公开(公告)号：DE202016104371U1

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：DE202016104371

申请日：2016-08-09

Applicant: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY INC

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/58 ,  H01L33/44

Abstract: Optoelektronische Halbleitervorrichtung, umfassend: eine Halbleiterstruktur, die ein Substrat, eine über dem Substrat gebildete n-Typ-Kontaktschicht, eine über der n-Typ-Kontaktschicht gebildete aktive Schicht und eine über der aktiven Schicht gebildete p-Typ-Kontaktschicht umfasst; und wenigstens eine ferromagnetische Domäne, die auf der Halbleiterstruktur lokalisiert ist.

公开(公告)号：TW201312789A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101129256

申请日：2012-08-13

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL ,  夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  多賓斯基 艾利斯安德 ,  DOBRINSKY, ALEXANDER ,  格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L29/15 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/342 ,  H01S5/34333

Abstract: 本發明提供一種裝置，其包括一或多個具有經組態以促進輻射透射穿過該層之橫向區域及經組態以促進電流流經該層之橫向區域之層。該層可包含短週期超晶格，其包括與量子井交錯之障壁。在此情形下，該等障壁可包括經組態以減少在該層中所吸收之輻射之量的透明區域及經組態以保持該層兩端之電壓降在期望範圍內的較高導電區域二者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种设备，其包括一或多个具有经组态以促进辐射透射穿过该层之横向区域及经组态以促进电流流经该层之横向区域之层。该层可包含短周期超晶格，其包括与量子井交错之障壁。在此情形下，该等障壁可包括经组态以减少在该层中所吸收之辐射之量的透明区域及经组态以保持该层两端之电压降在期望范围内的较高导电区域二者。

公开(公告)号：TW201322486A

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW101137532

申请日：2012-10-11

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 加恩 拉克許 ,  JAIN, RAKESH ,  孫文紅 ,  SUN, WENHONG ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI ,  夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  多賓斯基 艾利斯安德 ,  DOBRINSKY, ALEXANDER ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL ,  格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本發明提供一種使用用於改善半導體層(例如，具有高鋁濃度之第III族氮化物類半導體層)生長的具有圖案化表面的層來製造裝置之方法，及一種具有該含有圖案化表面之層的所得裝置。該圖案化表面可包括實質上平坦頂面及複數個應力降低區域(例如開口)。該實質上平坦頂面可具有低於約0.5奈米的均方根粗糙度，且該等應力降低區域可具有約0.1微米至約5微米之特徵尺寸及至少0.2微米的深度。第III族氮化物材料層可於該第一層上生長且具有該等應力降低區域之特徵尺寸之至少兩倍的厚度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种使用用于改善半导体层(例如，具有高铝浓度之第III族氮化物类半导体层)生长的具有图案化表面的层来制造设备之方法，及一种具有该含有图案化表面之层的所得设备。该图案化表面可包括实质上平坦顶面及复数个应力降低区域(例如开口)。该实质上平坦顶面可具有低于约0.5奈米的均方根粗糙度，且该等应力降低区域可具有约0.1微米至约5微米之特征尺寸及至少0.2微米的深度。第III族氮化物材料层可于该第一层上生长且具有该等应力降低区域之特征尺寸之至少两倍的厚度。

公开(公告)号：TW201308668A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101121634

申请日：2012-06-15

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  多賓斯基 艾利斯安德 ,  DOBRINSKY, ALEXANDER ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL ,  格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS

IPC: H01L33/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01L33/60 ,  F21V5/002 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0083 ,  Y10T29/49

Abstract: 本發明提供一種用於改善輻射穿過界面之傳播的異形表面。該異形表面包括提供該異形表面之第一變化的大粗糙組件之集合，該第一變化具有約為大於該輻射之目標波長之量級的特性尺度。該異形表面亦包括疊置於大粗糙組件之該集合上且提供該異形表面之第二變化的小粗糙組件之集合，該第二變化具有約為該輻射之該目標波長的特性尺度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于改善辐射穿过界面之传播的异形表面。该异形表面包括提供该异形表面之第一变化的大粗糙组件之集合，该第一变化具有约为大于该辐射之目标波长之量级的特性尺度。该异形表面亦包括叠置于大粗糙组件之该集合上且提供该异形表面之第二变化的小粗糙组件之集合，该第二变化具有约为该辐射之该目标波长的特性尺度。

公开(公告)号：TW200739660A

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：TW096107203

申请日：2007-03-02

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 里米吉斯 格斯卡 REMIGIJUS, GASKA ,  尤端 布藍柯 YURIY, BILENKO ,  麥克 西爾 MICHAEL, SHUR

IPC: H01J ,  A61L

CPC classification number: A61L2/10 ,  A61L2/23

Abstract: 本發明係揭露一種方法,利用固態紫外光輻射發射器所產生的紫外光輻射來抑制有機體生長。本發明包含一聯接結構。該聯接結構包含複數個配置於其上的固態紫外光輻射發射器。每一個固態紫外光輻射發射器分別發射波長少於或等於四百奈米的紫外光輻射,以損壞可能位於某一表面上之目標有機體。在一具體實施例中,該聯接結構包含可被配置在空氣過濾器旁之二維網格。二維網格可與一覆蓋器結合,及/或可相對於某一表面移動。藉此,本發明能在易生長有機體的位置抑制或防止例如生物膜或霉菌等有機體的生長。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种方法,利用固态紫外光辐射发射器所产生的紫外光辐射来抑制有机体生长。本发明包含一联接结构。该联接结构包含复数个配置于其上的固态紫外光辐射发射器。每一个固态紫外光辐射发射器分别发射波长少于或等于四百奈米的紫外光辐射,以损坏可能位于某一表面上之目标有机体。在一具体实施例中,该联接结构包含可被配置在空气过滤器旁之二维网格。二维网格可与一覆盖器结合,及/或可相对于某一表面移动。借此,本发明能在易生长有机体的位置抑制或防止例如生物膜或霉菌等有机体的生长。

公开(公告)号：TW200620719A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：TW094142836

申请日：2005-12-05

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 理米吉斯 格斯卡 REMIGIJUS, GASKA ,  以恩賓 賽恩 IANPING, ZHANG ,  麥克 西爾 MICHAEL, SHUR

IPC: H01L ,  H01S

Abstract: 本發明係提供一種改良之氮基發光異質結構，其包含一電子供應層、一電洞供應層以及一發光結構，該發光結構係配置於該電子供應層以及該電洞供應層之間。此外，該發光結構包含一組阻隔層以及一組量子井。並且，每一阻隔層包含一漸變成份，而每一量子井毗鄰至少一阻隔層。根據本發明之氮基發光異質結構之每一量子井之厚度可被選擇／納入該氮基發光異質結構。一或多個包含一漸變成份之附加層可被包含於該發光結構外側。該等漸變成份層致使電子於進入位於該發光結構之一量子井前失去能量，促進該等電子於該量子井中更有效率地與電洞再結合。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种改良之氮基发光异质结构，其包含一电子供应层、一电洞供应层以及一发光结构，该发光结构系配置于该电子供应层以及该电洞供应层之间。此外，该发光结构包含一组阻隔层以及一组量子井。并且，每一阻隔层包含一渐变成份，而每一量子井毗邻至少一阻隔层。根据本发明之氮基发光异质结构之每一量子井之厚度可被选择／纳入该氮基发光异质结构。一或多个包含一渐变成份之附加层可被包含于该发光结构外侧。该等渐变成份层致使电子于进入位于该发光结构之一量子井前失去能量，促进该等电子于该量子井中更有效率地与电洞再结合。

公开(公告)号：TWI509833B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW101121634

申请日：2012-06-15

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  多賓斯基 艾利斯安德 ,  DOBRINSKY, ALEXANDER ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL ,  格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS

IPC: H01L33/22 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125

CPC classification number: H01L33/60 ,  F21V5/002 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0083 ,  Y10T29/49

公开(公告)号：TWI493752B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW101129256

申请日：2012-08-13

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL ,  夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  多賓斯基 艾利斯安德 ,  DOBRINSKY, ALEXANDER ,  格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L29/15 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/342 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：TWI491072B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：TW101137532

申请日：2012-10-11

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 加恩 拉克許 ,  JAIN, RAKESH ,  孫文紅 ,  SUN, WENHONG ,  楊今維 ,  YANG, JINWEI ,  夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  多賓斯基 艾利斯安德 ,  DOBRINSKY, ALEXANDER ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL ,  格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

公开(公告)号：TWI455353B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW100121286

申请日：2011-06-17

Applicant: 感應電子科技股份有限公司 ,  SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 格斯卡 雷米吉斯 ,  GASKA, REMIGIJUS ,  夏塔洛夫 麥辛S ,  SHATALOV, MAXIM S. ,  西爾 麥克 ,  SHUR, MICHAEL

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405