公开(公告)号：TWI282377B

公开(公告)日：2007-06-11

申请号：TW093121488

申请日：2004-07-19

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 戶田健次 TODA, KENJI ,  森永友香里 MORINAGA, YUKARI ,  手島孝浩 TESHIMA, TAKAHIRO ,  黑田愛 KURODA, AI

IPC: C23F ,  H05K

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/124

Abstract: 本發明之蝕刻劑，係銅或銅合金用之蝕刻劑，其由含有銅離子濃度為14~155g/公升之銅(II)離子源、7~180g/公升之鹽酸、以及0.1~50g/公升之唑(僅有氮原子作為環內之雜原子)之水溶液所組成。本發明之配線製造方法，係藉由蝕刻銅或銅合金來製造配線，其以蝕刻劑蝕刻電絕緣材(1)上之銅層(2)中未被覆抗蝕劑(3)之部分(2a)，而形成配線(4)。藉此，形成底切少、微細且高密度之配線圖案。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之蚀刻剂，系铜或铜合金用之蚀刻剂，其由含有铜离子浓度为14~155g/公升之铜(II)离子源、7~180g/公升之盐酸、以及0.1~50g/公升之唑(仅有氮原子作为环内之杂原子)之水溶液所组成。本发明之配线制造方法，系借由蚀刻铜或铜合金来制造配线，其以蚀刻剂蚀刻电绝缘材(1)上之铜层(2)中未被覆抗蚀剂(3)之部分(2a)，而形成配线(4)。借此，形成底切少、微细且高密度之配线图案。

公开(公告)号：TW200615316A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：TW094118324

申请日：2005-06-03

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 中村幸子 NAKAMURA, SACHIKO ,  宮田福成 MIYATA, YOSHINARI ,  石田輝和 ISHIDA, TERUKAZU ,  三角美穗 MISUMI, MIHO

IPC: C08J ,  C09K

CPC classification number: C08J7/06 ,  C08J7/12 ,  H05K3/381

Abstract: 本發明係以擇自4價及／或3價之鈰化合物做為有效成分之樹脂表面處理劑。本發明之樹脂表面處理法，係將樹脂表面與以擇自4價及／或3價之鈰化合物做為有效成分之樹脂表面處理劑接觸後以酸性水溶液處理。藉此能夠活化樹脂表面，提升聚醯亞胺系樹脂薄膜與金屬配線之接合強度及聚醯亞胺系樹脂與其他樹脂之接合強度。本發明藉此可提供一種生產性優異、處理成本低廉之樹脂表面處理劑及使用其之樹脂表面處理法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系以择自4价及／或3价之铈化合物做为有效成分之树脂表面处理剂。本发明之树脂表面处理法，系将树脂表面与以择自4价及／或3价之铈化合物做为有效成分之树脂表面处理剂接触后以酸性水溶液处理。借此能够活化树脂表面，提升聚酰亚胺系树脂薄膜与金属配线之接合强度及聚酰亚胺系树脂与其他树脂之接合强度。本发明借此可提供一种生产性优异、处理成本低廉之树脂表面处理剂及使用其之树脂表面处理法。

公开(公告)号：TW200504245A

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：TW093121488

申请日：2004-07-19

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 戶田健次 TODA, KENJI ,  森永友香里 MORINAGA, YUKARI ,  手島孝浩 TESHIMA, TAKAHIRO ,  黑田愛 KURODA, AI

IPC: C23F

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/124

Abstract: 本發明之蝕刻劑，係銅或銅合金用之蝕刻劑，其由含有銅離子濃度為14～155g／公升之銅(11)離子源、7～180g／公升之鹽酸、以及0.1～50g／公升之唑(僅有氮原子作為環內之雜原子)之水溶液所組成。本發明之配線製造方法，係藉由蝕刻銅或銅合金來製造配線，其以蝕刻劑蝕刻電絕緣材(1)上之銅層(2)中未被覆抗蝕劑(3)之部分(2a)，而形成配線(4)。藉此，形成底切少、微細且高密度之配線圖案。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之蚀刻剂，系铜或铜合金用之蚀刻剂，其由含有铜离子浓度为14～155g／公升之铜(11)离子源、7～180g／公升之盐酸、以及0.1～50g／公升之唑(仅有氮原子作为环内之杂原子)之水溶液所组成。本发明之配线制造方法，系借由蚀刻铜或铜合金来制造配线，其以蚀刻剂蚀刻电绝缘材(1)上之铜层(2)中未被覆抗蚀剂(3)之部分(2a)，而形成配线(4)。借此，形成底切少、微细且高密度之配线图案。

公开(公告)号：TW591120B

公开(公告)日：2004-06-11

申请号：TW089123501

申请日：2000-11-07

Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 岡田萬佐夫 ,  有村摩紀 ,  栗山雅代

IPC: C23F ,  C09K

CPC classification number: H05K3/383 ,  C23F1/14 ,  C23F1/34 ,  H05K3/064 ,  H05K3/28 ,  H05K2203/121 ,  H05K2203/125

Abstract: 一種銅或銅合金之蝕刻劑，其為含有烷醇胺5~50重量%、銅離子源以金屬銅計為0.2~10重量%、鹵素離子源以鹵素計為0.005~10重量%及脂族羧酸0.1~30重量%，且相對於脂族羧酸1莫耳之烷醇胺比率為2莫耳以上之水溶液所組成。

Abstract in simplified Chinese: 一种铜或铜合金之蚀刻剂，其为含有烷醇胺5~50重量%、铜离子源以金属铜计为0.2~10重量%、卤素离子源以卤素计为0.005~10重量%及脂族羧酸0.1~30重量%，且相对于脂族羧酸1莫耳之烷醇胺比率为2莫耳以上之水溶液所组成。

公开(公告)号：TWI680210B

公开(公告)日：2019-12-21

申请号：TW105103129

申请日：2016-02-01

Applicant: 日商MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 荻野悠貴 ,  OGINO, YUKI ,  東嶋真美 ,  TOJIMA, MAMI ,  林崎將大 ,  HAYASHIZAKI, MASAHIRO ,  王谷稔 ,  OTANI, MINORU

IPC: C23F1/26 ,  C23F1/44

公开(公告)号：TWI679305B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW107113178

申请日：2018-04-18

Applicant: 日商MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 東松逸朗 ,  TOMATSU, ITSURO ,  熊崎航介 ,  KUMAZAKI, KOSUKE ,  網谷康孝 ,  AMITANI, YASUTAKA ,  柴沼祐子 ,  SHIBANUMA, YUKO ,  片山育代 ,  KATAYAMA, IKUYO

IPC: C23C22/06 ,  C23C22/63 ,  C23C22/68

公开(公告)号：TW201842227A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107100547

申请日：2018-01-05

Applicant: 日商MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 秋山大作 ,  AKIYAMA, DAISAKU ,  東松逸朗 ,  TOMATSU, ITSURO ,  網谷康孝 ,  AMITANI, YASUTAKA ,  上甲圭佑 ,  JOKO, KEISUKE ,  里見德哉 ,  SATOMI, TOKUYA

IPC: C23C22/05 ,  B32B7/04 ,  B32B15/08 ,  H05K3/28 ,  H05K3/38

Abstract: 本發明的覆膜形成用組成物係pH為4至10的溶液，且含有：在一分子中具有胺基以及芳香環之芳香族化合物、具有2個以上的羧基之多元酸、以及氧化劑。作為氧化劑，可使用次氯酸、亞氯酸、氯酸、過氯酸、過硫酸、過碳酸、過氧化氫、或有機過氧化物等。芳香族化合物較佳為包含含氮芳香環，進而較佳為具有一級胺基或是二級胺基。覆膜形成用組成物例如可用於對金屬構件的表面之覆膜的形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的覆膜形成用组成物系pH为4至10的溶液，且含有：在一分子中具有胺基以及芳香环之芳香族化合物、具有2个以上的羧基之多元酸、以及氧化剂。作为氧化剂，可使用次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、或有机过氧化物等。芳香族化合物较佳为包含含氮芳香环，进而较佳为具有一级胺基或是二级胺基。覆膜形成用组成物例如可用于对金属构件的表面之覆膜的形成。

公开(公告)号：TWI622665B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW102142647

申请日：2013-11-22

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI

IPC: C23F1/18 ,  C23F11/18 ,  C23F11/16 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06 ,  G01G3/00

公开(公告)号：TW201627534A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104138049

申请日：2015-11-18

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 秋山大作 ,  AKIYAMA, DAISAKU ,  來條未菜 ,  RAIJO, MINA

IPC: C23F1/22 ,  B32B15/08 ,  B32B7/04 ,  B29C45/14

CPC classification number: C23F1/22 ,  B29C45/02 ,  B29C45/14 ,  B29C45/14311 ,  B29K2705/00

Abstract: 本發明的蝕刻劑係水溶液所構成，前述水溶液含有硝酸以外的無機酸及有機酸所成群組所選擇之1種以上的酸；以及於分子構造中含有N-OH或N-O-之有機氮化合物。蝕刻劑中酸的濃度為0.05~3重量%，有機氮化合物的濃度為0.005~5重量%。藉由使鎂構件的表面接觸前述蝕刻劑，即使在蝕刻深度大時也可在鎂構件的表面形成細微的粗化形狀。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的蚀刻剂系水溶液所构成，前述水溶液含有硝酸以外的无机酸及有机酸所成群组所选择之1种以上的酸；以及于分子构造中含有N-OH或N-O-之有机氮化合物。蚀刻剂中酸的浓度为0.05~3重量%，有机氮化合物的浓度为0.005~5重量%。借由使镁构件的表面接触前述蚀刻剂，即使在蚀刻深度大时也可在镁构件的表面形成细微的粗化形状。

公开(公告)号：TW201627495A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104143778

申请日：2015-12-25

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 柴沼祐子 ,  SHIBANUMA, YUKO ,  伍田龍矢 ,  GODA, TATSUYA ,  仁頃丈二郎 ,  NIGORO, JOJIRO ,  市橋知子 ,  ICHIHASHI, TOMOKO ,  上甲圭佑 ,  JOKO, KEISUKE ,  山田崇弘 ,  YAMADA, TAKAHIRO ,  天谷剛 ,  AMATANI, TSUYOSHI

IPC: C11D7/08 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D7/04 ,  C23C18/16 ,  C23C18/31 ,  C23G1/10 ,  C23F11/04 ,  B08B3/08

CPC classification number: C23C18/1689 ,  C23C18/1834 ,  C23C18/54 ,  H05K3/187 ,  H05K3/24 ,  H05K3/26 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本發明係關於無電解鍍錫後且水洗前的洗淨用之鍍錫被膜用洗淨液、及具有使用該洗淨液之洗淨步驟之鍍錫層的形成方法。本發明的洗淨液係含有酸、錯合劑、穩定劑、及氯化物離子之酸性水溶液。洗淨液之氯化物離子濃度為2重量%以上、錫濃度為0.5重量%以下。本發明之洗淨液對鍍錫被膜表面的洗淨性良好，並易維持鍍錫膜的特性，且連續使用時對鍍錫被膜表面影響較小，具有經時穩定性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于无电解镀锡后且水洗前的洗净用之镀锡被膜用洗净液、及具有使用该洗净液之洗净步骤之镀锡层的形成方法。本发明的洗净液系含有酸、错合剂、稳定剂、及氯化物离子之酸性水溶液。洗净液之氯化物离子浓度为2重量%以上、锡浓度为0.5重量%以下。本发明之洗净液对镀锡被膜表面的洗净性良好，并易维持镀锡膜的特性，且连续使用时对镀锡被膜表面影响较小，具有经时稳定性。