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公开(公告)号:CN101831253A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN201010133392.0
申请日:2010-03-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , C09J133/066 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明涉及半导体晶片保护用无基材压敏粘合片、使用压敏粘合片研磨半导体晶片背面的方法和生产压敏粘合片的方法。本发明提供半导体晶片保护用无基材压敏粘合片,其在研磨半导体晶片背面时粘贴至该半导体晶片正面,该压敏粘合片由压敏粘合剂层组成,其中该压敏粘合剂层由UV固化型压敏粘合剂形成,该UV固化型压敏粘合剂包含主要由丙烯酸类单体可聚合化合物形成的聚合物,所述粘贴至半导体晶片正面的压敏粘合剂层表面的压敏粘合力大于其相反面的压敏粘合力,和该压敏粘合剂层具有0.01MPa至500MPa的初始弹性模量。
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公开(公告)号:CN101638566A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200910160246.4
申请日:2009-07-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/06 , C09J133/14 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J9/00
CPC classification number: C09J133/066 , C08L2312/06 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明的目的在于提供一种再剥离型粘合剂,该粘合剂能够通过由放射线照射引起的固化反应充分地降低粘合力,同时能够减少液体渗入性,从而能够将液体等导致的粘合力下降或粘合剂的断裂以及半导体晶片等的污染最小化。一种再剥离型粘合剂,包含放射线反应性聚合物和放射线聚合引发剂,其中,所述放射线反应性聚合物具有来自于由式CH 2 =CR 1 COOR 2 (式中,R 1 表示氢原子或甲基,R 2 表示碳原子数6以上的烷基)表示的一种以上单体的侧链和具有一个碳碳双键的侧链,并且所述单体以构成所述放射线反应性聚合物主链的全部单体的50摩尔%以上的比例聚合。
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