基于线性运算的时间交织ADC采样时间适配矫正方法

    公开(公告)号:CN117879604A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410149802.2

    申请日:2024-02-02

    Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域,公开了基于线性运算的时间交织ADC采样时间适配矫正方法,其包括误差提取、斜率提取与误差运算。误差提取步骤用于提取当前ADC采样通道时刻与前、后通道采样时间的中心点的偏离程度。斜率提取步骤通过改变通道的延时,提取出对应于当前信号的偏离程度对时间的变化率。误差运算步骤利用提取的斜率和各通道的误差值,计算出各通道的补偿值。本发明的有益效果为:本发明利用斜率计算,切断了误差的传递,一次性得出所有通道的补偿值。在同样的时钟周期下,本算法能够更快且更精确的收敛到解。本发明尤其适用于超多通道、所需矫正量随时间变化较快的模数转换器上。

    一种芯粒间TSV测试电路及测试方法

    公开(公告)号:CN117517932B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311844340.8

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计领域,公开了一种芯粒间TSV测试电路及测试方法,通过芯粒测试配置电路配置测试路径、测试指令和读写数据寄存器;通过读写数据寄存器组接收测试向量和捕获测试响应;通过TSV阵列测试控制电路控制TSV测试的初始化、测试、捕获操作;通过地址解码电路选择TSV阵列中的待测行;通过测试向量生成电路生成测试TSV所需的测试向量;通过比较电路判断测试TSV是否存在故障;通过TSV接收阵列和TSV发送阵列控制测试向量在TSV上的发送与测试响应的接收。本发明所提出的测试电路满足芯粒间TSV的测试需求,减少了硬件面积的占用,测试过程高度自动化,芯粒测试成本下降。

    一种基于占空比检测的晶体振荡器

    公开(公告)号:CN115800927A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202310046966.8

    申请日:2023-01-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器,包括第一反相器,电阻,第一、第二负载电容,第一~四开关,石英晶体,缓冲器,采样保持模块,第一、第二比较器,相位转换模块,数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入,对石英晶体的另一端信号通过采样处理,经第一比较器获得表征相位误差累积的信息,即占空比在不断变化的信号,最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测,得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上,通过检测占空比和精准地切换相位,保证了能量可持续性地注入,实现了晶体振荡器的快速启动。

    一种基于可调增益时间放大器的时间-数字转换器

    公开(公告)号:CN113114259A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110504208.7

    申请日:2021-05-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于可调增益时间放大器的时间‑数字转换器,属于数模混合集成电路技术领域。包括粗级时间‑数字转换器CTDC、时间放大器TA和细级时间‑数字转换器FTDC;所述粗级时间‑数字转换器CTDC的两个输入端分别外接输入START和STOP信号;所述时间放大器TA包括误差提取电路、数字模块、脉冲提取电路和误差求和电路,所述误差提取电路用于将START信号和STOP信号的相位差提取出来;所述脉冲提取电路用于提取脉冲,所述误差求和电路用于将并行的误差信号合并成串行的。本发明能够并行提取多个误差信息,而不是对于单个误差的放大,线性度高;同时,在提取误差和误差求和时,简化了对误差信号的处理过程,防止在处理过程中引入新的误差,确保了放大时的精确度。

    一种叠层芯片热性能优化方法

    公开(公告)号:CN110414158A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910705941.8

    申请日:2019-07-31

    Abstract: 本发明提供一种叠层芯片热性能优化方法,所述优化方法步骤为步骤一:根据芯片各个组件的初始尺寸和相应的材料仿真获得芯片的初始结温值;步骤二:选取影响结温的七种因素,并确定合适的正交表;步骤三:采用正交表的极差分析得到影响趋势图,观察图中各个因素在不同取值情况下的变化范围从而得到影响结温的主要因素以及各个因素的最优值;步骤四:将各个因素的最优值组合后仿真获得最优结温,将最优结温与之前的初始结温作比较,发现结温有明显下降,芯片热性能得到优化。采用所述优化方法后,最终结温的优化值比初始结温值降低8.38%。

    基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器

    公开(公告)号:CN110212914A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910653701.8

    申请日:2019-07-18

    Abstract: 本发明提供一种基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器,包括负阻模块、电感L和多阶桥接电容阵列,负阻模块包括PMOS晶体管Mp和NMOS晶体管Mn,负阻模块的正端口连接电感L的上端,负阻模块的负端口接电感L的下端;负阻模块的正端口分别接PMOS晶体管Mp的栅极与NMOS晶体管Mn的漏极,负阻模块的负端口分别接PMOS晶体管Mp的漏极与NMOS晶体管Mn的栅极;PMOS晶体管Mp的源极接电源,NMOS晶体管Mn的源极接地;电感L与多阶桥接电容阵列并联;本发明通过改变振荡器开关电容调谐模块的结构,在原来频率分辨率的基础上,使得频率分辨率提高为原来的几百倍,从而获得更高精度的频率分辨率,同时具有较高的线性度、频率稳定度。

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