公开(公告)号：CN1136612C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN99110391.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1277 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。

公开(公告)号：CN1132222C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN99121082.4

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择生地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1123934C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN99121081.6

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1115722C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN96103218.9

申请日：1993-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  安达广树 ,  小山到 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/84 ,  Y10S438/911

Abstract: 本发明公开了一种制造绝缘栅型场效应晶体管的改进的方法的。根据此方法，栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液巾，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀除去连接的布线。

公开(公告)号：CN1095204C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN94104268.5

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成棚绝缘膜和棚电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1348199A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01133094.5

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件,例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下,选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物,得到结晶硅膜,再以它们作起始点,在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜,然后再使其热结晶化,构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时,得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1076864C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN93109565.4

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/322

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法，所述方法包括通过用波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤，其中，所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜，如氧化硅之类的薄膜，其厚度为3至300nm，所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为E(MJ/cm2)，并满足关系式：log10N≤-0.02(E-350)，其中N是脉冲式激光束的发射数目。

公开(公告)号：CN1316769A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN00134482.X

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1283868A

公开(公告)日：2001-02-14

申请号：CN99118056.9

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1055790C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。