公开(公告)号：CN105256287A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510767278.6

申请日：2015-11-11

Applicant: 南通大学 ,  史敏

Inventor： 王志亮 ,  尹海宏 ,  宋长青 ,  张金中 ,  史敏

IPC: C23C16/40

Abstract: 一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611？，c=7.942？；采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。

公开(公告)号：CN104862664A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510257345.X

申请日：2015-05-19

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  尹海宏 ,  宋长青 ,  史敏

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种专门用于原子层化学气相沉积技术的图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，所使用的原料包括三甲基铝、惰性气体、臭氧和片状衬底，所述图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，利用磁力夹持法将衬底固定于特制的样品托盘上，在衬底上表面覆盖有具有所需图形的金属掩膜版，采用原子层化学气相沉积技术制备得到图形化的氧化铝超薄薄膜。该方法可使氧化铝超薄薄膜免受杂质离子污染，图形边缘清晰，无侧向侵入现象，薄膜不易受损伤，工艺简单。

公开(公告)号：CN103801285A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410045544.X

申请日：2014-02-08

Applicant: 南通大学

Inventor： 尹海宏 ,  宋长青 ,  王志亮 ,  陈云 ,  施敏 ,  张雪锋 ,  黄静 ,  郭兴龙

IPC: B01J23/22 ,  B01J35/02 ,  A62D3/17 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  A62D101/26 ,  A62D101/28

Abstract: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料通过热蒸发法合成单晶棒状ZnO纳米材料；再通过化学气相沉积法，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，氮气保护下，在以棒状ZnO纳米材料表面沉积V2O5的前驱体；最后将包覆后的材料通过热氧化的形成V2O5@ZnO核壳结构光催化材料。本发明的核壳光催化材料形貌可控，重复性强，材料结构稳定，光催化效果好，本发明方法工艺简单，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103257178A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310147621.8

申请日：2013-04-25

Applicant: 南通大学

Inventor： 陈云 ,  尹海宏 ,  宋长青 ,  黄静 ,  朱海峰 ,  施敏 ,  张振娟

IPC: G01N27/68 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种一维纳米电极材料及其制备方法与应用。该一维纳米电极材料包括硅片衬底、以及直立于硅片衬底上的硅纳米线阵列；该一维纳米电极材料还包括二氧化硅膜和氮化硅膜；硅片衬底表面两端分别覆有二氧化硅膜；氮化硅膜沉积于对应的二氧化硅膜表面；未被二氧化硅膜覆盖的硅片衬底表面经刻蚀形成上述硅纳米线阵列；二氧化硅膜和氮化硅膜的总厚度为0.5μm～10μm。利用本发明搭建的电离结构空气中电离的击穿电压低，适用于日常的便携式器件的使用。