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公开(公告)号:CN1249595C
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:CN01818083.3
申请日:2001-09-10
Applicant: ST微电子公司 , 施蓝姆伯格技术管理有限公司
CPC classification number: G06K19/07733 , G06F13/385 , G06K19/07
Abstract: 公开了一种方法和装置,用于检测在通用串行总线(USB)端口和USB智能卡之间的成功的传送,并且产生提供USB事务行为的指示的信号。在本发明的一个优选实施例中,这个USB事务行为信号被按照USB事务行为调制,并且驱动发光二极管(LED)。USB智能卡内部的计数器定标事务行为信号,以便用户可以感知它。因为流过LED的电流依赖于USB事务行为,因此LED的亮度按照USB事务行为而改变。可以从电流镜吸收器或源或者电流开关吸收器或源来驱动LED。
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公开(公告)号:CN1248145C
公开(公告)日:2006-03-29
申请号:CN01814205.2
申请日:2001-08-16
Applicant: ST微电子公司
CPC classification number: G06K7/10346 , G06K7/0008 , G06K7/10178 , G06K7/10336
Abstract: 本发明涉及一个为一个电磁应答器产生一个电磁场的天线,以及一个具有一个这种天线的端口,该端口包括一个第一电感元件(Lp),它用于连接到加有一个激励电压(Vg)的两个端口(3,4),以及一个与第一电感元件耦合的并联谐振电路(21)。
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公开(公告)号:CN1227814C
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN01818054.X
申请日:2001-10-30
Applicant: ST微电子公司
IPC: H03K19/013 , H03K5/1534
CPC classification number: H03K19/0136 , H03K5/1534
Abstract: 本发明涉及一种适于在对输入端(CTRL)施加的信号出现上升边时产生脉冲的开关电路(20),该开关电路包括:第一晶体管(TN2),为双极NPN型晶体管,其发射极连接到输入端;第二晶体管(TP2),其控制电极通过第一电阻器(Re2)连接到输入端,第一晶体管的基极通过串联的第二晶体管与第二电阻器(Rp2)连接到电源电压(VDD);以及第三晶体管(TN3),将开关电路的输出端(22)连接到基准电压(GND),而且其控制电极连接到第一晶体管(TN2)的集电极。
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公开(公告)号:CN1666245A
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN03815107.3
申请日:2003-06-23
Inventor: 萨尔瓦托·帕帕拉多 , 佛朗西斯科·普尔维伦蒂 , 萨尔瓦托·普里维特拉 , 莱昂那多·撒拉
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及一种用于驱动液晶显示器列的系统,包括:逻辑电路(10),它工作在第一电源电压(VDD)与第二电源电压(VSS)之间的供电路径,其中第一电源电压(VDD)高于第二电源电压(VSS)。逻辑电路(10)能够在输入端首先产生第一逻辑信号(LOW_FRAME,WHITE_PIX)和在输出端产生第二逻辑信号(CP,CN,CP_N,CN_N),其数值等于第一电源电压(VDD)或第二电源电压(VSS)。该装置包括:耦合到逻辑电路(10)的两个升高器装置(11,12),并工作在大于第一电源电压(VDD)的第三电源电压(VLCD)与第二电源电压(VSS)之间的供电路径;升高器装置(11,12)能够升高第二逻辑信号(CP,CN,CP_N,CN_N)的数值。该装置还包括:第一对晶体管(T11-T12)和第二对晶体管(T13-T14),它们有不同的供电路径(VLCD-VA,VB-VSS)和有共同的输出终端(OUT);第一对晶体管(T11-T12)和第二对晶体管(T13-T14)连接到升高器装置(11,12)以确定列的驱动信号。该装置包括:关断电路(15),它工作在第三电源电压(VLCD)与第二电源电压(VSS)之间的供电路径,并耦合到两个升高器装置(11,12)。当两对晶体管(T11-T12,T13-T14)中的一对晶体管是在工作状态时,关断电路(15)能够在一帧时间周期内保持两对晶体管(T11-T12,T13-T14)中的另一对晶体管是在关断状态。
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公开(公告)号:CN1640084A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN03805190.7
申请日:2003-03-04
Applicant: ST微电子公司
IPC: H04L27/04
Abstract: 本发明是关于一种用于超高频射频传输的谐振功率转换器及其方法。在一个典型实施例中,本发明是数字驱动的,并使用了噪声重整编码器、充电开关和高品质因数谐振器的组合,其中高品质因数谐振器与输出负载耦合,通常是天线或传输线。谐振器的电磁场中产生能量,反过来将能量传输到负载,传输过程中几乎没有能量浪费。不需要任何有源功率放大器。设备在理论上可用于任何射频信号应用(无线或其它),包括比如手机、本地或宽区域网络传输、或者甚至无线电基站。
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公开(公告)号:CN1639952A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN02829345.2
申请日:2002-07-19
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 茂罗·法格纳尼 , 奥比诺·皮杜蒂 , 克劳迪奥·埃德瑞格纳
CPC classification number: H02M1/36 , H02M3/335 , H02M2001/0006
Abstract: 本发明涉及一种用于开关电源(SMPS)的启动电路,涉及一种包括启动电路的开关电源,并涉及一种开关电源集成电路。在本发明的一个实施例中,公开了一种用于开关电源的启动电路,所述开关电源具有来自第一端子的第一电源电压和来自第二端子以及第三端子的第二电源电压;所述启动电路包括:在所述第一端子和所述第三端子之间的第一电流通路;在所述第一端子和所述第二端子之间的第二电流通路;在所述第二端子和所述第三端子之间的第三电流通路;以及沿着所述第二电流通路设置的双向电压调节器。
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公开(公告)号:CN1623233A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN02828380.5
申请日:2002-02-28
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 塞萨尔·龙西斯瓦莱
IPC: H01L27/07
CPC classification number: H01L27/0825 , H01L21/8222 , H01L27/0744
Abstract: 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1),包括:在集电极(C)和(B)之间的电阻(R);以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻,而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。
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公开(公告)号:CN1201259C
公开(公告)日:2005-05-11
申请号:CN01815431.X
申请日:2001-08-09
Applicant: ST微电子公司
Inventor: 鲁克·维达特
IPC: G06K7/00
CPC classification number: G06K7/0008
Abstract: 本发明涉及一种用于借助于振荡电路产生高频电磁场的终端,当至少一个应答器进入所述电磁场中时,所述终端适应于和所述应答器协同操作,所述终端包括:用于相对于一个参考值调节在振荡电路中的信号相位的装置(37);以及用于根据在振荡电路中的电流测量和振荡电路的电容元件(31)上的电压测量检测应答器的电签名的装置。
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公开(公告)号:CN1503957A
公开(公告)日:2004-06-09
申请号:CN01819046.4
申请日:2001-08-30
Applicant: ST微电子公司 , 施鲁博格系统股份有限公司 , 施鲁博格技术应用有限公司
IPC: G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0712 , G06K19/07 , G06K19/0707 , G06K19/07733
Abstract: 提供了一种多模式IC,用于在第一模式,如依照国际标准化组织7816(ISO7816)协议的ISO模式下工作,并且在第二模式,如依照通用串行总线(USB)协议的USB模式下工作。多模式IC最好是智能卡,并包括微处理器和外部接口。外部接口包括电压供应块、接地块、用于第一模式的第一块组和用于第二模式的第二块组。第一块组最好包括重启块、时钟块和依照ISO7816协议的输入/输出块,并且还可以包括依照ISO7816协议的可变供电电压块。所述IC还包括模式配置电路,用于检测第一块组中一个块上的模式条件,并根据检测结果将IC配置为ISO模式或非ISO模式。一旦该IC被配置为一种特定的模式,它将仅在一种模式下工作,直到下一个打开电源重启序列到来。
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公开(公告)号:CN1149660C
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN99120591.X
申请日:1999-10-09
Applicant: ST微电子公司
IPC: H01L21/8239 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11539 , H01L27/11546
Abstract: 该制造方法,包括步骤:在硅衬底生长第1栅氧化层;在该层淀积第1多晶硅层;选择蚀刻和除去第1多晶层,以限定浮置栅极;掺入掺杂剂以获得单元的源区和漏区;淀积介质层;选择蚀刻和除去待形成晶体管的区域中介质层和第1多晶层;淀积第2多晶硅层;以及选择蚀刻和除去该第2多晶层,以限定晶体管的栅极和单元的控制栅极。在第6与第7步骤间有除去晶体管区域中第1栅氧化层的第1子步骤;及在该区域生长第2栅氧化层的第2子步骤,第2第1栅氧化层不同。
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