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公开(公告)号：CN115223771A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210925985.3
申请日：2018-02-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F10/30 , H01F10/32 , H01F41/14 , H01F41/18 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明的铁磁性多层膜具备：第一磁化固定层、第一中间层、第二中间层、磁耦合层以及第二磁化固定层。第一磁化固定层和第二磁化固定层通过经由第一中间层、第二中间层以及磁耦合层的交换耦合而反铁磁性耦合；磁耦合层的主元素为Ru、Rh或Ir，第一中间层的主元素与磁耦合层的主元素相同，第二中间层的主元素与磁耦合层的主元素不同，第一中间层的厚度为第一中间层的主元素的原子半径的1.5倍以上且3.2倍以下，并且第二中间层的厚度为第二中间层的主元素的原子半径的1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN114914211A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210108758.1
申请日：2022-01-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及一种磁器件。该磁器件具备：层叠体，其包括第1铁磁性层、第2铁磁性层和被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持的非磁性层；第1绝缘层，其覆盖所述层叠体的侧面；和散热体，其以所述层叠体为基准位于所述第1绝缘层的外侧，所述层叠体的侧面与所述散热体的距离根据所述层叠体的层叠方向的位置而不同。
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公开(公告)号：CN109427964B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201810993796.3
申请日：2018-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。
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公开(公告)号：CN108701721B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201780011944.0
申请日：2017-11-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , G11B5/39 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
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公开(公告)号：CN114373780A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111146579.9
申请日：2021-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供MR比大且磁畴壁的控制性也高的磁畴壁移动元件及磁阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：磁阻效应元件，其从接近基板的一侧起依次具有参照层、非磁性层以及磁畴壁移动层；第一磁化固定层和第二磁化固定层，其分别与所述磁畴壁移动层相接，且相互分开，所述磁畴壁移动层包括包含多个插入层的铁磁性层，所述铁磁性层包含Co及Fe，且具有垂直磁各向异性，在写入时，在所述第一磁化固定层和所述第二磁化固定层之间沿着所述磁畴壁移动层流通写入电流。
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公开(公告)号：CN114361329A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210022833.2
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
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公开(公告)号：CN113632239A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080001916.2
申请日：2020-01-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本实施方式提供的自旋元件具备：配线(20)；层叠体(10)，其层叠于上述配线上，包含第一铁磁性层(1)；第一导电部(30)和第二导电部(40)，从层叠方向(z)俯视时，该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层；以及中间层(50)，其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接，构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小，或者，构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN108011037B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201710999831.8
申请日：2017-10-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够容易地磁化反转的自旋轨道转矩型磁化反转元件。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具备：铁磁性金属层，其磁化方向变化；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸并与上述铁磁性金属层接合，在从上述第一方向观察时，以穿过上述铁磁性金属层的第二方向上的中心的轴为基准，上述自旋轨道转矩配线在上述第二方向为非对称，其中上述第二方向正交于上述第一方向及上述层叠方向。
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公开(公告)号：CN107887502B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710892806.X
申请日：2017-09-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种即使在偏压的符号不同的情况下，MR比的对称性也良好，且能够通过电流有效地进行磁化反转且MR比较高的磁阻效应元件。磁阻效应元件的特征在于，具有层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，上述基底层由选自TiN、VN、NbN及TaN中的1种或2种以上的混晶构成，上述隧道势垒层由具有尖晶石结构的下述组成式(1)表示的化合物构成。(1)：AxB2Oy，式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁、锌及镉中的1种以上的元素的阳离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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公开(公告)号：CN107408625B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201680019511.5
申请日：2016-03-29
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 该磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、和被所述第一及第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，具有被所述第一及第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，所述隧道势垒层由组成式AB2Ox(0＜x≦4)表示，并且是阳离子排列不规则的尖晶石结构，所述隧道势垒层具有与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层两者晶格匹配的晶格匹配部、和与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一者晶格不匹配的晶格不匹配部，A位点为多个非磁性元素的二价阳离子，B位点为铝离子，所述组成式中，二价阳离子的元素数低于铝离子的元素数的一半。
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