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公开(公告)号：CN102067217B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980100889.8
申请日：2009-09-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B7/268 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明通过具有初始化用波长的第1光束(A)对记录膜的一部分进行部分初始化，通过具有与用于记录再现信息的波长对应波长的第2光束(B)，对信息记录介质进行聚焦调整，通过第1光束(A)进行记录膜的初始化，由此能够使具有多个信息层的多层信息记录介质的全部信息层的记录膜可靠地初始化。
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公开(公告)号：CN101872627B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010113952.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/26 , G11B9/00 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN101888933B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200880119382.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24038 , G11B7/2433
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25718 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造法和记录再生装置。在具备基板和具有记录层的信息层、并通过激光照射进行信息记录以及再生的信息记录介质中，利用Te-O-MA-MB材料来构成记录层，该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成，并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。通过此结构，可进行高密度记录，从而可以提供能够长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN101678693B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880019786.4
申请日：2008-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb100-x-yCxLy (1)其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
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公开(公告)号：CN102067217A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980100889.8
申请日：2009-09-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B7/268 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明通过具有初始化用波长的第1光束(A)对记录膜的一部分进行部分初始化，通过具有与用于记录再现信息的波长对应波长的第2光束(B)，对信息记录介质进行聚焦调整，通过第1光束(A)进行记录膜的初始化，由此能够使具有多个信息层的多层信息记录介质的全部信息层的记录膜可靠地初始化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101888933A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119382.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25718 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造法和记录再生装置。在具备基板和具有记录层的信息层、并通过激光照射进行信息记录以及再生的信息记录介质中，利用Te-O-MA-MB材料来构成记录层，该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成，并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。通过此结构，可进行高密度记录，从而可以提供能够长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN101426658B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200780014450.4
申请日：2007-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21 , Y10T428/26
Abstract: 本发明的信息记录介质，设有基板和含有记录层的信息层、通过对所述信息层照射激光进行信息的记录及再生。记录层包含以由Te、O及M(其中M为从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中选出的至少1种元素)组成的材料为主要成分，此材料中Te原子的含量比例为1～19原子％、O原子的含量比例为20～70原子％(以40～70原子％优选)、M原子的含量比例为11～79原子％(以11～59原子％优选；更优选超过35原子％的范围)。所述材料在如图1所示的Te-O-Pd的3元系统组成图中是以A、B、C、D围起的区域，优选是以C、D、E、F围起的区域，更优选的是以E、F、H、G围起的区域。
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公开(公告)号：CN101151668B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680010797.7
申请日：2006-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
Abstract: 在本发明中，提供一种即使不设界面层，也可以确保高可靠性和良好的反复擦写性能的信息存储介质及其制造方法。为此，在通过光照射或施加电能进行存储及/或再生的信息存储介质中，信息存储介质具有添加了从Sn及Ga构成的群GM中选出的至少一种元素和从Ta及Y构成的群GL中选出的至少一种元素以及氧的材料层。
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公开(公告)号：CN101426658A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014450.4
申请日：2007-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21 , Y10T428/26
Abstract: 本发明的信息记录介质，设有基板和含有记录层的信息层、通过对所述信息层照射激光进行信息的记录及再生。记录层包含以由Te、O及M(其中M为从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中选出的至少1种元素)组成的材料为主要成分，此材料中Te原子的含量比例为1～19原子％、O原子的含量比例为20～70原子％(以40～70原子％优选)、M原子的含量比例为11～79原子％(以11～59原子％优选；更优选超过35原子％的范围)。所述材料在如图1所示的Te－O－Pd的3元系统组成图中是以A、B、C、D围起的区域，优选是以C、D、E、F围起的区域，更优选的是以E、F、H、G围起的区域。
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公开(公告)号：CN100401383C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510052931.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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