公开(公告)号：FR2982406A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：FR1160060

申请日：2011-11-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C7/24 ,  G11C11/4078 ,  G11C16/24 ,  G11C29/52

Abstract: Procédé de gestion d'une mémoire non volatile, caractérisé en ce qu'il comprend un procédé d'écriture sécurisé comprenant une première phase d'écriture de données dans une première banque d'un plan mémoire de la mémoire non volatile, puis une seconde phase d'écriture des mêmes données dans une seconde banque du même plan mémoire de la mémoire non volatile en cas de succès de la première phase d'écriture.

公开(公告)号：FR2965374A1

公开(公告)日：2012-03-30

申请号：FR1057754

申请日：2010-09-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G06F13/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de transmission sur bus série, entre un circuit maître et deux circuits esclaves, dans lequel chaque circuit esclave conditionne la transmission d'un premier de deux états binaires à l'absence d'une transmission du second état binaire par l'autre circuit esclave.

公开(公告)号：FR2963519A1

公开(公告)日：2012-02-03

申请号：FR1056148

申请日：2010-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BAS GILLES ,  CHALOPIN HERVE ,  TAILLIET FRANCOIS

IPC: H04L25/04 ,  H04L25/49

Abstract: L'invention concerne un procédé de transmission de données sur un bus unifilaire dans lequel un premier canal de communication est défini par des impulsions de durées différentes selon l'état (0, 1) du bit transmis et fonction d'une durée de référence (MrefTX1, SrefTX2, SrefTX4), et un second canal de communication est défini par ladite durée de référence

公开(公告)号：FR2951576B1

公开(公告)日：2011-12-16

申请号：FR0905025

申请日：2009-10-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

公开(公告)号：FR2955699A1

公开(公告)日：2011-07-29

申请号：FR1050493

申请日：2010-01-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H01L23/62

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré protégé contre des décharges électrostatiques, ce circuit intégré comprenant des plots d'entrée-sortie (IO1, IO2, IO3) et des premier (40, VDD) et second (GND) rails d'alimentation, et : un thyristor (43) connecté en direct entre chaque plot d'entrée-sortie et le second rail, chaque thyristor comportant, entre sa gâchette d'anode et son anode une résistance ; entre chaque thyristor et le premier rail, une diode (45) dont l'anode est reliée à la gâchette d'anode du thyristor et dont la cathode est reliée au premier rail par l'intermédiaire d'une résistance (Rd1, Rd2, Rd3) d'ajustement du déclenchement ; et un dispositif de déclenchement (47) adapté à laisser circuler un courant entre les premier et second rails lorsqu'une surtension positive survient entre ces rails.

公开(公告)号：FR2951577A1

公开(公告)日：2011-04-22

申请号：FR0905026

申请日：2009-10-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

Abstract: L'invention concerne un dispositif (VMCT1) pour fournir à au moins un circuit intégré (IC31-IC3n) une haute tension (Vpp) d'effacement et/ou programmation d'une mémoire, comprenant au moins une borne de contact (P22, P22') reliée à au moins une borne de contact (P2) du circuit intégré, des moyens (CU, P22, P22') pour espionner un signal de données (S1) reçu par le circuit intégré et détecter dans le signal de données une commande d'écriture de la mémoire (MEM2), et des moyens (SW1, P22) pour appliquer la haute tension à une borne (P2) du circuit intégré lorsqu'une commande d'écriture de la mémoire a été détectée par les moyens de surveillance.

公开(公告)号：FR2951576A1

公开(公告)日：2011-04-22

申请号：FR0905025

申请日：2009-10-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré (IC2) alimenté électriquement par une tension d'alimentation (Vdd) et comprenant une mémoire (MEM2) effaçable et/ou programmable électriquement au moyen d'une seconde tension (HV, Vpp) supérieure à la tension d'alimentation (Vdd). Le circuit intégré comprend des moyens (WPP, TSCT, CMP, LSCT) pour recevoir la seconde tension (HV, Vpp) par l'intermédiaire d'une borne (P1) de réception de la tension d'alimentation (Vdd) ou par l'intermédiaire d'une borne (P2, P3) de réception ou d'émission d'un signal de données ou d'horloge (S1, S2). Application notamment à la réalisation d'étiquettes électroniques comportant un nombre réduit de bornes d'interconnexion.

公开(公告)号：FR2934390B1

公开(公告)日：2010-08-13

申请号：FR0854983

申请日：2008-07-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G06F13/38 ,  G06F13/42