检测金属布线。

公开(公告)号：CN117412600A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310516799.9

申请日：2023-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金智源 ,  金志荣 ,  金度亨 ,  成锡江 ,  二山拓也

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 公开了一种半导体装置和电子系统，半导体装置包括第一衬底上的外围电路结构、外围电路结构上的单元阵列结构和单元阵列结构上的背侧结构。该单元阵列结构包括：堆叠结构，其包括交替堆叠的栅电极和层间电介质层；穿通插塞，其在第一方向上延伸穿过堆叠结构，并且每个穿通插塞包括与背侧结构相邻的第一表面和与第一表面相对的第二表面；中间电路结构，其位于堆叠结构和外围电路结构之间，并且连接到外围电路结构；以及连接插塞，其连接到中间电路结构和背侧结构。穿通插塞包括通过第一表面连接到背侧结构的第一穿通插塞以及通过第二表面连接到中间电路结构的第二穿通插塞。

公开(公告)号：CN117241586A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310599270.8

申请日：2023-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  金度亨 ,  金智源 ,  成锡江

IPC: H10B43/20 ,  H10B43/50

Abstract: 根据本公开的一些实现方式，一种半导体存储器装置包括：半导体层，所述半导体层包括第一面和第二面，所述第二面在从所述第一面到所述第二面的向上指向的第一方向上与所述第一面相反；源结构，所述源结构包括：板，所述板设置在所述半导体层的所述第二面上；以及插塞，所述插塞从所述板延伸穿过所述半导体层；多个栅电极，所述多个栅电极设置在所述半导体层的所述第一面上并且按顺序彼此堆叠；以及通道结构，所述通道结构延伸穿过所述多个栅电极并且设置在所述插塞上，其中所述通道结构电连接到所述源结构。

公开(公告)号：CN108075744B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201710865069.4

申请日：2017-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申殷昔 ,  安世罗 ,  朴宰琎 ,  李升勋 ,  金度亨 ,  姜敏瑩

IPC: H03H9/17 ,  G01N27/00

Abstract: 提供薄膜体声波谐振振荡器和气体感测系统及其操作方法。可以包括在气体感测系统中的谐振振荡器可以包括可以通过导线电连接到外部谐振器的振荡器。振荡器可以产生具有与振荡路径中的外部谐振器的谐振频率对应的频率的振荡信号。振荡路径上的虚谐振去除电路可以从振荡路径去除由导线引起的虚谐振。气体感测系统可以包括：振荡器；谐振器，包括被配置为感测气体的传感器；频率计数逻辑，接收振荡信号和参考时钟信号，根据参考时钟信号的逻辑状态对振荡信号执行计数操作以产生计数值，并基于计数值产生指示感测气体的气体感测输出。

公开(公告)号：CN110344026B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201910071759.1

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  韩东勋 ,  金度亨 ,  朴景旭 ,  裴钟容 ,  李先秀 ,  李寅载 ,  李全一 ,  林彩默

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了一种层沉积方法和层沉积设备。在层沉积方法中，将基底装载到工艺腔室中。将气体充入气体填充罐至预定充入压强。升高气体的压强至大于预定充入压强的压强。将气体导入工艺腔室中。

公开(公告)号：CN108364937B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201810077733.3

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  金度亨 ,  李斗荣 ,  罗炫旭 ,  李书范 ,  李元赫

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。

公开(公告)号：CN114446333A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111023760.0

申请日：2021-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在光 ,  张东民 ,  朴焕旭 ,  张宰硕 ,  金度亨

IPC: G11C5/02

Abstract: 提供了一种模块板和包括模块板的存储器模块。模块板包括多个第一左端子和多个第一右端子。多个第一左端子中的每一个包括依次连接且依次设置的左上体、左下体和左下杆，多个第一右端子中的每一个包括依次连接且依次设置的右上体、右下体和右下杆，并且左上体和右上体中的每一个的第一宽度大于左下杆和右下杆中的每一个的第二宽度。

公开(公告)号：CN108604363B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201780008696.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤美 ,  金度亨 ,  金兑妍 ,  苏希宣 ,  千佳元

IPC: G06Q50/12 ,  G06F1/16 ,  G01L5/00 ,  A61B5/00 ,  H02J50/12 ,  H02J7/02 ,  H04W4/80 ,  H04M1/04 ,  H04M1/72412 ,  H02J7/00 ,  H04W76/30 ,  H02J50/10 ,  H04L67/563 ,  H04L65/60 ,  H04L67/10

Abstract: 提供了一种电子设备。该电子设备包括外壳；被配置为通过使用第一通信信道执行与移动设备的短距离通信以及通过使用第二通信信道执行与外部输出设备的无线通信的通信电路；和控制电路，其被配置为当移动设备位于外壳上或紧邻外壳时，通过第一通信信道获得由移动设备正在输出的内容，以及通过第二通信信道将获得的内容发送到外部输出设备。

公开(公告)号：CN113777889A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110284405.2

申请日：2021-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  洪成哲 ,  金仁晟 ,  朴珍洪 ,  李贞彻

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了半导体制造装置及其操作方法。半导体制造装置包括振荡单元和极紫外生成单元，振荡单元包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，第一种子激光器使第一脉冲振荡，并且其中，第二种子激光器使第二脉冲振荡，并且极紫外生成单元被配置为使用第一脉冲和第二脉冲生成极紫外光。种子模块包括多个反射镜以及脉冲控制光学系统，多个反射镜被配置为使第一脉冲和第二脉冲分别沿着第一路径和第二路径行进，并且脉冲控制光学系统包括第一光学元件、第二光学元件和第三光学元件。脉冲控制光学系统在不与第一路径重叠的第二路径上。第三光学元件包括第一光学元件与第二光学元件之间的透镜。

公开(公告)号：CN111309091A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911225501.9

申请日：2019-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  姜敏莹

IPC: G05F3/26 ,  G01R19/00

Abstract: 提供了一种半导体设备，并且其包括：电压感测电路，配置为基于施加到其的目标电压输出第一感测电压和第二感测电压；和比较电路，配置为基于第一感测电压和第二感测电压的电平生成监测输出信号，其中，电压感测电路包括：第一晶体管，包括用于接收参考偏置电压的栅极、连接到输入节点的源极、和连接到第一电阻性元件的一端的漏极；第二晶体管，与第一晶体管被提供在电流镜结构中，并且包括连接到第三电阻性元件的漏极；和第二电阻性元件，其连接到第一电阻性元件的另一端，第一感测电压被提供给第二电阻性元件的两端，并且第二感测电压被提供给第三电阻性元件的两端。