치료진단 나노입자
    102.
    发明公开
    치료진단 나노입자 无效
    神经性纳米颗粒

    公开(公告)号:KR1020160144068A

    公开(公告)日:2016-12-16

    申请号:KR1020150080347

    申请日:2015-06-08

    Abstract: 치료진단나노입자가제공된다. 상기치료진단나노입자는, 금속나노막대, 상기금속나노막대를둘러싸는다공성쉘, 및상기다공성쉘을둘러싸고, 감열성을갖는고분자캡슐층을포함한다. 상기치료진단나노입자는복합치료가가능하여치료효과가우수하고, 표적화된치료가가능하여부작용을최소화할수 있으며. 암세포등의이미징에의한추가적인진단이가능하고, 능동적표적화에의해치료효과를향상시킬수 있다.

    생흡수성 전자 스텐트
    103.
    发明公开
    생흡수성 전자 스텐트 有权
    可生物电子支架

    公开(公告)号:KR1020160105172A

    公开(公告)日:2016-09-06

    申请号:KR1020150028500

    申请日:2015-02-27

    CPC classification number: A61F2/82 A61L27/14 A61L27/54 A61L27/56

    Abstract: 본발명은생흡수성전자스텐트에관한것이다. 보다상세하게는, 본발명은생흡수성비휘발성저항기억소자; 생흡수성유속센서; 생흡수성온도센서; 세륨산화물나노입자를함유하는생분해성제1 고분자층; 및근적외선의조사에의해발열하여약물방출의동력을제공하는금속나노입자로이루어진코어와, 약물의적재와방출이이루어지는메조기공성실리카쉘을포함하는약물방출나노구조체를함유하는생분해성제2 고분자층으로이루어진약물전달층을포함하는, 생흡수성전자스텐트에대한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及生物可吸收的电子支架。 更具体地,本发明涉及一种生物可吸收性电子支架,其包括:生物可吸收的非易失性电阻存储装置; 生物可吸收流速传感器; 生物可吸收的温度传感器; 含有氧化铈纳米颗粒的第一种可生物降解的聚合物层; 以及由包含药物发射纳米结构的第二生物可降解聚合物层制成的药物递送层,其包括由金属纳米颗粒构成的核,用于通过照射近红外线并发射热量来提供用于发射药物的电力,并且包括介孔二氧化硅壳 用于装卸药物。 该支架可用于在催化ROS去除和热疗的基础上具有高级药物释放的治疗方法。

    표면개질된 은 나노와이어 및 이의 제조 방법
    106.
    发明公开
    표면개질된 은 나노와이어 및 이의 제조 방법 有权
    表面改性银纳米线及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150125557A

    公开(公告)日:2015-11-09

    申请号:KR1020150038607

    申请日:2015-03-20

    Abstract: 본발명은표면개질된은 나노와이어및 이의제조방법에관한것이다. 보다상세하게는, 본발명은 C-C알킬아민또는 C-C티올화합물과, 폴리비닐피롤리돈으로피복된은 나노와이어및 이의제조방법에대한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种表面改性的银纳米线及其制造方法。 更具体地,本发明涉及用C 6 -C 18烷基胺或C 6 -C 18硫醇化合物和聚乙烯吡咯烷酮包覆的银纳米线及其制备方法。

    비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법
    109.
    发明公开
    비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 有权
    非易失性电阻记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150101866A

    公开(公告)日:2015-09-04

    申请号:KR1020140023701

    申请日:2014-02-27

    CPC classification number: H01L45/146 G11C13/0007 H01L45/08 H01L27/11563

    Abstract: 본 발명은 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전도체 층 사이에 형성된 부도체 층으로 이루어지는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극에 인접하여 형성된 제1 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 상기 제1 금속산화물 부도체 층에 인접하여 형성된 금속 나노입자 층; 상기 금속 나노입자 층에 인접하여 형성된 제2 금속산화물로 이루어진 부도체 층; 및 상기 제2 금속산화물 층에 인접하여 형성된 제2 전극을 포함하는, 비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性电阻变化存储装置及其制造方法。 形成在导体层之间的由非导体层构成的非易失性电阻变化存储器件包括:第一电极; 由与第一电极相邻形成的第一金属氧化物制成的非导体层; 与第一金属氧化物半导体层相邻形成的金属纳米颗粒层; 由与金属纳米颗粒层相邻形成的第二金属氧化物制成的非导体层; 以及与第二金属氧化物层相邻形成的第二电极。

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