Abstract:
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 공진기 덤핑을 이용한 완전 광신호 파장 변환기 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 공진하고 있는 광 루프 거울에 신호광을 입사시키고, 입사된 신호광에 의해 유도되는 광 루프 거울내의 위상변화에 기인한 공진기 덤핑(cavity dumping)을 파장 변환 원리로 사용하여 파장 변환을 수행하는 완전 광신호 파장 변환기를 제공하고자 함. 3. 발명의 해결방법의 요지 본 발명은 선형 공진기를 이용하여 원하는 파장의 광신호를 선택하여 증폭하고, 공진하고 있는 광 루프 거울내로 입사된 신호광에 의해 유도되는 루프거울내의 위상변화에 따른 공진기 덤핑(cavity dumping)을 파장 변환 원리로 사용하여 신호광을 원하는 광신호의 파장으로 변환하여 출력하므로써, 입력 신호의 시간 대역폭에 대한 제한이 거의 없는 초고속 변환이 가능하고, 출력되는 공진기광의 파장을 원하는 파장으로 조절할 수 있다. 4. 발명의 중요한 용도 초고속 파장 분할 다중화(WDM) 광통신 시스템에 이용됨.
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1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 향상된 출력광펄스의 반복율을 갖는 광섬유 레이저 시스템 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 극초단의 광펄스폭를 얻을 수 있는 동시에 , 광손실을 최대한으로 줄이면서 출력 광펄스의 반복율을 향상시킬 수 있는 수동형으로 모드록킹된 광섬유 레이저 시스템을 제공하고자 함. 3. 발명의 해결 방법의 요지 수동형으로 모드록킹된 광섬유 레이저 시스템에 있어서, 비선형 증폭 거울 및 선형고리부로 구성된 주공진기; 상기 주공진기의 선형고리부 광선로상의 소정 위치에 배치된 서브-링 공진기; 및 상기 주공진기의 선형고리부의 광선로 상의 다른 소정 위치에 배치되어 상기 서브-링과 주공진기의 일주 길이를 적절히 조화시키기 위한 광지연 수단을 포함하여 이루어진 광섬유 레이저 시스템을 제공함. 4. 발명의 중요한 용도 종래의 레이저 시스템에서 광지연선로가 서브-링에 내재된 관계로 구조적으로 제한되었던 반복율을 10배 이상 향상시키며, 동시에 짧은 시간폭의 광펄스를 얻을 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
A light emitting device according to the embodiment of the present invention includes an organic light emitting device layer which is formed on a substrate, a sealing layer which is provided on the substrate and covers the organic light emitting device layer, a barrier layer which is separated from the organic light emitting layer on the substrate, a panel light emitting layer which is provided between the sealing layer and the barrier layer, and an adhesive layer which is extended along the edge of the substrate and surrounds the organic light emitting device layer and the panel light emitting layer. The panel light emitting layer includes a getter part and an adhesive part which are alternatively arranged. The getter part has a square cross section. The cross section with a lattice pattern is provided by the getter part and the adhesive part.
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A hybrid light emitting device by an embodiment of the present invention comprises a first light emitting unit, a capping layer, and a second light emitting unit on a substrate. The first light emitting unit includes generates light with a first wavelength and includes a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode laminated on the substrate in order. The second light emitting unit emits light with a second wavelength. The capping layer is interposed between the organic light emitting layer and the second light emitting unit. The capping layer reflects the light with the first wavelength and transmits the light with the second wavelength. The hybrid light emitting device by the present invention improves brightness by the combination of the first and second light emitting units and the formation of the capping layer. The hybrid light emitting device easily produces a desired color.
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A method for manufacturing an organic light emitting device according to one embodiment of the present invention forms a light scattering layer having an uneven structure at low temperatures. The method for manufacturing the organic light emitting device comprises a step for forming a precursor layer on a substrate; a step for successively forming a metal layer and an organic layer on the precursor layer; a step for forming an organic mask from the organic layer by using heat processing; a step for forming a metal mask by patterning the metal layer; a step for forming the light scattering layer having the uneven structure by patterning the precursor layer; and a step for removing the organic mask and the metal mask. The present invention is provided to be performed at low temperatures, thereby forming light scattering layers in various organic light emitting devices. The light scattering layer is provided to improve light extraction efficiency for light in every wavelength, thereby enabling the present invention to be applied to an organic white light emitting diode.
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Provided is a method for facilitating doping of rare earth resources by aerosolizing a rare earth resource solution using a ultrasonic humidifying device in a VAD process. The method for doping of rare earth resources in the VAD process according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: aerosolizing the rare earth resource using the ultrasonic humidifying devicesolution; inserting the rare earth resource in an aerosol form into one of argon (Ar) lines of a VAD burner; and metalizing the inserted rare earth resource in silica soot using the burner. [Reference numerals] (AA) Ultrasonic wave device; (BB) Ultrasonic wave driving apparatus