-
公开(公告)号：CN101114611A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710137128.2
申请日：2007-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除光吸收层的照射区及绝缘层的照射区以在光吸收层及绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。
-
公开(公告)号：CN101064320A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102484.0
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/76264 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种半导体器件，它包括位于绝缘表面上的半导体层以及位于该半导体层上的绝缘层。该半导体层包括至少两个元件区域以及一个元件隔离区域。该元件隔离区域被设置在这两个元件区域之间。元件隔离区域包括选自氧、氮和碳中的至少一种杂质元素。与上述两个元件区域之一中所包括的第一源极和漏极区域以及上述两个元件区域中的另一个元件区域中所包括的第二源极和漏极区域相比，元件隔离区域具有更高的阻抗。
-
公开(公告)号：CN101048869A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036324.X
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C17/14 , G11C17/143 , G11C17/16 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。
-
公开(公告)号：CN1938853A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010159.0
申请日：2005-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06K19/0723 , G11C13/0004 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 本发明提供包含简单结构的存储器以提供便宜半导体器件的半导体器件及其驱动方法。本方明的半导体器件包括包含具有多个存储单元的存储单元阵列的相变存储器，控制该相变存储器的控制电路，和天线。该存储单元阵列包含多个在第一方向上延伸的位线和在垂直第一方向的第二方向上延伸的字线。多个存储单元中的每一个包含提供在位线和字线之间的相变层。在具有前述结构的半导体器件中，形成位线的传导层和形成字线的传导层中的一个或者两个透光。
-
公开(公告)号：CN1937870A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139636.X
申请日：2001-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/006 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2320/043 , H01L27/3244 , H01L51/0087 , H01L51/5206 , H01L2251/568
Abstract: 提供了修复发光设备的方法，它使得高质量图象显示成为可能即使在EL层得形成期间形成了小孔。修复发光设备的方法特征为在给定时间间隔中将反偏压电压施加到EL元件上因此减少当反偏压电压施加到EL元件上的时候流入EL元件的电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1928149A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610128180.7
申请日：2006-09-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/0021 , C23C14/042 , C23C14/246 , C23C14/26 , C23C14/28 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/568 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种沉积装置，该沉积装置设置有与在其上沉积薄膜的衬底相对的并能够根据衬底表面而移动的蒸发源，还设置有用于将蒸发材料供给至蒸发源的工具(蒸发材料供给工具)。由移动工具支持蒸发源，该移动工具能够扫描其上沉积薄膜的衬底表面。该蒸发材料供给工具使用下述方法：通过气流供给蒸发材料粉末的方法、将蒸发材料溶解或分散在溶剂中并雾化该材料液体而进行供给的方法、或者以棒状、线状、粉末状以及通过机械机构附着到柔性薄膜的状态供给蒸发材料的方法。
-
公开(公告)号：CN1917220A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610139856.2
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/42384
Abstract: 通过使用很少数目的光掩膜，得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中，使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜，在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中，在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中，还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中，在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。
-
公开(公告)号：CN1909751A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610110927.6
申请日：2006-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14645 , H01L27/3227 , H01L27/3253 , H01L27/3288 , H01L2227/326 , Y10S257/918
Abstract: 为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
-
公开(公告)号：CN1855579A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610082089.6
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5012 , Y10S428/917
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有高发光效率、较少缺陷并和低电压的发光元件，以及含有这样的发光元件的发光器件。本发明的另一个目的是提供一种与传统的方式相比更简单的制备这样发光元件的方法。本发明的一种发光元件包括一对电极、含有复合材料的层和发光区域；其中含有复合材料的层含有有机化合物和无机化合物；发光区域包含高发光性材料和高载流子传输性材料，高发光性材料的高浓度区域和高载流子传输性材料的高浓度区域在该发光区域中交替层叠。
-
公开(公告)号：CN1855573A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610084049.5
申请日：2006-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L21/02175 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/31683 , H01L51/0002 , H01L51/0055 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566
Abstract: 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm－3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
207
records
(took 0.053 seconds)
