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    ELECTROPHORETIC DISPLAY FILM FOR ANTI-COUNTERFEIT APPLICATION
    102.
    发明公开
    ELECTROPHORETIC DISPLAY FILM FOR ANTI-COUNTERFEIT APPLICATION 审中-公开
    电泳显示薄膜假冒安全使用

    公开(公告)号：EP3044631A4

    公开(公告)日：2017-04-12

    申请号：EP14842726

    申请日：2014-09-02

    Applicant: E INK CALIFORNIA LLC

    Inventor： LI YU ,  ZANG HONGMEI

    IPC: G02F1/167

    CPC classification number: G02F1/167 ,  B42D25/00 ,  B42D25/30 ,  G02F2001/1672 ,  G02F2201/50 ,  G02F2201/501

    Abstract: The present invention is directed to an electrophoretic display film which can be controlled to malfunction permanently within a period of time. It provides an elegant method to utilize an electrophoretic film for anti-counterfeit purposes. The concept involves the removal of strong barrier layer(s) from the film to allow the solvent in the electrophoretic fluid within the film to evaporate through weak barrier layer(s), and within a period of time, the performance of the display film will be significantly degraded and the film cannot be re-used.

    ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND ACTIVE MATRIX SUBSRATE MANUFACTURING METHOD
    106.
    发明公开
    ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, AND ACTIVE MATRIX SUBSRATE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
    有源矩阵衬底，显示装置和有源矩阵衬底制造方法

    公开(公告)号：EP2693420A1

    公开(公告)日：2014-02-05

    申请号：EP12762819.6

    申请日：2012-03-22

    Applicant: Sharp Kabushiki Kaisha

    Inventor： MISAKI, Katsunori

    IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/133337 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78606

    Abstract: An active matrix substrate ( 1 ) includes a source electrode ( 32 ), a drain electrode ( 33 ), and a semiconductor layer ( 31 ) of oxide semiconductor. A gate insulating layer ( 42 ) of silicon oxide is formed on the gate electrode ( 12a ); a source electrode ( 32 ), a drain electrode ( 33 ), and a semiconductor layer ( 31 ) are formed on the gate insulating layer ( 42 ); a first protection layer ( 44 ) of silicon nitride is formed on the gate insulating layer ( 42 ) without covering the semiconductor layer ( 31 ); and a second protection layer ( 46 ) of silicon oxide is formed on the semiconductor layer ( 31 ). The first protection layer ( 44 ) covers the signal line ( 14 ) and the source connection line ( 36 ).

    Abstract translation: 有源矩阵基板（1）包括源电极（32），漏电极（33）和氧化物半导体的半导体层（31）。 在栅电极（12a）上形成氧化硅的栅极绝缘层（42）; 源极（32），漏极（33）和半导体层（31）形成在栅极绝缘层（42）上。 氮化硅的第一保护层（44）形成在栅极绝缘层（42）上而不覆盖半导体层（31）; 并且在半导体层（31）上形成氧化硅的第二保护层（46）。 第一保护层（44）覆盖信号线（14）和源极连接线（36）。

    DISPLAY DEVICE
    107.
    发明公开
    DISPLAY DEVICE 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号：EP2690492A1

    公开(公告)日：2014-01-29

    申请号：EP12763589.4

    申请日：2012-03-16

    Applicant: Sharp Kabushiki Kaisha

    Inventor： MORIGUCHI, Masao ,  KANZAKI, Yohsuke ,  TAKANISHI, Yudai ,  KUSUMI, Takatsugu

    IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/30

    CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78636

    Abstract: A TFT 1 is formed on a glass substrate 11, and a flattening resin film 17 covering the TFT 1 is formed. Furthermore, a moisture-proof protective film 18 covering the entire surface of the flattening resin film 17 is formed. For the protective film 18, a SiO 2 film, a SiN film, a SiON film, or a stacked film thereof is used. The edge surfaces of the flattening resin film 17 are disposed on the inner side of or under a seal 4, and are formed in a tapered shape. By this, the entry of moisture into the flattening resin film 17 is prevented, preventing display degradation. This effect becomes noticeable in a display device including an oxide semiconductor TFT.

    Abstract translation: 在玻璃基板11上形成TFT1，形成覆盖TFT1的平坦化树脂膜17。 此外，形成覆盖平坦化树脂膜17的整个表面的防潮保护膜18。 对于保护膜18，使用SiO 2膜，SiN膜，SiON膜或其叠层膜。 平化树脂膜17的边缘表面设置在密封件4的内侧或下侧，并形成为锥形。 由此防止水分进入平化树脂膜17，防止显示劣化。 该效果在包括氧化物半导体TFT的显示装置中变得显着。

    一种显示装置
    109.
    发明申请
    一种显示装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018166025A1

    公开(公告)日：2018-09-20

    申请号：PCT/CN2017/080412

    申请日：2017-04-13

    Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

    Inventor： 樊勇

    IPC: G02F1/13357

    CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/133617 ,  G02F2001/133562 ,  G02F2201/17 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/106 ,  G02F2202/108 ,  G02F2202/36 ,  G02F2203/05 ,  G02F2203/055

    Abstract: 一种显示装置，包括显示面板（10）及背光源（20）；显示面板（10）包括相对设置的上基板（11）及下基板（12），上基板（11）上设有反射式滤光层（111）及彩色发光层（112），反射式滤光层（111）透射彩色发光层（112）发出的红、绿及蓝光并将背光源（20）发射的光线部分反射至彩色发光层（112）以再次激发彩色发光层（112）发光，提高了背光源（20）的光能利用率及彩色发光层（112）的发光效率，在影响较小甚至不影响发光效果的前提下减少彩色发光层（112）中量子点的含量，从而降低量子点中镉元素的含量以符合标准要求。

    SWITCHABLE HYDRIDE SMART WINDOW
    110.
    发明申请
    SWITCHABLE HYDRIDE SMART WINDOW 审中-公开
    可切换的HYDRIDE SMART WINDOW

    公开(公告)号：WO2018035090A1

    公开(公告)日：2018-02-22

    申请号：PCT/US2017/046885

    申请日：2017-08-15

    Applicant: CARDINAL CG COMPANY

    Inventor： BURROWS, Keith James ,  HARTIG, Klaus H.W. ,  PLAGGEMEYER, Daniel J.

    IPC: G02F1/15 ,  G02F1/19

    CPC classification number: G02F1/19 ,  G02F1/1523 ,  G02F2001/1536 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/34

    Abstract: A switchable hydride smart window solid thin film coating having variable opacity and the methods for producing the same is described. The coating includes the following layers deposited on substrate such as glass: a switchable layer (414), an optional barrier layer (415), a catalyst layer (416), an optional barrier layer (417), a solid electrode (418), an ion storage layer (420), an optional insulating layer (421) and a transparent conductor layer (422). The switchable layer is preferably formed of a magnesium alloy and ore preferable, a ternary alloy of magnesium along with two additional rare earth metals such as yttrium (Y) and Titanium (Ti), i.e., MgYTi.

    Abstract translation: 描述了具有可变不透明度的可切换氢化物智能窗口固体薄膜涂层及其制造方法。 该涂层包括沉积在诸如玻璃之类的基底上的以下层：可切换层（414），可选阻挡层（415），催化剂层（416），可选阻挡层（417），固体电极（418） 离子存储层（420），可选的绝缘层（421）和透明导体层（422）。 可转换层优选由镁合金和矿石形成，优选为镁的三元合金以及诸如钇（Y）和钛（Ti）的另外两种稀土金属，即MgYTi。

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